Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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1998.04a
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pp.121-125
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1998
1977년 polyacetylene(PA)이 할로겐 도핑에 의해 금속에 필적하는 도전성을 나타낸다는 것이 발견된 이래 전도성 고분자는 전기 전도도 및 전자 상태를 자유롭게 제어 할 수 있다는 특징 때문에 2차 전지 및 연료 전지, 가스분리막, 우주 항공용 경량 도전재료, 대전방지제등의 넓은 응용분야를 가지며 현재에도 기초 연구 및 응용 연구의 양면에서 활기를 띠고 있다.(중략)
고분자연료전지(PEMFC)에서 기체확산층(GDL)은 다공성의 카본 종이/천 위에 마이크로한 다공층을 가치는 구조로 촉매층을 지지하고 촉매층과 분리판 사이의 전류전도체 역할을 한다. 또한 촉매층에 연료와 공기 확산 및 생성된 물의 통로 역할을 하며 소수성인 전기전도성 물질로 이루어져 있다. 현재 연료전지에 쓰이는 가스확산층은 대부분 국외 회사에서 제조 수입 사용하는 현황이고 국내에서는 협진 I&C가 연구하고 있으나 상용화는 아직 이루어지지 않고 있다. 본 연구는 탄소섬유의 전도성을 개선하고자 탄소섬유 표면에 금속코팅 시 최적의 접촉계면유지를 위한 표면처리 방법 및 공정을 조사 분석 후 최적 개선방법(농도/온도/압력/시간)을 설정하고자 하였다. 또한 선정된 공정인자별 수준별 시험 후 샘플링 된 시료를 토대로 금속물질이 탄소섬유 표면에 코팅(도금)된 금속-탄소섬유를 대하여 평가하여 최적화시키고자 탄소섬유로부터 carbon paper GDL의 모재를 개발할 계획이다. 앞에서 설명한 바와 같이 탄소섬유를 이용하여 paper making, resin impregnation, molding, carbonization/graphitization의 제조공정을 거쳐 paper형태의 GDL을 생산 및 평가하고자 하였다.
Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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1998.05b
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pp.148-153
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1998
핵연료 피복관용 신합금을 개발하기 위한 기초연구로서 Zr-xNb계 합금과, Zr-0.8Sn-xNb계 합금을 각각 4종씩 선정하였다. 이들 합금을 판재시편으로 가공한 뒤 Autoclave를 이용하여 36$0^{\circ}C$에서 부식 시험을 실시하였다. 부식과정에서 생성되는 산화막의 미세구조를 관찰하기 위해 천이 전 영역에서 동일두께를 갖도록 부식시편을 준비하여 산화막/금속계면에 대해 SEM관찰을 실시하였다. 또한 석출물의 크기와 부식과의 관계를 조사하기 위하여 부식전의 시편에 대해 TEM관찰을 실시하였다. Zr-xNb 2원계 합금에서는 Nb함량이 적을수록 부식저항성이 증가하는 경향을 보이는데, 0.2Nb가 첨가된 합금이 가장 우수한 부식저항성을 보였다. Zr-0.8Sn-xNb 3원계에서도 천이 전 영역에서는 2원계 합금과 마찬가지로 Nb함량이 적을수록 부식저항성이 증가하나, 천이 후 영역에서는 이런 경향이 바뀌는 것이 관찰되었다. 이는 Sn이 첨가됨으로서 Nb가 부식에 미치는 영향이 달라지기 때문이라 생각된다. 산화막 관찰결과, 순수 Zr은 결정립계를 따라서 산화막이 급격히 성장하는 반면에, Zircaloy-4합금은 매우 균일한 산화막 계면을 유지한다. Zr-xNb계 합금과 Zr-0.8Sn-xNb계 합금에서도 내식성이 우수한 합금은 균일한 산화막/금속 계면을 유지하는 것이 관찰되었다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.11a
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pp.30.1-30.1
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2009
