• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권1호
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• pp.11-15
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• 2011

In this study, $ZnGa_2O_4$ phosphors in its application to field emission displays and electroluminescence were synthesized through the precipitation method and $Mn^{2+}$ ions. A green luminescence activator, $Cr^{3+}$ ions, and a red luminescence activator were separately doped into $ZnGa_2O_4$, which was then screen printed to an indium tin oxide substrate. The thick films of the $ZnGa_2O_4$ were deposited with the various thicknesses using nano-sized powder. The best luminescence characteristics were shown at a thickness of 60 ${\mu}m$. Additionally, green-emission $ZnGa_2O_4:Mn^{2+}$ and red-emission $ZnGa_2O_4:Cr^{3+}$ phosphor thick films, which have superior characteristics, were manufactured through the screen-printing method. These results indicate that $ZnGa_2O_4$ phosphors prepared through the precipitation method have wide application as phosphor of the full color emission.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.775-779
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• 2006

In this study, sputtered $Al_2O_3$ thin films were evaluated as a passivation layer in the process of InGaN-based blue LEDs in order to improve the brightness of LED lamps. In terms of packaged LED lamps, lamps with $Al_2O_3$ passivation layer emanated higher brightness than those with $SiO_2$ passivation layer, and LED lamps with 90 nm $Al_2O_3$ passivation layer were the brightest among four kinds of lamps. Although lamps with $Al_2O_3$ passivation had a slight increase in operating voltage, their brightness was improved about 13.6 % compare to the lamps made of conventional LEDs without the changes of emitting wavelength.

• 한국재료학회지
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• 제22권11호
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• pp.575-580
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• 2012

The purpose of this study is to investigate the crystalline structure and optical properties of (GaZn)(NO) powders prepared by solid-state reaction between GaOOH and ZnO mixture under $NH_3$ gas flow. While ammoniation of the GaOOH and ZnO mixture successfully produces the single phase of (GaZn)(NO) solid solution within a GaOOH rich composition of under 50 mol% of ZnO content, this process also produces a powder with coexisting (GaZn)(NO) and ZnO in a ZnO rich composition over 50 mol%. The GaOOH in the starting material was phase-transformed to ${\alpha}$-, ${\beta}-Ga_2O_3$ in the $NH_3$ environment; it was then reacted with ZnO to produce $ZnGa_2O_4$. Finally, the exchange reaction between nitrogen and oxygen atoms at the $ZnGa_2O_4$ powder surface forms a (GaZn)(NO) solid solution. Photoluminescence spectra from the (GaZn)(NO) solid solution consisted of oxygen-related red-emission bands and yellow-, green- and blue-emission bands from the Zn acceptor energy levels in the energy bandgap of the (GaZn)(NO) solid solutions.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.511-516
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• 2021

AlGaN/GaN 반도체 위에 금속이 접합된 HEMT와 SiO₂와 NiO를 게이트 층간막으로 갖는 MOSHFET를 제작하고 NiO 박막에 따른 효과와 특성변화의 원인을 연구하였다. HEMT 구조에서 보인 -3.79 V의 문턱전압은 SiO₂를 층간막으로 했을 때 - 5.52 V로 -1.73 V의 음방향 변화를, NiO를 층간막으로 했을 때 -2.76 V로 +1.03 V의 양방향 변화를 나타냈다. 또 NiO MOSFET의 경우 선형성이 증가하여 넓은 범위에 걸쳐 균일한 트랜스컨덕턴스 특성을 나타냈으며 0 V 이상의 게이트 전압에서는 HEMT와 SiO₂ MOSHFET보다 더 높은 값을 보였다. 게이트에 입력된 펄스신호가 -5 V~0 V로 스윙할 때 HEMT의 포화 드레인 전류는 0.1 Hz~10 Hz의 주파수에서 20%의 감소를 보인 뒤 그 값을 유지하였으나, NiO MOSHFET은 10 Hz에서부터 지속적으로 감소하여 서로 다른 응답특성을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.462-462
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• 2013

Gallium Oxide (Ga2O3) has been widely investigated for the optoelectronic applications due to its wide bandgap and the optical transparency. Recently, with the development of fabrication techniques in nanometer scale semiconductor materials, there have been an increasing number of extensive reports on the synthesis and characterization of Ga2O3 nano-structures such as nano-wires, nanobelts, and nano-dots. In contrast to typical vaporliquid-solid growth mode with metal catalysts to synthesis 1-dimensional nano-wires, there are several difficulties in fabricating the nanostructures by using sputtering techniques. This is attributed to the fact that relatively low growth temperatures and higher growth rate compared with chemical vapor deposition method. In this study, Ga2O3 chestnut burr were synthesized by using radio-frequency magnetron sputtering method. In contrast to typical sputtering method with sintered ceramic target, a Ga2O3 powder (99.99% purity) was used as a sputtering target. Several samples were prepared with varying the growth parameters, especially he growth time and the growth temperature to investigate the growth mechanism. Samples were characterized by using XRD, SEM, and PL measurements. In this presentation, the details of fabrication process and physical properties of Ga2O3 nano chestnut burr will be reported.

