현재 우리나라 발전설비 용량은 2,100만kW에 이르나, 2001년에는 4,700만kW의 전력이 필요할 것으로 예측되며 전력수요의 급증에 따라 발전량의 증대가 불가피하고 전력의 질적 향상도 중요한 과제로 등장하고 있다. 양질의 전력공급 측면에서 정전사고가 발생시 우리 사회 전반적으로 미치는 파급효과는 막대하므로 전력설비의 보전과 절연진단 기술의 확립이 필요로 대두되고 있다. 그러므로 이에 따른 첨단 계측 기술의 도입과 컴퓨터를 이용한 - 부분방전의 계측과 해석 - 전기 TREE 시스템의 집중관리 - 절연진단 기술에의 컴퓨터의 이용 - 공간전하 분포의 측정 등의 절연진간 기술연구가 기업, 학계, 연구소 등이 공동으로 활발히 진행되고 있다.
The surface made of dielectric materials can therefore become probable sites for damaging electrostatic discharges. Thanks to a specially equipped chandler, the spatial environment can be reproduced experimentally in the laboratory. In this paper, the behavior of high energy electrons injected in polymers such as PolyMethylMetaAcrylate (PMMA) and Kpton is studied. Results obtained by surface potential technique, pulse-electro acoustic device and a cell based on the split Faraday cup system are analyzed and discussed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.11a
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pp.207-210
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1998
Electrical properties such as space charge distribution and electrical conduction of XLPE/VLDPE blends were studied. When the VLDPE is blended, residual charge inside XLPE increases. In case of electrical conduction characteristics, there were no changes in electrical conduction mechanism, space charge limited conduction. XLPE/VLDPE blend including crosslinking coagent showed relatively small current density. It might be due to the carbonyl group in crosslinking coagent.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.26
no.11
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pp.1631-1636
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1989
A space charge model for semiconductor reduced gas sensors has been roposed and applied to gas sensing mechanism. SnO2-x and SnO2-x/Pt thin film were deposited by vacuum evaporating method. And Hall effect and gas sensitivity characteristics of these sensors were measured. From the space charge model and carrier concentration, the number of the adsorbed gas atom on the solid surface was calculated quantitatively. The gas sensing model was compared with CO gas sensitivities of the fabricated thin film gas sensors.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2003.11a
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pp.49-53
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2003
본, 연구는 새로운 기체방전 AND gate를 AC 3전극 면방전 PDP에 적용하기 위한 AC-DC floating 방전을 사용한 어드레스 구동특성을 해석한 것이다. 실험결과 floating 방전을 이용하여 어드레스 방전을 개시시킬 수 있었으며 표시방전까지 용이하게 동작시킬 수가 있었다. 또한 floating 방전과 타이밍을 동기시켜 보조전극에 프라이밍 방전을 일으켜 줌으로써 floating 방전 공간에 공간전하를 충분히 공급해 줌으로써 데이터 전압을 100V 정도까지 낮출 수 있었으며 어드레스 동작 마진도 100V 정도까지 얻을 수가 있었다.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.21
no.1
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pp.28-34
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2007
