Kim, Hyun Woo;Lee, Eunsook;Kim, D.H.;Seong, Seungho;Kang, J.-S.;Moon, S.Y.;Shin, Yuju
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.25
no.5
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pp.156-161
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2015
The electronic structures of the potential candidate semiconductor nanoparticles for dye-sensitized solar cell (DSSC), such as $ZnSnO_3$ and $Zn_2SnO_4$, have been investigated by employing X-ray photoemission spectroscopy (XPS). The measured X-ray diffraction patterns show that $ZnSnO_3$ and $Zn_2SnO_4$ samples have the single-phase ilmenite-type structure and the inverse spinel structure, respectively. The measured Zn 2p and Sn 3d core-level XPS spectra reveal that the valence states of Zn and Sn ions are divalent (Zn 2+) and tetravalent (Sn 4+), respectively, in both $ZnSnO_3$ and $Zn_2SnO_4$. On the other hand, the shallow core-level measurements show that the binding energies of Sn 4d and Zn 3d core levels in $ZnSnO_3$ are lower than those in $Zn_2SnO_4$. This work provides the information on the valence states of Zn and Sn ions and their chemical bonding in $ZnSnO_3$ and $Zn_2SnO_4$.
본 실험은 목적은 CRT(Cathode Ray Tube)용 청색 형광체인 ZnS:Ag 분말 표면에 액상법으로 SnO$_2$를 균일하게 코팅하는 공정조건을 연구하는 것이다. 용매로서 물을 사용하고, Sn의 공급물질로서 SnCl$_4$.4$H_2O$, 침전 촉매로서 CO(NH$_2$)$_2$를 각각 사용하여, 균일 침전 방법으로 ZnS:Ag 분말표면에 SnO$_2$를 코팅할 수 있었다. 초기에 첨가되는 SnCl$_4$.4$H_2O$의 량이 Sn/Zn의 몰비기준으로 0.017인 경우에 ZnS:Ag 분말표면에 Sn(OH)$_4$가 균일하게 코팅되지만, 그 이상 첨가되면 과량의 Sn(OH)$_4$가 입자들 사이에 응집되었다. 코팅된 Sn(OH)$_4$는 비정질 구조로 규명되었으며, 이를 SnO$_2$결정상으로 전이시키기 위하여 300~$700^{\circ}C$ 범위 내에서 열처리를 행하였다. 비정질 Sn(OH)$_4$는 20$0^{\circ}C$이하에서 탈수되었고 45$0^{\circ}C$부터 SnO$_2$로 결정화되기 시작하였다. 순수한 ZnS의 경우, 50$0^{\circ}C$이하에서는 상변화가 없으나, $600^{\circ}C$에서 일부 산화되었으며 $700^{\circ}C$에서는 완전히 ZnO로 산화되므로, ZnS의 산화방지 및 SnO$_2$의 결정화를 동시에 만족하는 최고 열처리온도는 50$0^{\circ}C$로 규명되었다. 그러나 ZnS에 SnO$_2$가 코팅된 시편의 경우에는 $600^{\circ}C$가 되어도 ZnS 상이 거의 산화되지 않았고, $700^{\circ}C$에서도 ZnS와 ZnO 상이 공존한 것으로 보아 SnO$_2$코팅이 ZnS의 산화를 억제하는 것으로 나타났다.
The formations of spinel and colors of ZnO-Fe2O3-TiO2-SnO2 system have been researched on the basis of ZnO-Fe2O3 system. Specimens were prepared by substituting Fe3+, with Ti4+ or Sn4+ when mole ratios between Fe3+ and Ti4+ or between Fe3+ and Sn4+ were 0.2 mole. The reflectance measurement and X-ray diffraction analysis of the formation of spinel and the colors of there specimens were carried out. ZnO-Fe2O3 system in which Fe2O3 was substituted with SnO2 and TiO2 was formed the spinel structure of 2ZnO.TiO2, 2ZnO.SnO2, ZnO.Fe2O3. The stable stains which were colored with yellow and brown could be manufactured.
For the purpose researching to the influence of tetrahedral and octahedral preference of cations of $Ni^{2+}$, $Ti^{4+}$ upon the formation and the color development of the $ZnO-SnO_2$ spinel containing $Ni^{2+}$ and $Ti^{4+}$ ions, the gradual substitution of $Ni^{2+}$ ions for $Zn^{2+}$ ions and of $Ti^{4+}$ ions for $Sn^{4+}$ ions of the spinel in NiO-ZnO-$SnO_2$-$TiO_2$ system was carried out. On samples prepared by calcining the oxide and basic cabonate mixtures at $1300^{\circ}C$ for 2 hours, the X-ray analysis, measurement of reflectance and the test of their stabilaity as a glaze pigment were also carried out. The results are summarized as follows 1) Single spinel was formed completely to x=1 in the $xNiO\cdot(2-x)ZnO\cdot{SnO}_2$system, and gave brilliant lightgreen hue. Moreover, $NiO\cdot{ZnO}\cdot{SnO}_2$ formed easily spinel than $NiO\cdot{MgO}\cdot{SnO}_2$ because Zn^{2+}$ ions had more strong tetrahedral preference than $Mg^{2+}$ ions. 2) As the gradual substitution of $Ti^{4+}$ ions for $Sn^{4+}$ ions in $NiO\cdot{MgO}\cdot{SnO}_2$ system, the spinels formed well and was nearly not changed in the hue. 3) The results of glaze test. (1) As the gradual substitution of $Ni^{2+}$ ions for $Zn^{2+}$ ions, the color changed from dull white to graish broun gradually in calcium-zinc glaze and calcium glaze, and from white to beige in tile glaze. (2) As the gradual substitution of $Ti^{4+}$ ions for $Sn^{4+}$ ions in $NiO-ZnO-SnO_2-TiO_2$ system, the color was become dull generally and was not change in tile glaze.
