• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.487-488
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• 2017

본 논문에서는 급전 코일과 집전 코일 간 공극 변화에도 일정한 공진 특성을 가지는 무선 전력 전송 시스템을 제안한다. 공진회로가 적용된 시스템의 회로특성은 인덕턴스나 커패시턴스와 같은 파라미터 값에 크게 의존하는데, 일정한 공진 특성을 가지기 위해서는 공극의 변화에도 일정한 인덕턴스가 유지되어야 한다. 제안하는 무선 전력 시스템은 공극이 감소할 때 페라이트 코어에 의해 인덕턴스가 증가하고 알루미늄 판에 의해 인덕턴스가 감소하는 상보적인 특성을 결합하여 공극변화에도 인덕턴스가 일정하게 유지되게 한다. 페라이트 코어와 알루미늄 판에 위치한 각 코일들의 기자력 비율을 조절할 경우 공극이 7 cm 에서 15 cm 까지 변하더라도 급 집전부의 자기 인덕턴스 변화는 ${\pm}1%$ 이내로 일정하게 유지되는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.14 no.7
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• pp.3474-3481
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• 2013

In this work, a new high frequency transmission line structure combined with defected ground structure (DGS) and artificial dielectric substrate (ADS) structure is proposed. DGS patterns give add the additional inductance to transmission lines and results in the increased characteristic impedance for a given line width. To the contrary, ADS presents increased capacitance and reduced line impedance. So both play a role in reducing the length of transmission lines commonly, but in preserving the line impedance complementarily. This means that the length of transmission lines can be reduced furtherly by DGS and ADS without a critical change of line width compared to the cases when one of DGS and ADS is used only. As examples, $35{\sim}100{\Omega}$ transmission lines having DGS and ADS are designed, fabricated, measured, and compared to the simulation results. A good agreement between the simulated and measured line impedances is presented. In addition, the physical lengths of the proposed transmission lines are only 55.4~76.9% of those of the normal microstrip lines for the same electrical lengths.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.12 no.1
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• pp.10-15
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• 2003

$PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) thin film for pyroelectric infrared sensor's sensing materials have been fabricated by spin coating technique. 65 wt% VDF and 35 wt% TrFE were for P(VDF/TrFE) powder. $PbTiO_3$ powder was used for a ceramic - polymer composites materials. Surface of composite thin film by ceramic fraction factor was observed by SEM. The $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) thin film capacitancy, dielectric constant and dielectric loss measured by impedence analyzer(HP4192A) and pyroelectric coefficient was measured by semiconductor parameter analyzer(HP4145B).

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.6
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• pp.528-537
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• 2002

In this paper, the extended FDTD is used for the analysis of microwave circuits including active elements. Lumped elements such as R, L, C which are inserted into a microstrip line are analyzed with the FDTD lumped element modeling. Parasitic capacitance and inductance could be obtained using network modeling and so it is sure that FDTD lumped element modeling makes it possible to get more accurate data which include parasite components. Moreover, a balanced mixer using two diodes that are modeled by an extended FDTD is designed and the more exact characteristic of the mixer is acquired than in current circuit simulator.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.30 no.2A
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• pp.147-152
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• 2005

In this paper, we have proposed a novel DGS(Defected Ground Structure) resonator and has designed the band -pass filter using the proposed ${\subset}$ stub-I type DGS resonator. This structure has strong advantages that can vary the retune loss at the passband freely and also can easily tune the attenuation pole frequency at the stopband. The bandpass filter can be made more smaller than the existing filters and be used to find the various applications for eliminating the harmonics and spurious mode at IMT-2000 band.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.11
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• pp.1130-1137
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• 2009

This paper proposes a new clock routing design for suppressing clock harmonic effects in a Printed Circuit Board (PCB) for a terrestrial Digital Multimedia Broadcasting(DMB) system. Typical crystal reference frequencies that are widely used in DMB tuners are 16.384 MHz, 19.2 MHz, 24.576 MHz. When the high-order harmonic components of these reference frequencies fall near the RF channel frequencies, receiver sensitivity of the tuners is seriously degraded. In this work, we propose a new clock routing design in order to address the clock harmonic coupling issue. The proposed design incorporates two inductors for isolating the clock ground from the main ground, and adopts a new strip line-style routing instead of the conventional microstrip line style routing to minimize the overlap area with the main ground. As a result, the RF sensitivity of the T-DMB tuner is improved by 2 dB.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.5
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• pp.347-352
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• 2010

To research the reduction of the dielectric constant depending on the ionic and electronic effects, the dielectric constant of SiOC film was obtained by C-V measurement using the structure of metal/SiOC film/Si, and $n^2$ calculated by the refractive index. The dielectric constant of SiOC film consists with dipole, ions and electrons. However, the dipole moment is ignored in the effect of dielectric constant in SiOC film. THe SiOC film was deposited by the plasma energy, and the gas precursor was dissociated and recombined. Therefore, the dielectric constant of the deposited film consisted of the polarity with ions. THe dielectric constant decreased after annealing process, because of the evaporation of OH hydroxyl group with polarity. The ideal SiOC film as low-k materials was annealed film with lowering the polarity, which is suitable for physical-chemical and electrical properties as an inter layer dielectric materials.

