• 태양에너지
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• 제11권3호
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• pp.74-83
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• 1991

본 논문은 substrate의 온도를 $200{\pm}1^{\circ}C$ 정도로 유지하며 진공저항 가열 증착법을 이용하여 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지와 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막을 제작한 후 그 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 제작한 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지와(n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막에 대하여 $100[mW/cm^2]$의 광조사 하에서 특성을 조사한바 다음과 같은 결과를 얻었다. 단략전류$[mA/cm^2]$ (p)ZnTe/(n)Si:28 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:6.5 개방전압[mV] (p)ZnTe/(n)Si:450 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:250 충실도, FF (p)ZnTe/(n)Si:0.65 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:0.27 변환효율[%] (p)ZnTe/(n)Si:8.19 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:2.3 제작된 박막은 열처리에 의해 성능이 향상되지만 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지는 약 $470^{\circ}C$ 이상의 온도와 15분 이상의 열처리 시간에서 그리고 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막은 약 $580^{\circ}C$ 이상의 온도와 15분 이상의 열처리 시간에서는 박막의 각종 구조결함으로 인한 감소현상을 나타내었다. 열처리 온도의 증가에 따라 박막의 표면저항은 감소하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제49권5호
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• pp.996-1005
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• 2017

In this paper, nuclear data for cross sections of the $^{64}Zn(n,2n)^{63}Zn$, $^{64}Zn(n,3n)^{62}Zn$, $^{64}Zn(n,p)^{64}Cu$, $^{66}Zn(n,2n)^{65}Zn$, $^{66}Zn(n,p)^{66}Cu$, $^{67}Zn(n,p)^{67}Cu$, $^{68}Zn(n,p)^{68}Cu$, and $^{68}Zn(n,{\alpha})^{65}Ni$ reactions were studied for neutron energies up to 40 MeV. In the nuclear model calculations, TALYS 1.6, ALICE/ASH, and EMPIRE 3.2 codes were used. Furthermore, the nuclear data for the (n,2n) and (n,p) reaction channels were also calculated using various cross-section systematics at energies around 14-15 MeV. The code calculations were analyzed and obtained using the different level densities in the exciton model and the geometry-dependent hybrid model. The results obtained from the excitation function calculations are discussed and compared with literature experimental data, ENDF/B-VII.1, and the TENDL-2015 evaluated data.

• 한국결정학회지
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• 제10권2호
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• pp.119-124
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• 1999

X-선 회절법을 이용하여 3,6-bis(6'-methyl-2'pyridyl)pyridazine을 리간드로 한 Zn(Ⅱ) 착물인 [3,6-bis(6'-methyl-2'pyridyl)pyridazine]ZnCl2 (C16H16N4·ZnCl2)의 결정구조를 규명하였다. 이 결정의 결정계는 Monoclinic이며 공간군은 P21/a이다. 단위포 상수는 a=15.053(7) Å, b=14.594(7) Å, c=7.628(3) Å이며, β=93.92(4)°, V=1671.9(13) Å3, T=293(2)K, Z=4, Dc=1.594 Mgm-3이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 diffractometer로 얻었으며 Mo Kα선(λ=0.71073 Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며, Fo>4σ (Fo)인 1750개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소승자법으로 정밀화하여 최종 신뢰도 값 R=8.31%을 얻었다.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.78-82
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• 2004

벤젠 존재 하에서, DMF와 에탄올의 혼합 용매에서 zinc(II) nitrate $(Zn(NO_3)_2\;{\cdot}\;6H_2O)$와 $ATP(2-aminoterephthalate,\;H_2N-C_6H_3-1,4-(COO)_2)$의 용매열 반응으로 2차원 배위 고분자 [Zn(ATP) (DMF)] (1)이 얻어졌다 X-ray구조 결정 결과, 2개의 아연 금속과 4개의 ATP 리간드가 paddle-wheel유형의 2차 쌓음 단위들을 형성하고, 이것들은 ATP 리간드에 의해서 연결되어 2차원 4각 망을 이룬다는 것이 밝혀졌다. 아연 금속을 기준으로 각 4각형의 크기는 약$11.1\times11.1\;{\AA}$효이다. 고분자 1을 양질의 결정 상태로 얻기 위해서는 벤젠이 요구되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권6호
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• pp.372-375
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• 2017

ZnO thin films were deposited by RF magnetron sputtering and then diffused by using an As source in the ampouletube. Also, the ZnO p-n homojunction was made by using As-doped ZnO thin films, and its properties were analyzed. After the As doping, the surface roughness increased, the crystal quality deteriorated, and the full width at half maximum was increased. The As-doped ZnO thin films showed typical p-type properties, and their resistivity was as low as $2.19{\times}10^{-3}{\Omega}cm$, probably because of the in-diffusion from an external As source and out-diffusion from the GaAs substrate. Also, the ZnO p-n junction displayed the typical rectification properties of a p-n junction. Therefore, the As diffusion method is effective for obtaining ZnO films with p-type properties.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권11호
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• pp.1849-1852
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• 2005

• 한국결정성장학회지
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• 제10권4호
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• pp.318-323
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• 2000

