• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.116.2-116.2
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• 2013

최근 그래핀, hexagonal boron nitride (h-BN) 및 $MoS_2$ (molybdenum disulfide)와 같은 2차원 결정 물질들은 무어의 법칙 (Moore's Law)를 뛰어넘어 계속적인 소자의 소형화를 가능케 하고 또한 대면적, 저비용 소자 개발을 가능케 하는 우수한 특성을 가진 차세대 반도체 트랜지스터 소재로 각광받고 있다. $MoS_2$는 bulk 상태일 때는 1.2 eV의 indirect 밴드갭을 가지지만 단층형태일 때는 1.8 eV의 direct 밴드갭을 가지며 dielectric screening 기법 등을 통해 mobility를 향상시킬 수 있는 것으로 연구된 바 있다. 본 연구에서는 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법을 이용하여 $MoS_2$박막을 형성하기 위한 기초연구인 Mo전구체의 특성 평가 및 적합한 공정조건 개발 연구를 수행하였다. 사용한 전구체는 $Mo(CO)^6$ (Molybdenum hexacarbonyl)이고, 온도 및 압력, 반응기체($H_2S$, Hydrogen sulfide) 유량 등의 공정 조건 변화에 따른 거동을 Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) 시스템을 사용하여 측정하였다. 또한 $Mo(CO)^6$의 분자구조를 상용 프로그램인 Gaussian으로 시뮬레이션 하여 실제 FT-IR 측정 결과값과 비교 분석하였다. 화학기상증착법을 이용한 $MoS_2$ 증착조건 최적화를 위하여 다양한 온도, 유량, 압력, 및 기판 종류에 대하여 증착 실험을 수행하였으며, 증착된 샘플은 scanning electron microscope (SEM), Raman spectroscopy를 이용하여 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.984-990
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• 2017

국내 문화 콘텐츠 산업은 2000년대부터 급속한 성장을 보이고 있다. 이에 정부는 차세대 국내 성장 산업으로 문화콘텐츠 산업을 지정하고 이를 육성하기 위해 다양한 법규를 만드는 등 예산의 지원도 아끼지 않고 있으며, 각 지자체에서도 문화콘텐츠산업의 다양한 정책들을 마련하고 있다. 하지만 이러한 문화 콘텐츠산업의 중요성이 강조되고 있음에도 불구하고 문화콘텐츠의 경쟁력을 분석한 연구가 거의 이루어지고 있지 않고 있다. 본 연구에서는 LQ분석과 GAP분석을 토대로 권역별 문화콘텐츠산업의 현황수준과 역량분석을 하여 경제적 파급효과를 제시하였다. 이를 통해 부산의 고 부가가치 문화 콘텐츠 산업의 경쟁력을 검토하고 문화 콘텐츠 활성화를 위한 계획을 수립 할 예정이다. 또한 본 연구는 부산과 다른 지역의 경쟁력을 비교하고 부산시의 경제적 기여도를 보여줄 것이다.

• 환경정책연구
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• 제8권4호
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• pp.25-36
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• 2009

지금까지 한강수계에서 임의적으로 시행되던 수질오염총량관리제도가 의무적 시행으로 전환될 예정이다. 본 연구에서는 갭분석과 계층화분석 등의 객관적인 접근을 통해 이러한 의무적 시행을 지원할 수 있는 조사 연구 방향 및 우선순위를 제시하였다. 갭분석 결과 아직까지 우리나라의 총량관리는 새로운 제도를 정착시키기 위한 규제에 초점을 두는 제도시행의 초기적 특성을 보이고 있어, 향후에는 배출권거래의 도입, 배출허가시스템의 개선 등 시행의 유연성 및 실효성을 제고하는 제도개선 분야에 대한 조사 연구가 필요한 것으로 나타났다. 계층화분석 결과를 보면 특정분야보다는 제도개선 및 과학적 불확실성 해소를 위해 전 분야의 조사 연구가 병행될 필요가 있는 것으로 나타나 아직 제도의 시행이 안정화 단계에 이르고 있지 못함을 반영하고 있다. 세부분야 별 조사 연구의 필요성은 목표수질 설정의 타당성 확보가 가장 큰 것으로, 기술적 측면에서는 부하량 및 수질예측 모델의 신뢰성 제고 및 획기적인 부하량 및 삭감방안의 개발이 강조되어야 할 것으로 나타났다.