• Journal of IKEEE
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• v.21 no.3
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• pp.248-251
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• 2017

In this paper, The proposed board is developed by EMI compliant Dash Camera with $360^{\circ}$ omni angle. The proposed board is designed by designing DM and CM input noise reduction circuit and applying active EMI filter coupling circuit. The DM and CM input noise reduction circuit design uses a differential op amp circuit to obtain the DM noise coupled to the input signal via the parasitic capacitance(CP). In order to simplify the circuit by applying the active EMI filter coupling circuit, a noise separator is installed to compensate the noise of the EMI source to compensate the CM and DM active filter simultaneously. In order to evaluate the performance of the board for the proposed EMI response, an authorized accreditation body has confirmed that the electromagnetic certification standard for each frequency band is satisfied.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.260-260
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• 2009

초박형 절연막은 현재 다양한 전자소자의 제작과 향상을 위하여 활용되고 있으며, 일반적인 화학 기상 증착 방법으로는 균일도를 확보하기 어려운 문제점을 가지고 있다. 본 논문에서는 디스플레이의 구동소자로 활용되는 박막 트랜지스터의 특성 향상과 비휘발성 메모리 소자의 터널링 박막에 응용하기 위하여 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 증착과 이의 특성을 분석하였다. 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 실리콘 산화막에 질소가 주입되어 있는 형태로 실리콘 산화막과 실리콘 계면상에 존재하는 질소는 터널링 전류와 결함 형성을 감소시키며, bulk 내에 존재하는 질소는 단일 실리콘 산화막에 비해 더 두꺼운 박막을 커패시턴스의 감소없이 이용할 수 있는 장점이 있다. 플라즈마 처리 기법을 이용하였을 경우에는 초박형의 균일한 박막을 얻을 수 있으며, 본 연구에서는 이산화질소 플라즈마를 이용하여 활성화된 질소 및 산소 라디칼들이 실리콘 계면을 개질하여 초박형 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 형성활 수 있다. 플라즈마 처리 시간과 RF power의 변화에 따라 형성된 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 두께 및 광학적 특성은 엘립소미터를 통하여 분석하였으며, 전기적인 특성은 금속-절연막-실리콘의 MIS 구조를 형성하여 커패시턴스-전압 곡선과 전류-전압 곡선을 사용하여 평가하였다. 이산화질소 플라즈마 처리 방법을 사용한 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 log-log 스케일로 시간과 박막 두께의 함수로 전환해보면 선형적인 증가를 나타내며, 이는 초기적으로 증착률이 높고 시간이 지남에 따라 두께 증가가 포화상태에 도달함을 확인할 수 있다. 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 초기적으로 산소의 함유량이 많은 형태의 박막으로 구성되며, 시간의 증가에 따라서 질소의 함유량이 증가하여 굴절률이 높고 더욱 치밀한 형태의 박막이 형성되었으며, 이는 시간의 증가에 따라 플라즈마 챔버 내에 존재하는 활성종들은 실리콘 박막의 개질을 통한 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 두께 증가에 기여하기 보다는 형성된 박막의 내부적인 성분 변화에 기여하게 된다. 이산화질소 플라즈마 처리 시간의 변화에 따라 형성된 박막의 정기적인 특성의 경우, 2.3 nm 이상의 실리콘 옥시나이트라이드 박막을 가진 MIS 구조에서 accumulation과 inversion의 특성이 명확하게 나타남을 확인할 수 있다. 아산화질소 플라즈마 처리 시간이 짧은 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 경우 전압의 변화에 따라 공핍영역에서의 기울기가 현저히 감소하며 이는 플라즈마에 의한 계면 손상으로 계면결합 전하량이 증가에 기인한 것으로 판단된다. 또한, 전류-전압 곡선을 활용하여 측정한 터널링 메카니즘은 2.3 nm 이하의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 직접 터널링이 주도하며, 2.7 nm 이상의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막은 F-N 터널링이 주도하고 있음을 확인할 수 있다. 즉, 2.5 nm 두께를 경계로 하여 실리콘 옥시나이트라이드 박막의 터널링 메카니즘이 변화함을 확인할 수 있다. 결론적으로 2.3 nm 이상의 두께를 가진 실리콘 옥시나이트라이드 박막에서 전기적인 안정성을 확보할수 있어 박막트랜지스터의 절연막으로 활용이 가능하며 2.5 nm 두께를 경계로 터널링 메커니즘이 변화하는 특성을 이용하여 비휘발성 메모리 소자 제작시 전하 주입 및 기억 유지 특성을 확보를 위한 실리콘 옥시나이트라이드 터널링 박막을 효과적으로 선택하여 활용할 수 있다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.12
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• pp.56-65
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• 2001

This paper proposes an algorithm for the capacitance extraction of general 3-dimensional conductors in an ideal uniform dielectric that uses a high-order quadrature approximation method combined with the typical first-order collocation method to enhance the accuracy and adopts an efficient matrix-vector product algorithm for the model-order reduction to achieve efficiency. The proposed method enhances the accuracy using the quadrature method for interconnects containing corners and vias that concentrate the charge density. It also achieves the efficiency by reducing the model order using the fact that large parts of system matrices are of numerically low rank. This technique combines an SVD-based algorithm for the compression of rank-deficient matrices and Gram-Schmidt algorithm of a Krylov-subspace iterative technique for the rapid multiplication of matrices. It is shown through the performance evaluation procedure that the combination of these two techniques leads to a more efficient algorithm than Gaussian elimination or other standard iterative schemes within a given error tolerance.