수화된 아연에 알킬술폰이 층간 삽입된 화합물을 합성하였다. 고온 X-선 회절 데이타와 적외선 스펙트럼, 그리고 분자의 크기로 부터 층간 삽입된 알킬술폰의 공간배열의 온도 의존성을 확인하였다. 온도 구간 1에서는 ${Zn(H_2O_6]^{2+}[C_nH_{2n+1}SO_3]_2\;^-$구조를 가지며 여섯 개로 수화된 아연층에 알킬술폰이 $32.9^{\circ}$로 경사진 이중층 구조를 가짐을 확인하였다. 온도구간 2에서는 ${Zn(H_2O_4]^{2+}[C_nH_{2n+1}SO_3]_2\;^-$구조를 가지며 네개로 수화된 아연층에 알킬술폰이 $55.2^{\circ}$로 경사진 이중층 구조를 가짐을 확인하였다. 온도 구간 3에서는 알킬술폰이 아연금속에 직접 결합된 ${Zn(C_nH_{2n+1}SO_3)_2$구조를 가지고 있으며 $76.5^{\circ}$의 큰 경사각을 유지하면서 이중층 구조를 가짐을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권6호
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• pp.892-898
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• 2005

A long, bis(monodentate), linking Schiff-base ligand L (py-CH=N-$C_6H_4$-N=CH-py) was prepared from 1,4-phenylenediamine and 3-pyridinecarboxaldehyde by the Schiff-base condensation. Ligand L has two terminal pyridyl groups capable of coordinating to metals through their nitrogen atoms. In contrast, the same reaction between 1,2-phenylenediamine and 3-pyridinecarboxaldehyde produced a mixture of imidazol isomers (2-pyridin-3-yl-1H-benzoimidazole), which are connected to one another by the N-H…N hydrogen bonding to form a tetramer. From Zn($NO_3)_2{\cdot}6H_2O$ and ligand L under various conditions, one discrete molecule, trans- [Zn($H_2O)_4L_2]{\cdot}(NO_3)_2{\cdot}(MeOH)_2$, and two 1-D zinc polymers, [Zn$(NO_3)(H_2O)_2(L)]{\cdot}(NO_3){\cdot}(H_2O)_2$ and [Zn(L) (OBC)($H_2O$)], were prepared. In ligand L, the N$\ldots$N separation between the terminal pyridyl groups is 13.994 $\AA$, with their nitrogen atoms at the meta positions (3,3’) in a trans manner. The corresponding N$\ldots$N separations in its compounds range from 13.853 to 14.754 $\AA$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.41.1-41.1
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• 2011

본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판위에 u-GaN를 성장한 후 Mg을 도핑시켜 p-GaN를 성장하고, RF 스퍼터를 이용하여 n-ZnO를 도포하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합을 형성한 후 진공증착기를 이용하여 Au/Ni를 증착시켜 발광다이오드(LED)를 제작하고 전기 광학적 특성을 조사하였다. 두께가 500 nm인 u-GaN 위에 성장된 p-GaN의 운반자 농도는 $1.68{\times}10^{17}\;cm^{-3}$ 이었다. 그리고 150, 300 nm 두께의 p-GaN에 대하여 측정된 DXRD 반치폭은 각각 450 arcsec, 396 arcsec 이었고, 상온에서 2.8~3.0 eV 영역에서 Mg 억셉터와 관련된 광루미네센스가 검출되었다. RF 스퍼터링에 의해 0.7 nm/min의 속도로 증착된 n-ZnO 박막은 증착 두께에 따라 비저항이 27.7 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 에서 6.85 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 까지 감소하였다. 그리고 n-ZnO 박막은 (0002)면으로 우선 배향되었으며, 상온에서 에너지갭 관련된 광루미네센스가 3.25 eV 부근에서 주되게 검출되었다. n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전류전압 특성곡선은 다이오드 방정식에 만족하는 특성을 나타내었다. 다이오드 지수는 3 V 이하 영역에서 1.64, 3~5 V 영역에서 0.85이었다. 그리고 5 V 이상 영역에서 공간전하의 제한을 받았으며, 다이오드 지수는 3.36이었다. 한편, 역방향 전류전압 특성은 p-GaN 박막의 두께에 영향을 받았으며, p-GaN 박막의 두께가 150, 300 nm 일 때 각각의 누설 전류는 $1.3{\times}10^{-3}$ mA와 $8.6{\times}10^{-5}$ mA 이었다. 상온에서 측정된 EL 스펙트럼의 주된 발광피크는 430 nm이었고, 반치폭은 49.5 nm이었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제17권5호
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• pp.13-20
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• 2004

1996년 GaN와 near band edge emission(NBE) 및 yellow deep-defect level emission의 발광 기구가 ZnO의 greene mission과 매우 유사하다는 점이 발견된 이 후［1,2］, II-VIZnO반도체에 대한 광학적 성질에 많은 관심이 집중되기 시작하였다. 1960년대 C. Klingshirin［3］에 의해 bulk ZnO의 exciton luminescence가 관측된 이래로, 1980년대 후반부터 적층 박막 성장 법들이 급속도로 발전을 하여 오고 1988 S. Bethke등이 CVD로 성장한 ZnO의 NBE emission에 관심을 갖기 시작하였고［4］, 1996년 2K에서 GaN, ZnO사이의 유사한 발광기구가 알려졌고［5］, 도호쿠 및 일본 공업대에서 ZnO의 적층 성장 및 상온에서 defect에 기인한 emission이 없는 깨끗한 PL 의 관측, 상온 lasing, 육방정계 결정 구조에서 비롯된 6-fold symmetry PL 등이 보고되기 시작하였다. ［6-8］ 2000년에 들어서면서 MgO와 CdO와의 solid solution에 의한 밴드갭을 2.6-4.2 eV 까지 조절하는 가능성이 보고되었고 이를 이용한 ZnO/MgZnO MQW 구조에 대한 연구도 병행되었다.(중략)