$AB_2X_4$((A, B)=Transition Metal, X=O, S, Se) 물질에서의 8면체 자리의 이온 거동과 4면체 자리 이온과의 상호작용에 대하여 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 4면체 자리에 비자성 이온인 Zn 이온을 치환함에 따른 자기구조의 변화를 관측하여 8면체 자리의 자기구조를 분석하고자 하였다. Cr이온의 일부를 Fe로 치환한 $[Co_{0.9}Zn_{0.1}]_A[Cr_{1.98}{^{57}Fe_{0.02}}]_BO_4$의 닐온도($T_N$는 90K로 $CoCr_{1.98}{^{57}Fe_{0.02}}O_4$ 비하여 감소하였다. 4.2 K에서의 초미세자기장값의 분석결과, 초미세자기장값의 작은 차이를 보이는 잘 분리된 2-set 형태로 나타났으며, $CoCr_{1.98}{^{57}Fe_{0.02}}O_4$의 초미세자기장값은 488, 478 kOe 인데 반하여, $Co_{0.9}Zn_{0.1}Cr_{1.98}{^{57}Fe_{0.02}}O_4$의 초미세자기장값은 $B_1=486$, $B_2=468$ kOe으로 나타났다. Zn 이온의 치환에 따라서 초미세자기장값의 변화를 알 수 있었다. 이러한 결과로 인하여, Zn 이온이 x=0.1 치환된 물질의 경우, 스핀재정렬온도($T_S$)가 18K으로 감소함을 알 수 있다.
Solid state lighting 용 적색 형광체로 적용하기 위하여 $BaTiO_3$:$Pr^{3+}$:$Ga^{3+}$를 다음과 같이 합성하였다. 출발 물질로 $BaCO_3$,$Pr(NO_3)_3$$6H_2O$, $TiO_2$, $Ga_2O_3$을 사용 하였으며, $BaTiO_3$:$Pr^{3+}\;_x$(x=$0.001{\sim}0.2$):$Ga^{3+}\;_y$(y=0.05, 0.1, 0.5 1, 2, 3)를 각각의 조성대로 혼합한 후 $600^{\circ}C$에서 10시간 전처리 하였다. 전처리한 시료를 시편으로 제조하여 $1200^{\circ}C$ 공기중에 4시간 소성하여 최종물질인 $BaTiO_3$:$Pr^{3+}\;_x$:$Ga^{3+}\;_y$을 얻었다. 이 화합물을 X-선 회절 분석 결과 공간군 P4MM을 갖는 페로브스카이트임을 알 수 있었다. 이 화합물을 적색형광체로 적용하기 위해 PL과 PLE측정을 통하여 형광특성을 알아본 결과 618nm에서 x=0.011, y=1.0 일 때 특성이 가장 우수한 것으로 나타났다.
Add $Li_2CO_3$ to $(Ba_{0.6}Sr_{0.4})$$TiO_3$ powder to lower sitering temperature in this research, made thick film by tape casting method. Investigated about sitering temperature and physical properties that added $Li_2CO_3$ Even if lower sitering temperature about $200^{\circ}C$ adding $Li_2CO_3$ 10wt.%, density was near to 5.7$g/cm^3$ that is theoretical values, and crystal structure examined as perobeuseukaiteu senior after sintering.
Effects of sintering time upon the structures and microwave dielectric characteristics of co-substituted $Ba_{6-3x}$/S $m_{8+}$2x/ $Ti_{18}$$O_{54}$ ceramics (x=2/3) were investigated. Prolonged sintering had significant effects upon the qf value and temperature coefficient, and a high Qf value (10,600 GHz) was obtained in the present ceramics combined with high-$\varepsilon$ (80) and near-zero temperature coefficient.t..