• 한국정보관리학회:학술대회논문집
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• 한국정보관리학회 2006년도 제13회 학술대회 논문집
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• pp.41-48
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• 2006

도서관 품질 평가를 위한 척도로 개발된 라이브퀼 플러스(LibQUAL+)를 국내 대학도서관에 적용하여 분석을 시도하였다. 이용자 집단별(신분, 연령, 성별, 전공, 도서관 방문횟수, 도서관 홈페이지 접속 횟수) 사전 기대와 실제 인식 사이의 갭을 평가하고 그 원인을 분석하였다. 평가 후 실제 도서관 경영에 필요한 서비스 개선방안을 마련하고 이용자의 인식 향상 및 요구사항에 대처하기 위한 활동과 책무를 밝힘으로써 도서관 서비스 품질 평가를 수행하고, 그 방안을 마련하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.383-391
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• 2017

본 논문은 1nm 직경인 NW-TFET의 전류구동 능력을 $sp3d5s^*$ model을 통해 분석하였다. 직경이 줄어들수록 띠구조의 밴드 갭이 커지는 것이 확인되었으며, 직경이 줄면 터널링 전류 량이 현저히 줄어, 적절한 재료선택이 필요할 것으로 예측된다. 실리콘과 게르마늄을 동일 조건하에 분석한 결과, 게르마늄 기반 TFET은 실리콘 기반 TFET의 스위칭 성능을 유지 하면서도, $10^6{\sim}10^8$배 정도의 전류 량을 개선 시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제29권2호
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• pp.117-133
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• 2007

본 논문은 이자율 준칙에 근거하여 한국의 통화정책의 효율성을 인플레이션과 산출갭의 상대적 안정성을 중심으로 경험적으로 검증하는 데 목적이 있다. 이를 위해 1991년 이후 한국의 주요 거시경제 변수를 설명할 수 있는 구조적 모형이 필요한데, 본고에서는 Ball(1999)의 모형과 유사한 소규모 개방경제모형을 도입한다. 모형의 추정결과, 한국 거시경제 변수를 비교적 잘 설명할 수 있음을 확인할 수 있었고 추정된 모형을 바탕으로 이자율준칙의 범위 내에서 최적 통화정책을 도출하였다. 따라서 최적 이자율 준칙하에서의 인플레이션과 산출갭의 변동성을 실제 데이터와 비교할 수 있다. 실증적 분석의 결과, 중앙은행은 산출갭의 변동성보다 인플레이션의 변동성을 낮추는 데 상대적으로 더 효율적이었음을 알 수 있다. 이는 외환위기 이후 인플레이션이 실제 중앙은행의 목표범위 내에서 하락 안정세를 유지하였고 변동성도 상대적으로 크지 않았음을 고려해 볼 때 타당한 결과라고 해석할 수 있다. 그러나 최적 이자율 준칙과 비교해 볼 때 실제 추정된 이자율 준칙은 인플레이션에 대한 반응 정도가 매우 낮아 인플레이션의 안정성이 이자율 준칙이 효과적이었기 때문은 아닌 것으로 나타났다. 또한 인플레이션을 유발할 수 있는 실질환율 상승의 경우 이자율을 오히려 하락시킨 것으로 나타났는데, 이는 이론 및 최적 이자율 준칙과는 배치되는 결과이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.228-228
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• 2010