정보화가 급속히 진전됨에 따라 보다 많은 양의 정보를 전송, 처리, 저장하게 되면서 이를 위해 대용량, 고속, 비휘발성의 특징을 갖는 차세대 메모리의 개발이 절실히 요구되고있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 TiO2, Al2O3, NiO2, HfO2, ZrO2 등의 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Offstate)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time 이105 배 이상 빠르고, 5V 이하의 낮은 전압에서도 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정 단순화가 가능하고 소자의 집적화도 쉽다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 본연구에서는 DC-magnetron Sputtering 방법으로 전이금속 박막을 증착하고, Dry furnace로 산화시켜 전이금속산화물 박막을 제작한 후 저항변화 특성을 연구하였다. 두 개의 전이금속산화물 박막을 dual-layer로 형성시켜 저항변화특성을 관찰하였으며 또한, 전이금속산화물 박막의 조성을 달리 하여 저항변화를 관찰 하였다. 전이금속산화물 박막의 전기적 특성을 알아보기 위해 Si(100) wafer 위에 Pt를 이용 MIM 형태로 capacitor 시편을 제작 하여, probe station으로 I-V 측정을 하였고 조성 및 표면 분석을 위해서는 AES와 AFM을, 미세구조를 분석을 위해서는 TEM과 SEM 을 사용하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2003.05a
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pp.762-765
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2003
에틸렌글리콜(ethyleneglycol)을 이용한 폴리비닐에테르(polyvinyl ether)와 같은 고분자물질을 활용하여 Co$^{30}$ 방사선원으로부터 ${\gamma}$선을 조사시켜, 고분자 물질의 성질을 변화시킴으로써 화학, 전기전자, 환경 및 기타 여러 가지 응용분야에 적용하여 이용할 수 있는 기술을 개발하였다. 이를 바탕으로 관련재료의 단량체(monomer)로부터 중합체(polymer)를 합성하여 water swelling을 시키는 과정에서 각종 (금속) 이온을 흡입-제거하는 방법의 환경복원기술, 흡입 금속이온을 표면에 밀집시켜 금속막을 형성하는 응용기술, 생체조직의 대용물질로 활용하는 의용공학 및 열감지특성(thermal sensitive property) 또는 pH 감지특성(pH sensitive property)을 이용하여 의용기술에 적용하는 polymer 응용기술 등의 폭넓은 활용을 위하여 그 일환으로 전도성 고분자 제조기술로의 활용가능성을 연구하였다.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.192-193
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2002
비자성 금속에 자성 불순물이 첨가되었을 경우 비자성 전이금속의 전도전자들이 불순물에서 멀어지면서 감쇠 진동하는 형태로 스핀분극 된다는 사실은 매우 잘 알려져 있으며, 그 진동주기는 Fermi 파동벡터 크기(k$_{F}$ )의 역수의 절반이다[1]. 비자성 금속 내의 자성 불순물사이의 상호작용은 전도성 전자의 감쇠 진동하는 스핀 분극에 바탕을 둔 RKKY 교환 상호작용[2]으로 잘 기술된다. (중략)
Journal of the korean Society of Automotive Engineers
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v.5
no.4
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pp.17-22
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1983
금속재료의 성질은 상(phase)의 혼합된, 즉 금속학적인 지식으로 이해할 수 있는 부분과 상을 구성하고 있는 원자의 결합상태 혹은 전자의 존재상태를 생각하지 않으면 안되는 부분이 있다. 예를 들면 철과 동을 비교할 경우 동의 경우가 전기전도성이 좋은 이유라든가 대기중에 방치한 경우의 내식성이 좋은 이유, 또는 철이 강자성을 나타내는 이유 등 어느 것도 금속중의 전자의 거동에 의해서 설명하지 않으면 안된다. 그리고 원자로에 사용되는 재료로써 문제시되는 중 성자의 흡취능과 같은 것은 원자핵의 구조를 이해하는 입장에서 고찰하지 않으면 안된다. 이들의 분야는 어느 것이든 금속물리학의 중요한 분야이지만 여기에서는 취급하지 않고 다만 금속학적인 지식도 재료의 물리적, 화학적 성질을 이해하는 데에 있어서 중요하다는 것을 예를 들어 기술 하는 데에 그쳤다.
