• Journal of Internet Computing and Services
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• v.7 no.5
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• pp.43-57
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• 2006

Next-generation mobile communication systems evolve in the form of high speed data transmission along with integration of wired-wireless network. Therefore, it needs researches on integrating service to heterogeneous networks to offer high speed data transmission and various services while supporting user mobility. In existing studies, heterogeneous networks are linked to single core network separatively, Since vertical handoff between heterogeneous networks leads to some delay, packets may be lost during vertical handoff. To solve this problem, this paper proposes an hierarchically integrated network architecture considering the characteristics of CDMA2000, WiBro, and WLAN. The hierarchically integrated networks are overlaid according to coverage of each network. Therefore, the proposed architecture can minimize handoff delay and packet loss. In addition, this paper proposes an integrated framework for next generation mobile communication networks.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.37 no.1
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• pp.29-36
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• 2017

Recently, KTX (Korean Train Express) train stoppage accidents were mainly caused by malfunctioning equipment, aging and cracking of railway vehicles, crack breakages of brake disks, and breakages of brake disks. Breakage of brake disk can cause large-scale casualties such as high-speed collision and concern about derailment by hitting lower axle and wheel. Therefore, in this study, a brake disk with solid and ventilation type, which is the brake disk of a KTX train was modeled, and a dynamometer system was constructed to operate the disk. A Rayleigh wave was used to inspect the surface of the brake disk. An ultrasonic inspection module was developed for the brake disk by using a local immersion method due to the difficulty involved in ultrasonic inspection using an existing immersion method. In addition, the surface defects of the brake disk were evaluated using a dynamometer mock-up system and an ultrasonic inspection module of the brake disk.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.56-56
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• 2011

투명 메모리 소자는 향후 투명 디스플레이 등 투명 전자기기와 집적화해 통합형 투명 전자시스템을 구현을 위해 지속적으로 연구가 진행 되고 있으며, 산학계에서는 다양한 메모리 소자중 큰 밴드-갭(>3 eV) 특성을 가지는 저항 변화 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)를 이용한 투명 메모리 구현 가능성을 지속적으로 보고하고 있다. 현재까지의 저항 변화 메모리 연구는 물질 최적화를 위해 다양한 금속-산화물계(Metal-Oxide) 저항 변화 물질에 대한 연구가 활발하게 진행 되고 있지만, 금속-산화물계 물질의 경우 근본 적으로 그 제조 공정상 산소에 의한 다수의 산소 디펙트 형성과 제작 시 쉽게 발생할 수 있는 표면 오염의 문제점을 안고 있으며, 또한 Endurance 및 Retention 등의 신뢰성에 문제를 보이고 있다. 따라서, 이러한 문제점을 근본 적으로 해결하기 위해 새로운 저항 변화 물질에 관한 물질 최적화 연구가 요구 되며, 본 연구진은 다양한 금속-질화물계(Metal-Nitride) 물질을 저항변화 물질로 제안해 연구를 진행 하고 있다. 이전 연구에서, 물질 고유의 우수한 열전도(285 W/($m{\cdot}K$)) 및 절연 특성, 큰 밴드-갭(6.2 eV), 높은 유전율(9)을 가지고 있는 금속-질화물계 박막인 AlN를 저항변화 물질로 이용하여 저항변화 메모리 소자 연구를 진행하였으며, 저전압 고속 동작 특성을 보이는 신뢰성 있는 저항 변화 메모리를 구현하였다. 본 연구에서는 AlN의 큰 밴드-갭 특성을 이용하여 투명 메모리 소자를 구현하기 위한 연구를 진행 하였다. 투과도 실험 결과, 가시광 영역 (380-700 nm)에서 80% 이상의 투과도를 보였으며, 이는 투명 메모리 소자로써의 충분한 가능성을 보여 준다. 또한, I-V 실험에서 전형적인 bipolar 스위칭 특성을 보이며, 스위칭 전압 및 속도는 VSET=3 V/Time=10 ns, VRESET=-2 V/Time=10ns에서 가능하였다. 신뢰성 실험에서, 108번의 endurance 특성 및 105 초의 retention 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.62-62
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• 2011