In the present research, a simple electrochemical sensor based on a carbon paste electrode (CPE) modified with ZnO-Zn2SnO4-SnO2 and graphene (ZnO-Zn2SnO4-SnO2/Gr/CPE) was developed for the direct, simultaneous and individual electrochemical measurement of Acetaminophen (AC), Caffeine (Caf) and Ascorbic acid (AA). The synthesized nano-materials were investigated using scanning electron microscopy, X-ray Diffraction, Fourier-transform infrared spectroscopy, and electrochemical impedance spectroscopy techniques. Cyclic voltammetry and differential pulse voltammetry were applied for electrochemical investigation ZnO-Zn2SnO4-SnO2/Gr/CPE, and the impact of scan rate and the concentration of H+ on the electrode's responses were investigated. The voltammograms showed a linear relationship between the response of the electrode for individual oxidation of AA, AC and, Caf in the range of 0.021-120, 0.018-85.3, and 0.02-97.51 μM with the detection limit of 8.94, 6.66 and 7.09 nM (S/N = 3), respectively. Also, the amperometric technique was applied for the measuring of the target molecules in the range of 0.013-16, 0.008-12 and, 0.01-14 μM for AA, AC and, Caf with the detection limit of 6.28, 3.64 and 3.85 nM, respectively. Besides, the ZnO-Zn2SnO4-SnO2/Gr/CPE shows an excellent selectivity, stability, repeatability, and reproducibility for the determination of AA, AC and, Caf. Finally, the proposed sensor was successfully used to show the amount of AA, AC and, Caf in urine, blood serum samples with recoveries ranging between 95.8% and 104.06%.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.4
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pp.304-308
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2012
Transparent thin film transistors (TTFT) were fabricated using the rf magnetron sputtered ZnO-$SnO_2$ films as active layers. A ceramic target whose Zn atomic ratio to Sn is 2:1 was employed for the deposition of ZnO-$SnO_2$ films. To study the post-annealing effects on the properties of TTFT, ZnO-$SnO_2$ films were annealed at $200^{\circ}C$ or $400^{\circ}C$ for 5 min before In deposition for source and drain electrodes. Oxygen was added into chamber during sputtering to raise the resistivity of ZnO-$SnO_2$ films. The effects of oxygen addition on the properties of TTFT were also investigated. 100 nm $Si_3N_4$ film grown on 100 nm $SiO_2$ film was used as gate dielectrics. The mobility, $I_{on}/I_{off}$, interface state density etc. were obtained from the transfer characteristics of ZnO-$SnO_2$ TTFTs.
The important factors in sensors are sensitivity, selectivity, and response time. Oxide semiconductors are high sensitivity, fast response and the advantage of miniaturization. Zn-doped $SnO_2$ materials have been synthesized in order to improve the selectivity of the sensor. ZnO/$SnO_2$ crystals were prepared by a simple hydrothermal process and ultrasound pretreated hydrothermal process. ZnO/$SnO_2$ urchins were fabricated in the precursor solution with [$Zn^{2+}$]:[$Sn^{4+}$] ratio of 1:5 and rod structures were fabricated ratio of 1:1 and 1:3. Surface area ratio was increased by increasing the ratio of [$Sn^{4+}$]. The sensitivity of sensors were highest at the [$Zn^{2+}$]:[$Sn^{4+}$] ratio of 1:5 in ethanol, acetaldehyde, toluene, and nitric oxide.
Lim, Young Rok;Lim, SooA;Park, Jeunghee;Cho, Won Il;Lim, Sang Hoo;Cha, Eun Hee
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.18
no.4
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pp.161-171
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2015
High-yield zinc germanium oxide ($Zn_2GeO_4$) and zinc tin oxide ($Zn_2SnO_4$) nanowires were synthesized using a hydrothermal method. We investigated the electrochemical properties of these $Zn_2GeO_4$ and $Zn_2SnO_4$ nanowires as anode materials of lithium ion battery and sodium ion battery. The $Zn_2GeO_4$ and $Zn_2SnO_4$ nanowires showed excellent cycling performance of the lithium ion battery, with a maximum capacity of 1021 mAh/g and 692 mAh/g after 50 cycles, respectively, with a high Coulomb efficiency of 98 %. For the first time, we examined the cycling performance of $Zn_2GeO_4$ and $Zn_2SnO_4$ nanowires for sodium ion batteries. The maximum capacity is 168 mAh/g and 200 mAh/g after 50 cycles, respectively, with a high Coulomb efficiency of 97%. These nanowires are expected as promising electrode materials for the development of high-performance lithium ion batteries as well as sodium ion batteries.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.21
no.4
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pp.164-168
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2011
Etch selectivities of mask materials to ZnO and $SnO_2$ films were studied in $BCl_3$/Ar and $CF_4$/Ar inductively coupled plasmas for fabrication of nanostructure-based gas sensing layer with high aspect ratios. In $25BCl_3$/10Ar ICP discharges, selectivities of 5.1~6.1 were obtained for ZnO over Ni while no practical selectivity was obtained for ZnO over Al. High selectivities of 7 ~ 17 for ZnO over Ni were produced in $25CF_4$/10Ar mixtures. $SnO_2$ showed much higher etch rates than Ni and a maximum selectivity of 67 was observed for $SnO_2$ over Ni.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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