본 연구는 60Hz 절연변압기가 없는 형태의 고주파링크방식의 계통연계형 PCS(Power Conditioning System)를 개발하였다. 본 시스템은 고주파 DC-DC 컨버터, 고주파 절연변압기, 풀브리지 다이오드 정류기, DC filter, 저주파 인버터, LC 필터로 구성되어 있다. 고주파 DC-DC 컨버터는 20kHz의 bipolar PWM 펄스를 발생시키며, 이 펄스는 고주파 절연변압기를 통해 승압되고, 풀브리지 다이오드를 통해 정류된다. 마지막으로 저주파 인버터를 통해 정현파 전류가 계통에 유입되게 된다. 제안한 고주파링크방식의 시스템은 기존의 60Hz 절연변압기를 사용하는 시스템 보다 많은 스위칭 소자가 사용되지만, 60Hz 절연변압기를 생략함으로서 시스템의 소형경량화 및 저가화를 이룰 수 있었다.
현재까지 진행된 저장링 격자의 기본설계에 따라, 고주파 시스템 특히 Cavity와 고전력 고주파시스템의 기본 요구사항 및 기본구조를 보여주었다. 이외에도 저장링의 고주파시스템은 아주 잘 설계된 정밀 고주파회로의 둣받침을 받아야 하는데 이에 대한 설계는 아직 초기단계에 있다. 안정된 500MHz 전원에서부터, Cavity내부 및 외부, 또 Klystron의 출력 등등의 상태를 파악하는 amplitude 및 phase detector들 또한 phase shifter, 신호감쇄기, 튜너 등이 많은 feedback 회로를 통해 서로 연결되어 각종 고, 저전력 시스템을 control하고 Cavity간의 위상을 맞추어 주어야 한다. 또한 이모든 system은 computer control 및 manual control이 가능해야 하고, 고압(-50KV), 고전류(-15A)가 사용되고 또한 Cavity 자체가 전체 저장링의 진공 시스템을 파괴할 수도 있으므로 이에 대한 초고속의 안전 relay 시스템도 설치되어야 한다. 충분한 빔의 수명을 위한 최대전얍은 1.5MV 내지 2.3MV로서 3개 또는 4개의 Cavity가 필요하고, 필요전력은 최소 171KW에서 최대 512KW까지임을 보여주었다. 여러가지 가능한 layout에서 PLS에 적합한 구조를 선택하였으며 기존 가속기들에 사용된 기술수준을 능가하는 특별한 요구사항은 없음을 보여주었다.
본 논문에서는 외부방사 문제에 널리 사용되는 음향경계 요소 법(Acoustic Boundary Element Method)을 확장하여 저주파수 대역은 기존의 방법을 이용하고 고주파수 대역에서는 경계요소의 특성길이에 의한 고주파수 상한을 극복할 수 있는 방법을 제시한다. 밴드를 대표하는 음압 레벨을 직접 계산하도록 상호상관도 가정을 통하여 간략화 하였다. 간단한 음향방사 모델인 배플이 있는 빔과 평판에 대하여 Rayleigh 적분식의 계산결과와 제안된 방법을 비교하여 적용효능성을 검토하였다. 적용을 위한 조건으로는 방사면 진동의 상호상관도가 작아야 하므로, 이를 만족시키기 위한 일반적인 조건식을 제시하여 이로부터 경계요소의 특성길이를 정하는 기준을 제시하였다.
본 논문에서는 mass heating에 적용되는 고주파 유도가열 코일의 형상설계에 대한 내용을 기술하였다. 고주파 전류가 흐르는 가운데, workpiece가 가장 고른 열분포 특성을 가질 수 있도록 가열시킬 수 있는 코일의 형태를 결정하는 과정을 나타내고 있다. 이를 설명하기 위해 유한요소법을 이용하여 와전류와 열전도 등의 결과를 데이터화하고 각 결과들의 순환적 재입력으로 수치들의 변화를 시각적으로 나타내어 제안된 코일 형상에 대한 효율성을 입증한다. 연구의 과정은 3차원 유한 요소 프로그램인 ANSYS로 이루어진다.
최근 노트북PC, 전동공구, 전기면도기등 휴대용 전자기기를 비롯한 전기자동차등에는 NiCd 전지등 충전형 2차전지가 폭넓게 사용되고 있다. 종래 이러한 전지의 충전에는 접점을 이용하여 전력을 공급하는 방법이 이용되어 왔으나 안정성, 내구성, 신뢰성, 간편함등의 면에서 볼 때 비접촉 충전이 바람직한 방법으로 대두되고 있다. 그러나 비접촉 충전에는 고주파 인버터와 탈착 트랜스포머가 핵심적인 요소로 나타난다. 따라서 스위칭 노이즈 및 스위칭 손실이 저감될 수 있는 소프트 스위칭 고주파 인버터 및 대전력을 전달할 수 있는 탈착 트랜스포머가 필요하게 된다. 본 고에서는 다년간 이 분야의 연구에 종사하고 있는 쿠마모토 공업대학 응용에너지 일렉트로닉스 연구소 K. Harada 교수 및 H. Sakamoto 교수 연구팀의 연구 성과를 중심으로 하여 소프트 스위칭 고주파 인버터에 의한 비접촉 충전에 관하여 소개하고자 한다.