현재 TFT의 주요 재료로 사용되는 비정질 실리콘은 전하 이동도가 매우 작아 고속 스위칭과 같은 고성능을 구현하기 어려우며 이동도 향상을 위해 고온 공정이 적용되야 하는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 전하 이동도가 큰 박막재료를 바탕으로 박막 트랜지스터의 연구개발이 필요하며 이를 위한 해결책 중 새로운 스위칭 동작원리를 제공하며 고 이동도를 갖는 비정질 칼코지나이드 재료가 각광 받고 있다. 본 연구에서는 박막 스위칭 소자 응용을 위해 GeTe 재료를 기반으로 Se을 치환하여 GeSexTe1-x 박막을 제작한 후 소자의 전기적 특성을 평가하였다. GeTe 박막의 결정화 온도는 $187^{\circ}C$였으며 Se을 점진적으로 첨가한 GeSexTe1-x (X=0.2, 0.4, 0.6) 박막의 경우 각각 $213^{\circ}C$, $240^{\circ}C$, $287^{\circ}C$로 측정되었다. 이는 상대적으로 Ge과 Se의 결합에너지가 Ge과 Te의 결합에너지 보다 크기 때문에 Se 함량의 증가에 따라 비정질상의 안정성이 증가된 것으로 판단된다. 비교적 열적 안정성이 높은 3가지의 각각 다른 Se함량을 가진 Ge1.07 Se0.50 Te0.43, Ge1.07 Se0.68 Te0.26, Ge0.95 Se0.90 Te0.15의 소자를 제작하여 스위칭 특성을 분석하였다. GeTe의 경우 전형적인 메모리 스위칭 특성이 나타난 반면 위의 조성을 갖는 박막의 경우 반복적인 문턱 스위칭 특성을 보였다. 이는 Se이 첨가되면서 열적 안정성의 증가로 인해 스위칭이 일어난 후에도 비정질 상을 유지하기 때문이라 판단된다. 각각 제작된 소자에서 인가 전압의 증가와 펄스의 rising time 감소에 따라 더 빠른 스위칭 시간을 보였으며 Se함량이 감소함에 따라 스위칭 전압 또한 감소하는 것을 확인하였다. On 상태의 저항은 Se 함량에 따라 크게 차이가 없었지만 Off 상태의 저항은 Se 함량이 증가됨에 따라 증가되는 것을 확인하였다. 결과적으로 Se 함량에 따른 스위칭 특성의 최적화를 통해 고성능 스위칭 소자에 적용될 수 있을 것이라 판단된다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.5
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• pp.1608-1615
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• 2010

In this paper, we proposed the method called "DoublePico"(Double Piconet) forovercoming low data transmission rate in a scatternet. This needs a new Ad-hoc network topology to transmit with high rate. Every node performs the function of the relay station. DoublePico has two bluetooth devices that should form two different poconets; every node can make a link between two different piconets. Two different piconets are linked in one node by the link with two bluetooth divices thereby forming the Ad-Hoc network. In this paper, we shows the method of DoublePico which supports about 457kbps of the maximum data transmission rate. This method supports a higher data transmission rate than the traditional bluetooth's Ad-Hoc topology by using analysis and comparison of existing algorithm of bluetooth specification and simulation results. Specifically, this paper focuses on the impact of intererence on the PER (Packet Error Rate), throughput performance, and the throughput improvement with SAW(Stop and Wait)-ARQ scheme in DoublePico.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.113-113
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• 2018

환경 친화형 전기자동차, 하이브리드 자동차, 전철 등에서는 고내압 및 소형으로 전력손실을 감소시킬 수 있는 파워 디바이스가 필수이다. 최근, 실리콘 카바이드(SiC, silcon carbide)는 기존 실리콘(Si)보다 스위칭 손실의 저감 및 고온환경에서의 동작 특성이 우수하여, 차세대 저 손실 전력반도체 재료로서 기대를 받고 있다. 용액 성장 법에서 고품질 SiC 결정을 만들 수 있다. 그러나 늦은 성장 속도 때문에 SiC의 양산을 어렵게 하고 있다. 현재까지 성장 속도 향상을 위한 Si용매에 Cr을 첨가하여 탄소 용해도를 높이는 방법이 사용되고 안정된 성장을 위한 Si-Cr용매에 Al를 첨가하는 등 다양한 금속을 첨가하는 방법이 이용되고 있다. 선행 연구에서는 다양한 용매인 탄소 용해도를 실측하고 특히 큰 탄소 용해도를 보인 것은 Co이었다. 본 연구에서는 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$원료와 Co를 첨가한 $Si_{0.56}Cr_{0.4}Co_{0.04}$의 용매에 의한 SiC용액 성장을 실시하고 결정 성장 속도 및 표면 상태의 변화를 검토했다. on-axis 4H-SiC(000-1)을 사용한 Top-seeded solution growth(TSSG)법과 원자 비율로 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$와 $Si_{0.56}Cr_{0.4}Co_{0.04}$의 용매를 이용하여 SiC 용액 성장을 실시했다. Ar가스에서 저항 가열로 내를 치환 후에 $1800^{\circ}C$까지 가열하고 종자화 후에 120분간 유지하고 결정 성장을 실시했다. 냉각 후에 성장의 표면에 남은 용매를 $HF+HNO_3$에서 제거했다. 광학 현미경을 이용하여 결정면과 두께를 관찰 측정했다. Co를 첨가한 $Si_{0.56}Cr_{0.4}Co_{0.04}$의 경우는 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$의 경우보다 결정 성장 속도가 향상됐다. 또한 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$보다 step-flow의 성장을 나타낸 결정의 표면이 전반적으로 관찰됐으며 안정된 결정성장을 나타냈다. 본 연구에서 실시한 연구 방법과 결과는 고품질 및 고속의 SiC 용액성장을 위한 매우 유용한 자료로 활용 될 수 있을 것으로 판단한다.