pin-형 비정질 실리콘 태양전지에서 p-층은 창물질로서 전기 전도도가 크고, 빛 흡수가 작어야 한다. p층의 두께가 얇으면 i층에서 충분한 내부전위를 얻을 수 없어 개방전압이 작아진다. 반대로 p-층 두께가 두꺼워지면 p-층 자체에서 빛 흡수가 증가하고, 높은 불순물 농도(> $10^{20}/cm^3$)에 의한 표면재결합이 문제가 되어 변환효율이 감소한다. 밴드갭이 큰 물질로 창층을 만들면 짧은 파장의 입사광이 직접 i-층을 비추므로 단락전류와 곡선인자를 증가시킬 수 있다. 본 실험에서는 비정질 실리콘 증착과 박막 특성 분석을 위하여, $5cm{\times}5cm$ 크기의 eagle 2000 glass(유리)와 p형 실리콘 wafer가 사용되었다. 투과도, 흡수도, Raman, 암전도도 와 광전도도 특성 측정에 유리 기판에 증착된 박막을, 두께 측정, FTIR 측정에는 실리콘 기판에 증착된 박막이 각각 사용되었다. p형 비정질 실리콘 증착에는 $SiH_4$, $H_2$, $B_2H_6$ 가스를 사용하였고, 플라즈마 형성에는 13.56MHz의 RF 소스가 사용하였다.p층은 $SiH_4$ 가스와 $H_2$ 가스비가 1:5인 조건에서 $B_2H_6$을 도핑하여 형성하였다. $B_2H_6$가스량을 변화시키며 형성하였으며, $B_2H_6$가스량이 증가함에 따라 암전도도가 증가하였으나, 광학적 밴드갭이 감소하였다. $H_2/SiH_4$ 가스 비가 0.001일 때 밴드갭은 1.76으로 i층보다 높게 형성되었으며, 암전도도는 $10^{-7}$이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.323-323
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• 2014

기존의 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술을 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보 할 수 있어 미래 고부가 가치 산업으로 적합하다. 특히 III-V족 화합물 반도체 태양전지는 III족 원소(In, Ga, Al)와 V족 원소(As, P)의 조합으로 0.3 eV~2.5 eV까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다양한 흡수 대역을 가지는 태양전지 제조가 가능하기 때문에 다중 접합 태양전지 제작이 가능하다. 또한 III-V 화합물 반도체는 고온 특성이 우수하여 온도 안정성 및 신뢰성이 우수하고, 또한 집광 시 효율이 상승하는 특성이 있어 고배율 집광형 태양광 발전 시스템에 가장 적합하다. Si 태양전지의 경우 100배 이하의 집광에서 사용하나, III-V 화합물 반도체 태양전지의 경우 500~1000배 정도의 고집광이 가능하다. 이러한 특성으로 III-V 화합물 반도체 태양전지 모듈 가격을 낮출 수 있고, 따라서 Si 태양전지 시스템과 비교하여 발전 단가 면에서 경쟁력을 확보할 수 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널정션(tunnel junction)을 이용하면 광학적 손실과 전기적 소실을 최소화 하면서 다양한 밴드갭을 가지는 태양전지를 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지며 효율이 높은 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 이에 걸맞게 본연구에서는 화학기상증착장치(MOCVD)를 이용하여 InAsP 나노선을 코어 쉘 구조로 성장하여 태양전지를 제작하였다. P-type Dopant로는 Disilane (Si2H6)을 전구체로 사용하였다. 또한 Benzocyclobutene (BCB) 폴리머를 이용하여 Dielectric을 형성하였고 Sputtering 방법으로 증착한 ZnO을 투명 전극으로 사용하여 나노선 끝부분과 실리콘 기판에 메탈 전극을 형성하였다. 이를 통해 제작한 태양전지는 솔라시뮬레이터로 측정했을때 최고 7%에 달하는 변환효율을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.312.1-312.1
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• 2014

