• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.213-216
• /
• 2001

Etching behaviors of ferroelectric YMn $O_3$ thin films were studied by an inductively coupled plasma (ICP). Etch characteristic on ferroelectric YMn $O_3$ thin film have been investigated in terms of etch rate, selectivity and etch profile. The maximum etch rate of YMn $O_3$ thin film is 300 $\AA$/min at Ar/C $l_2$ of 2/8, RF power of 800W, dc bias voltage of 200V, chamber pressure of 15mTorr and substrate temperature of 3$0^{\circ}C$. Addition of C $F_4$ gas decrease the etch rate of YMn $O_3$ thin film. From the results of XPS analysis, Y $F_{X}$ compunds were found on the surface of YMn $O_3$ thin film which is etched in Ar/C1/C $F_4$ plasma. The etch profile of YMn $O_3$ film is improved by addition of C $F_4$ gas into the Ar/C $l_2$ plasma. These results suggest that fluoride yttrium acts as a sidewall passivants which reduce the sticking coefficient of chlorine on YMn $O_3$.>.

• 한국재료학회지
• /
• 제3권4호
• /
• pp.403-409
• /
• 1993

본 논문에서는 Si(111)에 대한 건식산화와 어닐링에서 결함의 억제 또는 제거에 $NH_3$가 효과적임을 밝혔다. 산화방식은 건식산화(dry $O_2$ oxidation)및 $NH_3$산화($NH_3$ added in dry $O_2$oxidation)를 택하였고 $N_2$및 $NH_3N_2$분위기에서 어닐링 효과를 평가하였다. 건식산화에서는 발생되는 결함이 성장시간에 따라서 길이가 길어지며, $NH_3$산화에서는 결함이 발견되지 않았다. 또한 초기산화를 $NH_3$산화로 하고서 건식산화를 하였을 때 계면에서의 결함을 제거하는 효과가 있다. 건식산화 또는 $NH_3$산화를 한 후 이들 시료에 대하여 7.5% $NH_3N_2$분위로 어닐링하면OSF의 게터링(gettering)효과가 있었다. $NH_3$산화방식에서 7.5%$NH_3N_3$분위기로 어닐링했을때가 건식산화방식에 비하여 OSF의 길이가 20%정도 감소하였다. OSF의 모양은 pit형으로 (111)면에 대하여 (011)면 쪽으로 게터링이 일어났으며<110>방향으로 식각되는 성질이 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제13권3호
• /
• pp.13-17
• /
• 2006

밀도가 높고 주기적인 배열의 기공과 나노패턴이 된 텅스텐 나노점이 실리콘 산화물/실리콘 기판위에 형성이 되었다. 기공의 지름은 25 nm이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공 사이의 거리는 60 nm이었다. nm 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성했다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 건식 식각용 마스크를 만들었다. 실리콘 산화막은 불소 기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각했다. nm크기의 트렌치 안에 선택적으로 증착된 텅스텐 나노점을 만들기 위해서 저압화학기상증착(LPCVD)방법을 이용하였다. 텅스텐 나노점과 실리콘 트렌치의 지름은 26 nm 와 30 nm였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제16권4호
• /
• pp.250-261
• /
• 2007

[ $BCl_3-Cl_2$ ] 플라즈마에서 GaAs(100)의 이온 강화 식각 시 source power에 따른 표면 형태 변화를 연구하였다. Floating 전위에서는 이온 포격(bombardment)이 거의 없고, 화학적 반응에 의존한 순수한 습식 식각에 의해 나타나는 것과 같이 <110> 능선과 {111} 표면으로 이루어졌다. 900 W 정도의 높은 source power에서는 결정학적 표면이 잘 형성되지만, 100 W 정도의 낮은 source power에서는 결정학적 표면이 형성되지 않는다. 이것은 건식 식각에 필수적인 Cl 원자와 같은 여기된 반응성 물질의 양이 source power에 크게 좌우되기 때문이다. 높은 source power에서는 반응성 물질의 농도가 높아지고, GaAs(100) 표면은 열역학적으로 가장 안정한 표면이 된다. 반면에 반응성 물질이 부족할 경우에는 표면 형태는 sputtering에 의해 결정된다. Scaling theory에 기초한 표면의 통계적 분석 적용 시, 두 개의 spatial exponent가 발견 되었다. 하나는 1 보다 작고 원자 수준의 표면형태 형성 기구에 의해 결정되고, 다른 하나는 1보다 크며 facet 형성 기구와 같이 큰 규모의 형태 형성 기구에 의한 결과로 생각된다. 시료들에 bias가 인가 되면, 표면에 포격이 일어난다. 그 결과 높은source power에서 능선 형성이 억제되고, 낮은 source power에서는 섬들의 형성이 억제된다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제19권11호
• /
• pp.211-220
• /
• 2002