• 한국작물학회지
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• 제22권1호
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• pp.45-51
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• 1977

본 연구는 인삼종자의 휴면타파 및 발아에 미치는 GA$_3$, Ethrel 몇 $H_2O$$_2$의 영향을 알기 위하여 실시하였는 바 GA$_3$는 배의 생장과 종자의 개갑비율을 높이는데 효과적이었다. GA$_3$ 처리는 인삼종자의 발아율을 높이고 발아기간을 단축시키는데도 효과가 있었다. 그러나 Ethrel과 $H_2O$$_2$처리는 발아에 영향을 미치지 못했으며 GA$_3$의 처리농도간에도 차이가 없었다. 본 실험결과에 의하면 인삼종자의 발아속도가 늦은 것은 배의 영향보다는 배유 또는 종피의 영향을 더 크게 받는 것으로 생각되었다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제46권3호
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• pp.1-5
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• 2009

고전력, 고온에서 사용되는 소자에서 RuO2는 다른 전극 물질에 비해 많은 장점을 가지고 있으며, 특히 GaN를 이용하는 소자의 전극물질로서 매우 우수한 특성을 갖음을 확인할 수 있었다. RuO2을 이용한 GaN 소자의 제작은 새로운 전기화학 금속증착법을 통하여 금속배선을 형성하였으며, 과염소산(HClO4)용액을 수용액 사용하였다. RuO2의 두께는 인가전압과 시간에 의존하며, 두께를 조절함으로서 정류성 및 비정류성 소자의 전극으로의 사용 가능성을 확인할 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.104-109
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• 2024

본 연구에서는 다양한 가스 분위기에서 후열처리를 진행한 후 Ga₂O₃/SiC 이종접합 다이오드의 깊은 준위 결함 변화를 Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS) 기법으로 분석하여 깊은 준위 결함의 변화가 Ga₂O₃/SiC 이종접합 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 또한, J-V 측정 및 Hall 측정을 통한 전기적 특성 분석을 실시하였고, N₂ 분위기에서 열처리된 소자에서 3.06 × 10^-2 A/cm²로 가장 높은 on-state current가 측정되었으며, carrier concentration은 3.8 × 10¹⁴ cm^-3로 증가하는 것이 관측되었다. 이는 후열처리 분위기에 따른 깊은 준위 결함의 변화가 전기적 특성에 영향을 미칠 수 있음을 시사한다.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권2호
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• pp.73-77
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• 2021

RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의해 Ga-doped ZnO 박막이 O2 및 Ar 분위기 하에서 증착 조건에 따라 합성되었으며, N2 분위기에서, 600℃에서 급속열처리(RTA)를 실시하였다. 증착된 ZnO : Ga 박막에 대해 두께를 측정하였고, XRD 패턴 분석에 의해 결정상을 조사하였으며, FE-SEM, AFM 이미지에 의해 박막의 미세구조를 관찰하였다. O2 및 Ar 분위기 기체 종류별로 형성된 박막들의 증착 조건에 따라 X-선 회절 패턴의 (002)면의 세기는 상당한 차이를 나타냈다. O2 조건에서는 Ga doping이 이루어진 단일 박막의 경우에서는 강한 세기의 회절피크가 관찰되었다. O2 및 Ar 조건에서는 Ga doping이 이루어진 다층박막의 경우에서는 다소 약한 세기의 (002) 면의 피크만을 나타내었다. FE-SEM image에서는 박막의 표면입자의 크기는 두께가 증가함에 따라 입자크기가 다소 증가하는 것으로 관찰되었다. O2 및 Ar 분위기 조건 하에서, Ga doping이 이루어진 다층박막의 경우에서는, 비저항은 6.4 × 10-4Ω·cm을 나타냈고, O2 분위기 조건하에서, Ga doping이 이루어진 단일 박막의 경우에서는 저항값이 감소하였고, Ga-doped ZnO 박막의 두께가 2 ㎛로 증가하면서 저항이 감소하였으며, 1.0 × 10-3 Ω·cm의 비교적 낮은 비저항 값을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.291.2-291.2
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• 2013

Growth behavior of b-Ga2O3 nanowires (NWs) on sapphire(0001) substrates during radio-frequency magnetron sputtering is reported. Upon fabrication, flat thin films grew initially, subsequent to which, NW bundles were formed on the surface of thin film with increasing film thickness. This transition of the growth mode occurred only at temperatures greater than ${\sim}450^{\circ}C$. The b-Ga2O3 NWs were grown through the self-catalytic vapor-liquid-solid mechanism with self-assembled Ga seeds. Secondary growth of NWs, which occurred from the sides of primary NWs resulting in branched NW structures, was also observed. Finally, the room temperature photoluminescence properties of as-grown and annealed b-Ga2O3 NW samples were investigated.