Chalcopyrite계 화합물 반도체인 $Cu(InGa)Se_2$ (CIGS)는 직접천이형 에너지 밴드갭과 전파장 영역에 대하여 높은 광흡수계수($1{\times}$[10]^5/cm)를 가지므로 두께 $1{\sim}2{\mu}m$인 박막형태으로 고효율의 태양전지 제조가 가능하다. 또한, 박막공정의 저가 가능성을 나타내면서 전세계적으로 많은 연구와 관심을 받고 있고, 현재 상용화되어 있는 결정질실리콘 태양전지를 대체할만한 재료로 주목 받고 있다. 일반적으로, CIGS박막형 태양전지 구성은는 유리를 기판으로 하여 5개의 단위 박막인 Mo 후면전극, p형 반도체 CIGS 광흡수층, n형 반도체 CdS 버퍼층, doped-ZnO 상부 투명전극, $MgF_2$ 반사방지막으로 이루어진다. 이들 중에서 태양전지의 에너지 변환효율에 결정적인 영향을 미치는 구성된다. CIGS 광흡수층의 제조는 크게 진공법과 비진공방법으로 나뉜다. 현재까지 보고된 문헌에 따르면 CIGS 박막형 태양전지의 경우에 동시증발법으로 20.3%의 에너지 변환효율을 보였지만,는데, 이는 진공장비 특성상 공정단가가 높고 대면적화가 어렵다는 단점을 가진다. 따라서, 비진공법을 이용하여 광흡수층 제작하는 것이 기술적으로 진보할 여지가 크다고 볼 수 있다. 반면 현재 상용화되어 있는 결정질실리콘 태양전지를 대체할만한 방법으로 주목 받고 있는 비진공을 이용한 저가공정은 최근 15.5%의 에너지 변환효율이 보고 되었다. 비진공법에는 전계를 이용한 증착법 및 스프레이법으로 나뉘며, 이들 광흡수층 재료의 화학적 합성은 III족 원소인 In, Ga의 함량비에 따라 광흡수층의 에너지 밴드갭(1.04~1.5 eV) 조절이 가능하다. 따라서, 본 연구에서는 비진공법에 사용되는 CIGS재료의 화학적 합성조건을 변화시켜 III족 원소의 조성비 조절을 시도하였다. CIGS 분말 시료의 입자 형태와 크기를 FE-SEM을 이용하여 관찰하였고, 화합물의 성분비를 EDX 및 XRD 분석을 통해 Ga 함량에 따른 구조적 차이를 비교해 보았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.324-324
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• 2012

투명전도체(Transparent Conducting Oxides: TCOs)는 일반적으로 면저항이 $103{\Omega}/sq$ 이하로 전기가 잘 통하며, 가시광선영역인 380~780 nm에서의 투과율이 80% 이상이고, 3.2eV 이상의 밴드갭을 가지는 재료로써, 전기전도도와 가시광선영역에서 투과성이 높아 전기적, 광학적 재료로 관심을 받아 다년간 연구대상이 되어오고 있다. 현재 가장 널리 사용되고 있는 투명전도체(Transparent Conducting Oxides: TCOs) 소재로는 Indium Tin Oxide (ITO)가 가장 각광받고 있지만, Indium의 가격상승과 박막의 열처리를 통해 저항이 증가하는 단점을 가지고 있어 이를 대체 할 새로운 소재 개발이 필요한 상황이다. 그러므로 투명전도체 소재 개발에 있어서 가장 중요한 연구과제는 Indium Tin Oxide(ITO)의 단점을 개선시키고 안정된 고농도의 In-Zn-Sn-O(ITZO) 박막을 성장시키는 것이다. 본 연구에서는 RF스퍼터링법에 의하여 Si wafer에 In-Zn-Sn-O(IZTO)를 $350{\AA}$ 만큼 증착시키고, 1시간 동안 $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, $400^{\circ}C$로 각각 열처리 하였다. 박막의 전자적, 광학적 특성은 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy), REELS(Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. XPS측정결과, ITZO박막은 In-O, Sn-O and Zn-O의 결합을 가지고 있고, 박막의 열처리를 통해 $400^{\circ}C$에서 Zn2p의 피크가 가장 크게 나타나는 반면 In3d와 Sn3d는 열처리를 했을 때가 Room Temperature에서 보다 피크가 작아지는 것을 확인하였다. 이는 $400^{\circ}C$에서 Zn가 표면에 편석됨을 나타낸다. 그리고 REELS를 이용해 Ep=1500 eV에서의 밴드갭을 얻어보면, 밴드갭은 $3.25{\pm}0.05eV$로 온도에 크게 변화하지 않았다. 또한 QUEELS -Simulation에 의한 광학적 특성 분석 결과, 가시광선영역인 380nm~780nm에서의 투과율이 83%이상으로 투명전자소자로의 응용이 가능하다는 것을 보여주었다.