Optical disk drives read information by replacing a laser beam on the disk track. As information has become larger, the more accurate position control of a laser beam is necessary. In this paper, we report the analysis and fabrication of the micro mirror for optical disk drivers. A coupled simulation of gas flow and structural displacement of the micro mirror using the Finite-Element-Method is applied to this. The mirror was fabricated by using MEMS technology. Especially, the process using the lapping and polishing step after the bonding of the mirror and electrode plates was employed for the Process reliability. The mirror size was 2.5mm${\times}$3mm and it needed about 35V for displacement of 3.2 ${\mu}$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2003년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.309-311
• /
• 2003

The effects of etch parameters on dry etching of BLT thin films were investigated with ICP etch system in $Cl_2$/Ar and $BCl_2/Cl_2$/Ar gas. The etch rate and etch selectivity of BLT films were examined as a function of gas concentration, ICP power, bias power, and pressure. The maximum etch rates of 191.1 nm/min was obtained at the mixed etch condition of $BCl_3(20%)/Cl_2$/Ar, 700 W ICP RF power, 12 mTorr pressure and 400 W substrate RF power. As ICP power and rf power increased, the etch rate of BLT increased. As pressure increased, the etch rate of BLT decreased. The changes of radicals in both $Cl_2$/Ar and $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma were measured with using optical emission spectroscopy (OES).

• 한국정밀공학회지
• /
• 제16권2호통권95호
• /
• pp.74-81
• /
• 1999

The integrated chip of optical micro-encoder was fabricated and the feasibility as displacement measurement device was confirmed. The geometry of micro-encoder was designed to utilize the optical interference effect on the second order of diffracted beams. The hybrid-type micro-encoder consisted with light emitting diode, photodiode, polyimide wave-guide and micro-lens provides stable micro-encoding results for high speed displacements. The measurement shows the resolution of displacement of 1.00 +/- 0.02 ${\mu}m$ for the grating with scale pitch of 2.0${\mu}m$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.129-130
• /
• 2008

In this paper, optimal DRIE process conditions for fused quartz are experimentally determined by Taguchi method to develop high-performance inertial sensors based on the fused quartz material, which is known to have high Q-factors. Using Si layer as an etch mask, which was formed by previously developed bonding process of the fused quartz and Si wafer, fused quartz DRIE process was performed. Different 9 flow rate conditions of $C_4F_8$, $O_2$, He gas have been tested and the optimum combination of these factors was estimated. By this work, the ability to fabricate high aspect ratio fused quartz structure was confirmed.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제17권12호
• /
• pp.1271-1276
• /
• 2004

Two-dimensionally arrayed nanocolumn lattices were fabricated by using double-exposure laser holographic method. The hexagonal lattice was formed by rotating the sample with 60 degree while the square lattice by 90 degree before the second laser-exposure. The reactive ion etching for a typical time of 30 min using CH$_4$/H$_2$ plasma enhanced the aspect-ratio by more than 1.5 with a slight increase of the bottom width of columns. The etch-damage was observed by photoluminescence (PL) spectroscopy which was removed by the wet chemical etching using HBr/$H_2O$$_2$/$H_2O$ solution, leading into the enhanced PL intensities of the PCs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.383-383
• /
• 2010

TiN is one of the mostly used barrier materials in copper metallization because of low friction coefficient and superior electrical properties. We need to investigate for the etching characteristic of TiN. In this study, we investigated about etching characteristic of TiN using $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma system. The etch rate was measured by a depth pro filer. The chemical etching reactions of the TiN surface was investigated X-ray photoelectron spectroscopy.