A double layered photoreceptor using phthalocyanine dye was made by dip-coating method. The under cutting layer(UCL) was coated with A1$\_$2/O$\_$3/ or polyamide, and the charge generation layer(CGL) was formed by .tau.-type metal-free phthalocyanine. The oxadiazole was used as a charge transport layer(CTL) and polycarbonate and poly(vinyl butyral) was employed as a host polymer. The .tau.-H$\_$2/Pc had an absorption peak around 780nm, which coincided with the emitting wavelengths of GaAlAs diode lasers. Maximum charge acceptance of CTL that gives thickness of 12.mu.m was -900V by corona charge of -6.0kV. In photo-induced discharge measurements, residual potential was less than -20V and sufficient for ordinary use, and sample films using of poly(vinyl butyral) was showed good charge retention. In printing test, drum that was employed polycarbonate as a host polymer showed the good print quality.
A cause and counterplan of the increase in dark decay rate of$\varepsilon$-CuPc/PVCz photoreceptor which is consist of the carrier generation layer (CGL) of$\varepsilon$type copper phthalocyanine ($\varepsilon$-CuPc) thin film by an aqueous coating method and the carrier transport layer (CTL) of polyvinylcarbazol (PVCz) by spin coating, are studied in this paper. Electrochemical deposition of CGL was accompanied by an increase in work function of the aluminium substrate during the processes and the enhanced work function 5.3 eV rose above the ionization potential 5.16 eV of $\varepsilon$-CuPc. This resulted in the increased injection of holes from substrate into CGL and a fast dark decay rate. Improved photoreceptor, an electron-transport $\varepsilon$-CuPc/TNF photoreceptor, led to lowing of dark decay rate and increasing of photosensitivity. The carrier generation efficiency (ηg), carrier injection efficiency (ηi) and xerographic gain (G) of the $\varepsilon$-CuPc/TNF photoreceptor were obtained by XTOF method and PIDC.
가시부 영역에서 산화아연을 광증감시키기 위해 copper phthalocyanine(CuPc)과 sunfast yellow(SY)를 산화아연 분말에 이층 흡착시켰다. 산화아연에 대한 CuPc의 흡착상태를 알기 위하여 ZnO/CuPc의 광음향, IR 및 라만 스펙트럼을 측정한 결과, CuPc는 $\alpha$형 및 $\beta$형의 결정 특성을 유지한 이합체 또는 분자들의 집합체 상태로 산화아연에 흡착된다는 것을 알았다. 산화아연에 CuPc 및 SY를 순차적으로 이층 흡착시킨계(ZnO/CuPc/SY)는 SY를 먼저 흡착시킨 ZnO/SY/CuPc계보다 광기전력이 높게 나타났고, $ZnO/\beta-CuPc/SY$는 $ZnO/\alpha-CuPc/SY$보다 광기전력이 높게 나타났다. $ZnO/\beta-CuPc/SY$의 전자사진 감도를 측정하였더니 630 nm에서 $$S_{1/2}=2.99{\times}10^{-2}(erg/cm^2)^{-1}$ 이었다.
