• Title/Summary/Keyword: 고성능 실리콘

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High performance silicone for quality assurance of inter-layer joint in apartment house (공동주택 층간조인트 품질확보를 위한 고성능 실리콘 개발)

  • Seo, Tae-Seok
    • Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
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    • 2022.11a
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    • pp.201-202
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    • 2022
  • In this study, the high performance silicone was developed to assure the inter-layer joint in apartment house. The tensile strength, the elongation, the bond strength and the fatigue tests were conducted. As a result, it was confirmed that the performance of high -performance silicone was superior to the existing elastic paint. Therefore, it is expected that it will help to secure the quality of inter-layer joints in apartment houses.

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Silicon Photonics Technology-The optical I/O platform for future computing and data communication (실리콘 포토닉스 테크놀로지-미래컴퓨팅, 데이터 통신을 위한 광I/O 플랫폼)

  • Kim, G.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.31 no.6
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    • pp.13-20
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    • 2016
  • 실리콘 포토닉스 기술은 컴퓨터를 비롯한 여러 전자, 통신 기기들이 광 정보를 송수신하는 데 표준 실리콘을 이용하는 기술로, 기존 실리콘 반도체 기술과 호환될 수 있는 기술이다. 전자와 광의 융합기술로 실리콘 칩 사이, 또는 칩 내에서 빛으로 데이터를 주고받아, 데이터 전송속도를 획기적으로 올리면서도 전력 소모량을 크게 줄일 수 있는 것이 가능하다. 고성능, 저 생산비용과 낮은 소비전력 등의 장점 때문에, 전 세계적으로 실리콘 포토닉스 핵심기술/실용적 플랫폼 연구개발 및 상용화 경쟁이 이루어지고 있다. 본지에서는 실리콘 포토닉스 기술의 간략한 개요, 현재 동향 및 기술 이슈, 그리고 ETRI에서 연구개발된 실리콘 포토닉스 기술과 더불어 그 발전 전망에 대해 기술한다.

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Review of proton exchange mebrane fuel cells using electrochemical impedance spectroscopy technique (차세대 리튬 이온전지에 필요한 고성능 실리콘 음극재료)

  • Kim, Yu-Sang
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.145-146
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    • 2014
  • 실리콘을 기반으로 한 양극 재료는 리튬 이온전지에서 높은 용량을 위한 재료에 널리 알려져 있지만, 아직까지 극복해야 할 기술적인 문제들이 많이 있다. 이유는 전기화학 공정 중에 발생하는 큰 부피 변화 때문이다. 본 기술 동향에서는, 리튬 이온전지에 사용될 실리콘 기반 재료의 화합물 시스템, 나노 구조 배열, 재료 합성 방법, 전기화학 성능 측면에서 기술하였다. 본 논문은 실리콘을 기반으로 한 재료의 장단점과 성능과 관련한 기본 메커니즘을 이해하는 데에 좋은 자료가 될 것이다. 따라서 리튬 이온전지 연구자들에게 유익한 자료가 될 것으로 사료된다.

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Effects of Hot-Carrier Stress and Constant Current Stress on the Constant Performance Poly-Si TFT with a Single Perpendicular Grain Boundary (단일 수직형 그레인 경계 (Single Perpendicular Grain Boundary) 구조를 가지는 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly-Si TFT)에서의 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 효과)

  • Choi, Sung-Hwan;Song, In-Hyuk;Shin, Hee-Sun;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.10a
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    • pp.50-52
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    • 2006
  • 본 논문은 고성능 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor)에서 단일 수직 그레인 경계(Single Perpendlcular Grain Boundary)가 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 안정성 평가에서 어떠한 효과를 보이는가에 대해서 살펴보았다. 고온 캐리어 스트레스 하에서($V_G=V_{TH}+1V,\;V_D$ =12V),그레이 경계가 없는 다결정 실리콘 TFT와 비교했을 때 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리를 TFT는 전기 전도(Electric Conduction)에 작용하는 자유 캐리어(Free Carrier)의 개수가 적기 때문에 상대적으로 더욱 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 먼저 1000초 동안 고온 캐리어 스트레스를 가해준 결과 단일 그레인 경계를 가진 다결정 실리콘에서의 트랜스 컨덕턴스(Transconductance)의 이동 정도는 5% 미만으로 확인되었다. 반면에 같은 스트레스 조건 하에서 그레인 경계가 존재하지 않는 다결정 실리콘의 경우에는 그 이동 정도가 약 25%에 달하는 것으로 측정되었다. 다음으로 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 인가시, 수직형 그레인 경계가 채널 영역 내에 존재하지 않는 다결정 실리콘 TFT는 드레인 접합 부분의 전계 세기를 비교했을 때, 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리콘 TFT보다 상대적으로 낮은 원 인 때문에 적게 열화되는(Degraded) 특성을 확인할 수 있었다.

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결정질 실리콘 태양전지 전면전극 형성기술 개발 동향

  • Jo, Seong-Bin;Kim, Hui-Su;Heo, Ju-Yeol
    • Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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    • v.1 no.2
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    • pp.15-27
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    • 2015
  • 현재 태양전지 시장의 80% 이상을 차지하는 결정질 실리콘 태양전지에서 전면전극(front-side metallization)은 태양전지의 효율과 제조단가에 크게 영향을 미치는 주요 인자이다. 태양전지의 발전단가를 낮추기 위해 결정질 실리콘 태양전지의 기술개발이 고효율화와 동시에 제조단가를 절감하는 방향으로 진행되는 추이에 따라 전면전극 제조기술에서도 소재 및 공정단가의 절감과 고성능 전극 형성을 위한 새로운 소재 및 공정 개발이 지속적으로 요구되고 있다. 본 논문에서는 현재 상용 결정질 실리콘 태양전지 제조에서 95% 이상으로 가장 널리 적용되고 있는 Ag 페이스트를 사용한 스크린 인쇄 전극을 중심으로 전면전극 제조기술의 현황 및 향후 전망에 대해 논하고자 한다.