In this study, synthesis of a hydrogel consisted of a coordination bond network between small organic molecules and transition metals had been carried out. By adding a tackifying material to the gel, the potential of the gel to be used as an adhesive material had been also confirmed. Synthesis of the adhesive had been done with simple mixing of 3 components: tannic acid, transition metal, and polymer. The tannic acid molecule possesses multiple hydroxyl groups that can form coordination bonds with the transition metals and hydrogen bonds with the hydrophilic polymers. Due to the morphology of the metal-organic complex and polymer dispersed in water, the fabricated material exhibited high adhesiveness and cohesiveness. Optimizing the rheological property had been conducted for use in adhesive by the synthesis with varying the transition metal (Fe3+, Ti4+), polymer, and treatment conditions. Rheological measurement results demonstrate the promising potential of the material as a bio-compatible and versatile pressure-sensitive adhesive with both high adhesiveness and cohesiveness.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.29
no.2
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pp.33-41
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2022
Recent necessities of research have emerged about soft interconnection technologies for stable electric connections in flexible electronics. Mechanical failure in conventional metal solder interconnection can be solved as soft interconnections based on a small elastic modulus and a thin thickness. To enable stable electric connection while improving mechanical properties, highly conductive materials be thinned or mixed with a material that has a small elastic modulus. Representative soft interconnection technologies such as thin-film metallization, flexible conductive adhesives, and liquid metal interconnections are presented in this paper, and be focused on mechanical/electric properties improving strategies and their applications.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.63-63
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2011
비정질 반도체/절연체의 직류와 교류 전도도 스펙트럼은 주파수에 대한 거듭제곱의 법칙 (power-law)을 따르는 보편성이 있음이 확인되었다. 이러한 보편성은 다양한 비정질 반도체/절연체 물질에서 공통적으로 관찰되었으며 현재까지 이 보편성의 물리학적 원인이 정확히 규명되지 않고 있다. 이 보편성을 설명하기 위한 모델로서 비정질 반도체/절연체 내의 전자/정공의 호핑 전도기구 (hopping conduction mechanism)가 제시된 바 있으며 다양한 비정질 시스템의 전도도 스펙트럼 해석에 인용되고 있다. 그러나 직.교류 전도기구 사이의 상이함에 대한 이견이 있으며 현재까지 정확히 규명된 바 없다. 본 연구에서는 비정질 GeSe 반도성 물질의 전도도 스펙트럼을 10 Hz-1 MHz 주파수 대역에서 측정하였으며 이를 위해 백금 상.하부 전극을 갖는 크로스바(crossbar)형의 금속-절연체-금속구조의 2단자 소자를 제작하였다. 측정 스펙트럼으로부터 본 연구의 GeSe 물질이 앞서 언급한 비정질 물질의 보편성에 부합함을 확인하였으며 스펙트럼 내의 직류와 교류 성분을 명확히 분리할 수 있었다. 직.교류 전도도 스펙트럼의 명확한 기구 분리를 위하여 4개의 상이한 면적을 갖는 크로스바에 대한 측정을 실시하였으며 그 결과로 직.교류 전도도의 상이한 면적 의존성을 관찰하였고 이를 근거로 직.교류 전도도가 서로 다른 전도기구에 기인함을 간접적으로 알 수 있었다. GeSe의 전도도 스펙트럼의 온도 의존성 실험을 위해 시편의 온도를 20-300 K 범위에서 변화시키며 전도도 스펙트럼을 측정하였으며 이를 통해 교류 전도도 스펙트럼 내에 상이한 두 개의 전도 기구가 혼재해있음을 규명하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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