감광성 고분자를 감지막 재료로 한 FET(Field Effect Transistor)형 $CO_2$센서를 사진식각법으로 제작하였다. 즉, 바탕소자인 pH-ISFET gate 위에 먼저 Ag/AgCl 기준전극을 형성한 후, 수화젤(hydrogel)막 및 기체투과막의 순서로 감지막을 사진식각법으로 형성하였다. 광가교형 감광성 고분자 polyvinyl alcohol 또는 poly(vinyl pyrrolidinone-co-vinyl acetate)를 감지막의 재료로 할 경우에는 사진식각법으로 용매를 포함하는 일정두께의 수화젤막을 형성하는 것이 어려운 것으로 판단되었다. 광중합 감광성 고분자로서 2-hydroxy methacrylate, acrylamide 단량체를 수화젤막 재료로, polyurethane acrylate oligomer를 기체투과막의 재료로써 사용할 경우 사진식각법으로 용이하게 막의 형성이 가능하였고, 제조된 FET형 $CO_2$ sensor는 $CO_2$농도 $10^{-3}{\sim}10^0mole/{\ell}$에서 좋은 직선성을 나타내었다.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 격벽(barrier rib)은 일정한 선폭과 높이를 가져 균일한 방전 공간을 제공하고, 인접한 셀 간의 전기적, 광학적 혼선(crosstalk)을 방지하기 위해 PDP의 하부 유리 기판 패널에 들어가는 구조물이다. 본 연구에서는 사진식각(photolithography)법으로 격벽을 형성하는데 필요한 감광성 격벽 페이스트가 제조되었다. 페이스트는 바인더 고분자인 에틸셀룰로오즈를 BC/BCA = 30/70 wt %인 혼합 용매에 15 wt %로 용해한 다음 관능성 단량체로서TPGDA/PETA = 50/50 wt % 혼합물, 광개시제로서 Irgacur 651 및 격벽 분말을 도입한 다음 전체를 균일하게 분산시켜 제조하였다. 감광성 격벽 페이스트의 각 성분, 조성 및 공정을 최적화하여 소성 후 높이 약 $100{\mu}m$ 에 이르는 PDP용 격벽을 고해상도로 사진식각법으로 얻을 수 있었다.
마이크로 연소실을 장착한 MAV 추진 장치용 단기통 MEMS 엔진을 제작하였다. 본연구에서는 MEMS 크기의 왕복운동 내연기관의 타당성을 검증하고 실용화를 위한 설계 및 가공데이터를 축적하고자 하였다. 엔진 블록은 가공의 정밀도와 내열성등을 고려하여 감광유리 웨이퍼를 사용하였으며, 점화 전극은 베이스 플레이트 위에 니켈 도금으로 제작하였다. 감광유리판은 등방성 에칭의 특성이 탁월하여 마이크로 엔진의 실린더와 피스톤과 같이 비교적 깊은 식각이 가능함을 확인하였다. 전체 엔진은 세 개의 별도 가공된 레이어를 접착하여 조립한다. 본연구의 엔진 연소실은 깊이는 1mn, 폭 2mn이며, 피스턴은 수소-공기 예 혼합 가스의 연소압력에 의하여 구동된다. 가공된 엔진의 연소실험을 통하여, 점화, 화염전파 및 피스턴 구동을 확인하였으며, 실용화를 위한 연구가 요구되고 있다.
LCD용 칼라 필터를 제작하는 방법으로 감광성 고분자(photosensitive polymer)에 광 리소그라피(photolithography)기술이 많이 이용되어지고 있다. 이로 인해 감광성 고분자 표 면의 물리적, 화학적 성질이 변하게 되는데, 이는 후속 공정인 플라즈마 식각이나 ITO 전극 의 증착 등에도 많은 영향을 주므로, 각 공정에 따른 이들 고분자의 표면 연구는 매우 중요 하다. 본 논문에서는 blue 칼라 필터의 고분자 표면에 대한 연구를 SIMS와 XPS를 이용하 여 수행하였으며, 표면의 거칠기 변화를 AFM을 통해 관찰하였다. SIMS와 XPS결과로부터 초기 공정인 blue 칼라 필터를 스핀 코팅하고 pre bake한 상태에서는 주로 칼라 필터의 주 성분인 단량체와 결합제의 고분자 물질이 표면에 드러나 있다가, 노광 과정을 거치고 post bake한 시료에서는 색깔을 내는 안료 성분이 표면에 드러남을 확인하였고, AFM을 통해서 는 post bake후에 표면에 더 거칠어 짐을 관찰하였다.
