• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.176-177
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• 2002

1.3 $\mu\textrm{m}$와 1.55 $\mu\textrm{m}$의 발광 파장을 갖는 광통신용 반도체 레이저 다이오드는 지금까지 많은 발전을 해 왔으며 다양하게 응용이 되어 오고 있다. 기존의 장파장 소자들은 InP 기판 위에 성장을 하고 있으며, GaAs 관련된 물질의 적용은 장파장 대역의 이득층 성장의 어려움 때문에 GaAs가 가지고 있는 안정된 장점에도 불구하고 적용되지 못했다. 그러나 1996년 M. Kondow는 GaAs 기판에 격자정합되는 InGaAsN 물질을 제안하였고(1) 그 이후로 레이저 다이오드에 제작에 까지 이르렀으며(2-3) 특히, 표면발광반도체레이저의 상온 연속발진에도 성공하였다. (중략)

• Electrical & Electronic Materials
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• v.7 no.1
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• pp.7-14
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• 1994

Structural and optical characteristics in $SnO_2$/a-Se/Al sample by aging variation and applying constant voltage had been investigated. a-Se was varied with monoclinic structure and its surface was greatly exchanged. Its capacitance was first decreased and then increased and its photo-current, photo-voltage and photo-capacitance were increased gradually with day and applying voltage. From the results, crystallization of a-Se and dopant trap level formation had been identified. Also, it was acknowledged $SnO_2$/a-Se/Al sample is useful in photovoltaic and solid thin film cell.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.152-153
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• 2003

최근 양자점 (Quantum Dot-QD)에 대한 관심이 기초 물리학뿐만 아니라 광전소자 응용 측면에서 많은 주목을 끌고 있다. 특히, 자발 형성방법으로 성장시킨 양자점 (Self-assembled QD)을 이용하여 Laser Diode와 같은 광소자에 응용한 결과가 발표되고 있다. 이러한 자발형성 방법으로 성장한 양자점을 광통신에 응용하기 위해서는 발광파장을 제어할 필요성이 있다. 따라서 본 연구에서는 단거리 광통신에 응용 될 수 있는 1.3 $\mu$m 영역과 장거리 광통신에 사용하는 1.55 $\mu$m 영역으로 InAs 양자점의 발광 파장을 변조한 결과에 대하여 분석하였다. (중략)

• Polymer Science and Technology
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• v.24 no.2
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• pp.159-164
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• 2013

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2007.05a
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• pp.30.2-30.2
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• 2007

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1990.07a
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• pp.123-132
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• 1990

The method of characteristic matrix used in the calculation of multi-layered optical coating is applied to the analysis of DFB waveguide with arbitrary structure of grating by plecewise approximation where the DFB structure is devided into many sections in which the gain and period, amplitude and phase of DFB structure are assuced to be constant in each section. The DFB structure with two section is analyzed using this method of C-matrix. The possible applications for photonic devices using DFB waveguides are proposed.

• Solar Energy
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• v.5 no.2
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• pp.28-34
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• 1985

There are two kinds of irradiation intensity deviation, depending on time and position, on illuminated plane when thermal performance of solar collector is tested by using solar simulator. In this study we measured only position deviation of irradiation intensity using 45-cds photosensors and data acqusition system and found the point of average value. By this result we can improve the accuracy of irradiation measurement in indoor test of solar collector.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.40-40
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• 2008

질화갈륨계 발광다이오드는 차세대 반도체 조명용 및 기타 광전소자 등에의 응용 가능성 때문에 주목을 받고 있다. 본 발표에서는 발광다이오드용 In/ITO 전극이 p-형 질화갈륨과 열처리 후 오믹접촉을 이루는 메커니즘을 설명한다.

• Ceramist
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• v.18 no.2
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• pp.59-69
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• 2015

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1998.05a
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• pp.126-126
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• 1998