• Journal of KIISE:Computing Practices and Letters
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• v.7 no.6
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• pp.696-702
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• 2001

In this paper, we design IDEA cipher algorithm which is cryptographically superior to DES. To improve the encryption throughput, we propose an efficient design methodology for high-speed implementation of multiplicative inverse modulo $2^{15}$+1 which requires the most computing powers in IDEA. The efficient hardware architecture for the multiplicative inverse in derived from applying of Fermat's Theorem. The computing powers for multiplicative inverse in our proposal is a decrease 50% compared with the existing method based on Extended Euclid Algorithm. We implement IDEA by applying a single iterative round method and our proposal for multiplicative inverse. With a system clock frequency 20MGz, the designed hardware permits a data conversion rate of more than 116 Mbit/s. This result show that the designed device operates about 2 times than the result of the paper by H. Bonnenberg et al. From a speed point of view, out proposal for multiplicative inverse is proved to be efficient.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.14 no.5
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• pp.27-35
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• 2000

This paper deals with a control strategy for constant output power of SSRT(Soft Switching Resonant Type) FB(Full Bridge) DC-DC converter by an improved phase shift controller. When the FB DC-DC converter for the high density and the high effect control is operated in high speed switching, the switching loss and switching stress of the switching devices are increased. So, the soft switching method, which has the phase shift control with the digital I-PD controller, must be use in order to reduce its. And the output voltage that controlled by the digital I-PD controller tracks a reference without steady state error in variable input voltage. The validity of control strategy that proposed is verified from simulation results and experimental results by the DSP(TMS320C32).

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.25 no.1A
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• pp.156-166
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• 2000

In discrete multi-tone (DMT)-based very high bit-rate digital subscriber line (VDSL) systems, the ingressed RFI (Radio Frequency Interference) accompanied by transmitted signal at the receiver is known to cause the spectralleakage by the finite-point FFT, resulting in significant performance degradation.0 this paper, we propose a RFIcancellation technique which can compensate the ingressed RFI efficiently, especially for a high data-rate VDSLsystem. The proposed technique compensates the performance degradation of e VDSL system due to RFI byusing a time-domain RFI canceller whose coefficients are obtained from the estimated center frequency of RFI inthe frequency domain under the assumption that the ingressed RFI is a narrow-band signal compared to VDSLsampling frequency. The proposed technique requires no training symbol and convergence period, and worksproperly even when spectral shape of the ingressed RFI is unknown or arbitrary. Feasibility of the proposedtechnique is demonstrated via a computer simulation by comparing its performance with the performance of theprevious RFI cancellation technique.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.6
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• pp.546-551
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• 2002

In this paper, a triple controlled type DDFS-driven PLL frequency synthesizer with reduced complexity is used to show its applications for broadband wireless communication systems by frequency synthesis control. Since the proposed DDFS-driven PLL synthesizer is very simplified to use only phase accumulator in DDFS, it improves the switching speed and power consumption than the conventional DDFS-driven PLL frequency synthesizer. It is appropriate for applications with requirements of broadband, low-power consumption and high switching speed, since the proposed synthesizer can cover a wide range of frequency bands by the triple frequency control parameters. Method and results of frequency control parameters assignment are shown for the several frequency bands applications such as GSM, IMT-2000, Bluetooth and PCS system.