In this research, the characteristics of the DC discharge that was the logical gate input of discharge logic gate PDP newly proposed was considered. The logical output is induced by controlling the potential difference of inter-electrode according to the discharge path in the discharge logic gate. From the experimental result the discharge time lag was shortened to 1/3 and the voltage has decreased to 1/2 in the case to apply priming discharge for improving stability of these DC discharges compared with the case when it is not applied. Moreover, after the priming discharge ends, the space charge generated by this discharge influences it up to about $30[{\mu}s]$. And, as a measured result of the influence that the space charge exerts on the DC discharge with the change in time and spatial distance, it has been understood that there is a possibility that going away spatially can slip out the influence of the discharge easily as for going away from the discharge time-wise. Therefore the conclusion that the discharge logic gates of each scanning electrode can be operated independently is obtained.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.75-75
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2009
반도체 및 전자기기 산업에 있어 비활성메모리 (NVM)는 중요한 부운을 차지한다. NVM은 디스플레이 분야에 많은 기여를 하고 있으며, 특히 AMOLED에 적용이 가능하여 온도에 따라 변하는 구동 전류, 휘도, color balance에 따른 문제를 해결하는데 큰 역할을 한다. 본 연구는 NNN 구조에서 터널 층을 $SiN_X$ 박막에서 $SiO_XN_Y$ 박막으로 대체하기위한 $SiO_XN_Y$ 박막을 이용한 NNO구조의 NVM에 관한 연구이다. 이로 인하여 보다 얇으면서 우수한 절연 특성을 가지는 박막을 사용함으로써 실리콘 층으로부터 전하의 터널링 효과를 높여 전하 저장 정도를 높이고, 메모리 retention 특성을 향상시키는 터널 박막을 성장 시킬 수 있다. 최적의 NNO 구조의 메모리 소자를 제작하기 위하여 MIS 상태로 다양한 조건의 실험을 진행하였다. 처음으로 블로킹 박막의 두께를 조절하는 실험을 진행하여 최적 두께의 블로킹 박막을 찾았으며, 다음으로 전하 저장 박막의 band gap을 조절하여 최적의 band gap을 갖는 $SiN_X$ 박막을 찾았다. 마지막으로 최적두께의 $SiO_XN_Y$박막을 찾는 실험을 진행하였다. MIS 상태에서의 최적의 NNO 구조를 이용하여 유리 기판 상에 NNO 구조의 NVM 소자를 제작하였다. 제작된 메모리 소자는 문턱전압이 -1.48 V로 낮은 구동전압을 보였으며, I-V의 slope 값 역시 약 0.3 V/decade로 낮은 값을 보인다. 전류 점멸비($I_{ON}/I_{OFF}$)는 약 $5\times10^6$로 무수하였다. $SiN_X$의 band gap을 다양하게 조절하여 band gap 차이에 의한 밴드 저장 방식을 사용하였다. 또한 $SiN_X$은 전하를 전하 포획(trap) 방식으로 저장하기 때문에 본 연구에서의 메모리 소자는 밴드 저장 방식과 전하 포획 방식을 동시에 사용하여 우수한 메모리 특성을 갖게 될 것으로 기대된다. 우수한 비휘발성 메모리 소자를 제작하기 위해 메모리 특성에 많은 영향을 주는 터널 박막과 전하 저장 층을 다양화하여 소자를 제작하였다. 터널 박막은 터널링이 일어나기 쉽도록 최대한 얇으며, 전하 저장 층으로부터 기판으로 전하가 쉽게 빠져나오지 못하도록 절연 특성이 우수한 박막을 사용하였다. 전하 저장 층은 band gap이 작으며 trap 공간이 많은 박막을 사용하였다.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2005.05a
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pp.19-23
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2005
새로운 address-display 중첩 구동기술을 개발하고 실험용 PDP에 적용하였다. 이 구동방식은 priming 방전을 사용하지 않으며, 공간전하를 효과적으로 이용하기 위하여 sub-field의 addressing 순서를 제어하였다. 그 결과 20V의 전화면 address 구동마진을 확보하였고, 최대 1920개의 sustain 펄스를 인가할 수 있었으며, 최대 휘도 $720cd/m^2$와 절대 흑레벨의 배경휘도와 함께 명암비 무한대를 얻었다.
The purpose of this paper is to evaluate the effects of pre-formed space charge by negative DC voltage on partial discharge(PD) patterns of XLPE. We have suggested a modified pulsed electro-acoustic method and demonstrated that the PD patterns are strongly influenced by the pre-formed space charge distributions, which are hardly disappeared up to AC 8kV in electrode configuration including air gap between XLPE layer and electrode.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2003.11a
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pp.55-59
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2003
본 연구에서는 새로 고안된 DC방전 AND gate를 구성하는 각 방전셀 상호간의 영향을 방전특성 측면에서 규명하였다. 4개의 각 셀은 서로 공간전하와 결합하여 깊은 연관이 있었으며 그 결과 PDP의 address 방전을 도와주기 위한 프라이밍 방전의 동작마진을 얻기가 매우 어렵다는 것을 정성적으로 알았다. 실험결과 각 전극의 최적화된 방전전압을 결정할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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