소자의 집적화에 필수적인 소자 분리공정에서 화학약품의 오염 문제등을 발생시키는 화학적 기계연마기술(CMP) 공정을 사용하지 않고 벌크 finFET(fin field effect transistor) 의 트랜치 구조를 형성할 수 있는 공정에 대하여 제안하였다. 사진 감광막 도포시 발생하는 두께차이와 희생층으로 사용되는 실리콘 질화막을 사용하면 에칭 공정만을 사용하여 상대적으로 표면 위로 돌출된 부분의 실리콘 산화막 층을 에칭하는 것은 물론 finFET 의 채널로 사용되는 실리콘 트랜치 구조를 한번에 형성할 수 있는 특징을 갖는다. 본 연구에서는 AZ1512 사진 감광막을 사용하여 50 나노미터급 실리콘 트랜치 구조를 형성하는 공정을 수행하였으며 그 결과를 소개한다.
금속 나노구조체에서의 localized surface plasmon resonance와 surface-enhanced Raman scattering 현상은 센서를 비롯한 다양한 응용분야를 가지고 있다. 나노구조체 array 형성을 위한 대표적인 top-down 방식인 e-beam lithography 공정은 제조비용이 매우 높고 대량생산 및 대면적화에도 한계가 있기에 polystyrene(PS) bead의 self-assembly를 이용한 nanosphere lithography와 같은 bottom-up 방식이 폭넓게 연구되고 있다. Closed-packing된 PS bead의 monolayer를 얻기 위해서는 기판의 친수성 처리가 필요한데, 기존의 많은 연구에서는 기판의 표면개질에 화학적 공정을 이용하고 있다. 하지만 이는 기판 선택의 자유도를 떨어뜨리는 원인이 된다. 금속이나 실리콘 기판에서는 산성 용액을 이용한 화학적 처리방법을 적용할 수 있지만 SU-8과 같은 감광액 및 폴리머 기판에서는 산에 대한 내구성이 떨어져 화학적 공정의 도입이 불가능 하기 때문이다. 본 연구에서는 이러한 한계점을 극복하기 위해 $UV-O_3$ 공정으로 친수성 처리된 다양한 기판에서 spin coating을 통한 PS monolayer를 제조하였는데, UV 램프의 에너지 조절을 통해 기판에 붙어있는 유기물들을 효과적으로 제거할 수 있었고 $O_3$ 생성 및 분해 과정에서 기판 표면에 친수성 화학 작용기를 생성시킬 수 있었다. 제조된 PS layer를 mask로 사용하여 Ag, Al, Au 등 다양한 나노구조체 array를 형성하여 array 주기에 따른 플라즈몬 공명 특성을 분석하였다. 레이저 조사로 나노구조체의 형상을 변화시킴으로써 동일한 물질과 주기를 가진 array에서도 플라즈몬 특성의 변조가 가능함을 확인하였는데, 이는 금속 나노구조체의 응용측면에서 매우 고무적인 발견이다.
본 연구에서는 sodium 2-diazo-1-naphthoquinone-5-sulfonate를 chlorination하여 2-diazo-naphthoquinone-5-sulfonyl chloride(NQD-Cl)를 합성하였다. NQD-Cl을 여러 종류의 hydroxybenzophenone 유도체와 esterification하여 hydroxy group이 2-diazo-naphthoquinone-5-sulfonyl(NQD) group으로 치환된 여러 종류의 1,2-naphthoquinone-(1,2)-diazide-5-sulfonic acid esters(NQD0ester) 유도체를 합성하였다. NQD-ester 유도체의 용해도를 증가시키기 위해 methoxy group이 도입된 유도체와 이와 비교를 위해 hydroxy group만을 가지는 benzophenone 유도체를 사용하여 비교하였다. 각각의 NQD-ester 유도체의 용해특성을 조사하였으며, novolac수지와 혼용(formulation)하여 감광액을 제조하여 알루미늄판에 도포, 건조하여 PS판을 제조하였다. PS판의 감광특성과 광퇴색도와 화상형성에 적합한 노광시간을 조사하였으며, 상대감도를 gray scale(GS)법으로 조사하였다. 치환된 NQD group 의 수에 따라 GS법에 의한 상대감도가 다르게 나타나는 것을 알 수 있었다. Methoxy group이 도입된 NQD-ester유도체는 좋은 용해특성을 보여주었으며 시판되는 PS판과 동일한 노광조건에서 비교해 본 결과 보다 우수한 감도를 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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