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The technical trend of micro-pressure sensors (마이크로 압력센서의 기술동향)

  • 정귀상
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.8 no.1
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    • pp.102-113
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    • 1995
  • 일반적으로 단결정 실리콘은 거의 모든 전자소자의 재료로서 널리 사용되고 있으며 제조공정기술 또한 상당한 수준에 도달하고 있다. 최근에는 실리콘 자체의 우수한 압저항효과, 기계적 특성 그리고 반도체 제조공정을 이용한 미세가공기술인 마이크로머시닝을 이용하는 반도체 압력센서에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 기계식 압력센서에 비해서 전기적 변화를 이용하는 반도체 압력센서에서는 소형, 저가격, 고신뢰성, 고감도, 다기능, 고분해, 고성능 및 집적화 등의 우수한 특성을 지니고 있다. 본고에서는 이러한 특성을 가지는 반도체 압력센서중 특히, 압저항형과 용량형 압력센서의 구조와 원리, 그리고 연구.개발동향 및 향후 전망에 관해서 기술하였다.

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Implementation of High-Quality Si Integrated Passive Devices using Thick Oxidation/Cu-BCB Process and Their RF Performance (실리콘 산화후막 공정과 Cu-BCB 공정을 이용한 고성능 수동 집적회로의 구현과 성능 측정)

  • 김동욱;정인호
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.15 no.5
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    • pp.509-516
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    • 2004
  • High-performance Si integrated passive process was developed using thick oxidation process and Cu-BCB process. This passive process leads to low-cost and high-quality RF module with a small form factor. The fabricated spiral inductor with 225 um inner diameter and 2.5 turns showed the inductance of 2.7 nH and the quality factor more than 30 in the frequency region of 1 ㎓ and above. Also WLCSP-type integrated passive devices were fabricated using the high-performance spiral inductors. The fabricated low pass filter had a parallel-resonance circuit inside the spiral inductor to suppress 2nd harmonics and showed about 0.5 ㏈ insertion loss at 2.45 ㎓. And also the high/low-pass balun had the insertion loss less than 0.5 ㏈ and the phase difference of 182 degrees at 2.45 ㎓.

Coplanar Waveguides with Air-Bridge Fabricated on Oxidzed Porous Silicon (OPS) Substrate using Surface Micromachining (표면 마이크로머시닝을 이용한 산화된 다공질 실리콘 기판 위에 제조된 에어브리지를 가진 Coplanar Waveguides)

  • Sim, Jun-Hwan;Park, Dong-Kook;Kang, In-Ho;Kwon, Jae-Woo;Lee, Jong-Hyun;Ye, Byeong-Duck
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2002.07c
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    • pp.2026-2028
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    • 2002
  • 본 논문에서는 실리콘 기판상의 전송선로 특성을 개선하기 위하여 표면 마이크로머시닝 기술을 이용하여 $10{\mu}m$ 두께의 다공질 실리콘 산화막으로 제조된 기판 위에 에어브리지를 가진 CPW 전송선로와 phase shifter를 제작하였다. 간격이 $30{\mu}m$, 신호선이 $80{\mu}m$인 CPW 에어브리지 전송선의 삽입손실은 4 GHz에서 -0.25 dB이며, 반사손실은 -28.9 dB를 나타내었다. CPW phase shifter의 크기는 S-W-$S_g$ = 100-30-400 ${\mu}m$로 설계되었다. "ㄷ" 모양을 가진 에어브리지의 폭은 $100{\mu}m$. 길이는 400-460-400 ${\mu}m$이다. 낮은 손실을 얻기 위한 Step된 에어브리지를 가진 phase shifter 구조가 step이 없는 에어브리지를 가진 구조보다 삽입손실이 보다 더 향상되었다. 제작된 CPW phase shifter의 위상특성은 28 GHz의 넓은 주파수 범위에서 $180^{\circ}E 의 천이를 타나내었다. 이상과 같은 결과로부터 두꺼운 다공질 실리콘은 고 저항 실리콘 집적회로 공정에서 고성능 저가의 마이크로파 및 밀리미터파 회로 응용에 충분히 활용 될 수 있으리라 기대된다.

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RF MEMS Package 기술 및 응용

  • 김진양;이해영
    • The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.13 no.2
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    • pp.60-70
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    • 2002
  • 최근 고성능/고집적 RF 소자 및 시스템들의 경박 단소화 추세에 따라 RF 무선 통신 분야에도 초소형미세 가공 기술인 MEMS 기술이 크게 주목받고 있다. 이에 본 고에서는 RF 부품 및 시스템을 MEMS 기술로서 실장하는 RF MEMS 패키지 기술에 대하여 간단히 살펴보았다. 우선, 실리콘 기반의 MEMS 패키지가 우수한 열 전달 특성과 저 손실의 고주파특성으로 인해 RF 시스템의 실장에 매우 적합함을 확인하였다. 또한, MEMS 기술을 이용함으로써 RF회로와 패키지 제작 공정이 동시에 이루어질 수 있도록 하는 일괄터리공정에 대하여 소개하였다.