본 논문에서는 고주파수 구동 및 고전력밀도 아답터의 경부하 효율 개선을 위한 One Chip 디지털 통합제어 알고리즘을 제안한다. 제안 회로는 CRM PFC Boost 컨버터와 3-Level LLC 공진형 컨버터를 하나의 소형 MCU로 구성된 디지털 제어기를 사용함으로써 고주파수 구동을 가능케 하며, 주파수 제한 및 Burst mode로 구성된 알고리즘을 통해 높은 스위칭 주파수로 인해 발생하는 경부하 시 효율 개선을 통해 수동 소자와 제어단 부피 저감으로 고 전력밀도 달성이 가능하다. 최종적으로 제안 회로의 타당성 검증을 위하여 200W급 아답터의 전원회로를 위한 시작품을 제작하여 고찰된 실험결과를 제안한다.
본 논문은 고주파 시스템-온-칩 응용을 위한 자동 보상 시스템을 제안한다. 이러한 시스템은 고주파 회로 칩 제작과정에서 예기치 않게 발생한 미세한 PVT(공정, 전압, 온도) 변동으로 인한 회로 성능 변수들의 미세변동을 검출하여 이를 자동으로 보상한다. 자동으로 보상 가능한 고주파 회로 성능 변수들은 중요한 요소인 입력 임피던스, 전압이득 및 잡음지수를 포함한다. 이러한 시스템은 미세 변동을 자동으로 보상할 수 있도록 고주파 신호를 직류 신호로 변환하는 DFT(Design-for-Testability) 회로를 포함한다.
디지털 신호 기억회로는 반도체 기술의 발달과 더불어 매우 빠른 속도로 발달되었다. 그러나 수 백 MHz의 높은 고주파 신호를 저장하였다가 복재 하는 것은 매우 어려운 기술이다. 고주파 신호의 기억을 위해서 과거에는 아날로그 방식의 주파수 기억루프 (Frequency Memory Loop)가 사용되었으나, 광대역 신호 변환기와 광대역 주파수 증폭기 등이 개발되면서 디지털 고주파 신호 기억 장치에 대한 설계가 가능해 졌다. 본 논문에서는 주파수 대역이 3 옥타브 이상 되는 광대역 디지털 고주파 기억회로를 Johnson 코드를 이용하여 설계하고 그 결과를 모사 하였다.
이중 주파수를 이용한 고주파 용량성 결합 플라즈마 장치는 반도체 및 디스플레이 생산 공정에서 널리 사용되는 장치 형태이며 일반적으로 이온 플라즈마 주파수보다 높은 주파수의 고주파 전력과 이온 플라즈마 주파수보다 낮은 주파수의 저주파 전력을 인가하여 플라즈마 발생 밀도 및 입사 이온 에너지를 독립적으로 조절할 수 있다. 용량성 결합 플라즈마 장치에서는 전극의 쉬스 임피던스가 비선형적으로 변화함에 따라 전극의 전압, 전류 및 플라즈마 전위는 수많은 고조파를 포함하게 되며, 이중 주파수가 인가된 경우 이러한 고주파와 저주파 신호의 고조파가 상호 변조된 형태로 나타나게 된다. 본 연구에서는 주파수에 따른 이온의 거동 특성 차이를 이용하여 변조된 형태의 Lieberman의 비균일 RF쉬스 모델을 가정한 고주파 쉬스를 단순한 저주파 쉬스로 모사하였다. 단순화된 저주파 쉬스 임피던스를 이용한 회로 모델을 구성하여 100MHz와 2MHz RF전력을 사용하는 용량성 결합 플라즈마 장치에서 측정된 전극 전압, 전류 및 플라즈마 전위 신호의 위상차 및 고조파 발생 특성을 분석하였다.
디지털 신호 기억회로는 반도체 기술의 발달과 더불어 매우 빠른 속도로 발달되었다. 그러나 수 백 MHz 대역폭의 광대역 고주파 신호를 저장하였다가 복제하는 것은 매우 어려운 기술이다. 고주파 신호의 기억을 위해서 과거에는 아날로그 방식의 주파수 기억루프가 사용 되었으나, 광대역 신호 변환기와 광대역 주파수 증폭기 등이 개발 되면서 디지털 고주파 신호 기억 장치에 대한 설계가 가능해 졌다. 본 논문에서는 주파수 대역이 600MHz 이상 되는 광대역 디지털 고주파 복제회로를 사다리 회로를 이용하여 설계하고 그 결과를 모사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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