The electrical properties such as dielectric constant, dielectric loss factor and AC conductivity of grain were presented to measure the moisture content of grain using RF impedance. At frequency ranging from 1 to 10MHz and room temperature, $20^{\circ}C$, vector network analyzer(HP4195) and coaxial type sample holder were used to analyze the electrical properties of paddy(11∼24%w.b.), brown rice(11∼18%w.b.), barley(11∼21%w.b.) and wheat(11∼23%w.b.) depending on the moisture content, frequency and bulk density. The dielectric constant and AC conductivity of grain samples increased with moisture content and bulk density. The dielectric constants decreased with frequency and could be expressed as function of the moisture density(decimal moisture $content{\times}bulk$ density).
플라스틱 실장된 GaAs(ε/sub r/=13) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) 마이크로스트립의 플라스틱 유전체에 의한 영향을 SDM (Spectral Domain Method)을 이용하여 해석하였다. 현재 초고주파 실장용 및 PCB 기판 재료로 널리 사용되는 FR-4 composites(ε/sub r/=4.2)를 이용하여 플라스틱 실장할 경우, GaAs MMIC 마이크로스트립의 특성 임피던스는 실장 전에 비하여 약 6 % 감소하고, 유효 유전상수는 약 13 % 증가한다. 이러한 플라스틱 유전체에 의한 기생 특성은 실장된 고주파 집적회로의 성능 저하를 초래할 수 있으므로 본 논문에서는 이러한 플라스틱 유전체 영향을 고려하여 실장후에도 50 Ω 정합 특성을 유지할 수 있는 스트립 폭을 계산하였다. 본 연구의 결과는 저가격 플라스틱의 실장 구조를 최적화시킴으로써 그 응용 범위를 확대하는데 유용하게 사용될 수 있다.
$(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$계에서의 조성 x=0.38의 $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$에 Mn 성분을 첨가하여 $1300^{\circ}C$에서 2시간 소결한 세라믹스의 소결성 및 고주파 유전특성을 연구하였다. Mn의 첨가로 소결온도가 낮아지며 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 하소온도가 높아짐에 따라 하소과정에서 합성반응이 충분히 이루어져 소결체의 최종 소결과정에 영향을 미처 유전체의 유전상수와 품질계수 Q값이 증가하였다. Mn의 첨가량에 따른 물성변화는 Mn의 첨가량이 0.15wt%까지의 첨가범위에서는 $Mn^{4+}$가 $Mn^{3+}$ 또는 $Mn^{2+}$로 환원됨에 따라 산소공공이 생성되며, 억셉터로 작용하여 품질계수 Q값이 1300정도까지 증가하였고, 유전율은 90-100 정도로 변화가 없었다. 그러나 Mn 첨가량이 0.5 wt%이상일때 유전손실이 매우 증가되며 동시에 품질계수 Q값이 점차 감소하였다.
$ZrO_2$ 첨가량 변화에 따른 전기적 특성과 고주파 대용량 세라믹 캐패시터 제조공정 조건을 규명하기 위하여 고주파 대용량 세라믹 캐패시터의 제조 및 전기적 특성에 관하여 연구하였다. 단위 캐패시터는 테이프 캐스팅법으로 제조되었으며, 유전체 및 바인더의 최적조성은 57.5∼60.0: 42.5∼40.0 wt%이다. 슬러리의 점도는 4000∼5000 cps이며, 이 슬러리를 사용하여 제조한 그린 테이프는 뛰어난 캐스팅 상태를 유지하고 있다. 80$^{\circ}C$에서 200 kg/$cm^2$의 성형압으로 성형함으로서 최적의 적층 상태를 얻을 수 있었다. 단위 캐패시터의 전기적 특성, 특히 절연파괴 특성을 증진시키기 위하여 $ZrO_2$를 첨가하였다. $ZrO_2$ 첨가량이 1 wt%에서부터 5 wt%까지 첨가한 경우에는 단위 캐패시터의 유전상수 및 유전손실에 큰 영향을 미치지 못하였다. 또한 유전상수도 10 kHz에서 500 kHz 사이의 주파수 범위에서 큰 변호가 없었다. 내전압은 3 wt%를 첨가한 경우 $CaZrO_3$에 형성 및 입자크기 감소로 인하여 증진됨을 확인할 수 있었다.
Dielectric properties at microwave frequencies of ($Zr_{0.65}$, $Sn_{0.35}$) $Ti_{1.04}$$O_{4.04}$ ceramics with additives, NiO as an agent to improve dielectric properties and $B_{2}$$O_{3}$ as a firing agent were investigated. When 0.5 - 1.5 wt% of NiO is add, the grain growth is inhibited and the shape of the grain is uniformed, Dielectric constant(Fr) and bulk density are increased with raising amount of NiO at sintering temperature of 1330 - 1360.deg. C, but the temperature coefficient of resonant frquency(.epsilon.$_{r}$) decreased gradually as the NiO content increased. The value of Qx $f_{o}$ was increased as the amount of NiO was increased in the range of 0.5 to 1.0 wt% and the Qx $f_{o}$, was decreased slightly with raising sintering temperature. With NiO of 1.0 wt% and at sintering temperature of 1360.deg. C, this ceramics was found to have excellent microwave properties of .epsilon.$_{r}$=37.8, Qx $f_{o}$ = 48.600 and .tau.$_{f}$ = 7 ppm/.deg. C.C.. C.. C.C.. C.. C.
CuO의 첨가가 BiNbO4 세라믹스의 마이크로파 유전특성과 소결거동에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. CuO의 첨가량이 증가함에 따라 액상의 생성에 의해 소결성이 증가하여 시편의 밀도는 증가하며 유전상수는 소결온도가 증가함에 따라 증가하는 경향을 보였다. Qxfo값은 CuO 첨가량이 0.065wt%이고 소결온도가 94$0^{\circ}C$일 때 최대값을 나타내며 그 이상 CuO 첨가량을 증가하였다. 소결온도 92$0^{\circ}C$-96$0^{\circ}C$, 소결시간 2시간일 때의 고주파 유전특성으로는 유전상수가 43.6, Qxfo값이 13,200 이상, $\tau$f =-14.36ppm/$^{\circ}C$을 얻었다.
Zinc-Magnesium borosilicate 유리에 CaF$_2$입자를 충진재로 첨가하여 혼합체의 소결거동, 결정화 거동 및 최종 소결체의 마이크로파 유전특성을 측정하였다. CaF$_2$첨가는 유리의 점도를 감소 시켜 결정화 및 수축개시온도를 감소시켰다. 이러한 CaF$_2$의 최대 첨가량은 주어진 유리조성에 있어서 15 vol. % 이었다. 이러한 소결성 및 결정화 개시온도의 변화는 모 유리와 CaF$_2$의 반응에 의한 결과로 보여지며 이 반응은 결정상의 변화나 이차상의 형성에는 영향을 미치지 않았다. 따라서 유전율 6.1에 품질계수가 40000GHz 인 CaF$_2$입자를 15 vol.% 첨가시 유전상수는 7.1에서 5.6로 품질계수는 2200에서 5000GHz로 유전특성이 향상되었고 소결온도는 75$0^{\circ}C$이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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