고준위 폐기물 내에 함유된 핵종을 고정화시킬 수 있는 매트릭스로써 파이로클로어$(pyrochlore;\;CaCeZr_xTi_{2-x}O_7,\;x=0.2\~2.0)$를 합성하여 상평형 관계 및 특성을 연구하였다. 합성방법은 CPS법이었으며, $1100\~1600^{\circ}C$에서 20시간 동안 가열하였다. 실험결과, 최적 합성조건은 각각의 조성에 따라 $1300\~1600^{\circ}C$로 다양하였다. 최적 합성조건에서 파이로클로어 또는 형석구조를 나타내는 산화물(이하 '형석'으로 기재)은 소량의 페롭스카이트와 더불어 $CeO_2$ 또는 $Ce_{0.75}Zr_{0.25}O_2$와 공존하였다. 또한 원조성인 $CaCeZr_xTi_{2-x}O_7$중 $x\leq0.6$인 경우 파이로클로어 구조가, 그리고 $x\geq0.6$에서는 형석구조가 안정한 것을 확인하였다. 특히 x값의 증가에 따라, Ca 및 Ti 성분이 결핍되었으며, 이와는 대조적으로 Zr과 Ce가 초과됨으로써 비화학양론적 조성을 나타내었다. 이러한 특성은 팔배위와 육배위를 차지하고 있는 원소들의 거동에 의한 것으로, 파이로클로어 또는 형석이 단일상이 아니라 페롭스카이트, $CeO_2$ 및 $Ce_{0.75}Zr_{0.25}O_2$와 공존하는 원인이 된 것으로 사료된다.
텅스텐이 첨가된 $BaTiO_x$계 세라믹재료 중 Ba, Ti 및 W의 회수율을 증가시키기 위하여 가압 산 분해법을 이용하여 전처리하였다. $BaTiO_x$계 세라믹재료 시료를 가압 산 부내장치 내에서 HF : HCI ( 1 : 2 ) 혼합산을 가하여 $220^{\circ}C$에서 3시간동안 분해시킨 후 ICP-AES를 이용하여 Ba, Ti 및 W을 정량하였다. 그 결과 Ba는 99.6% Ti는 99.8% W는 99.2%의 회수율과 Ba는 1.02% Ti는 0.73% W는 1.79%의 C.V.값을 각각 얻었다. 이 전처리 방법을 실제시료에 적용하여 25.9% Ba38.8% Ti과 3.31% W 함량을 각각 구할수 있었다.
For removing $NO_x$ and $SO_x$ from the flue gases emitted from stationary sources, $V_2O_5-MoO_3/TiO_2$ catalysts were prepared by the conventional impregnation method (aqueous solution) and a sort of surface fixation method(nonaqueous solution) as reported excellent reproducibility catalysts. And these catalysts observed their catalytic activities as well as their surface properties. V-Mo-O oxide, prepared from nonaqueous solution of $VOCl_3$ and $Mo(CO)_6$ and aqeous solution method, was supported as amorphous state by XRD and SEM measurements. The infrared spectra of fresh and used catalysts showed that in used catalysts, V=O bands decreased and new bands of vanadium oxysulfate bands were very sensitive. So the catalysts prepared from nonaqueous solution may bring about the high activity. Results from catalytic activity measurements at 350$^\circ$C, in the presence of $SO_2, NO$ conversion was more increased than in absence of $SO_2$. As the $MoO_3$ was added to $V_2O_5/TiO_2 system, SO_2$ conversion increased. It found that from the results, $V_2O-5-MoO_3/TiO_2$ catalysts prepared from an nonaqueous solution may bring about the high activity for both the reaction of NO and $SO_2$ removal.
Sinterability and microwave dielectric properties of $xZWO_{4}-(1-x)TiO_{2}$ ceramic systems with zinc-borosilicate glass and $TiO_{2}$ contents for LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) were investigated. The addition of $3{\sim}10\;wt%$ ZBS glass ensured the sinterability below $900^{\circ}C$. In general, increasing ZBS glass content seemed to enhance the sinterability, but the quality factor($Qxf_{0}$) significantly decreased due to the formation of an excessive liquid and second phases. As for the addition of $TiO_{2}$, the dielectric constant(${\varepsilon}_{r}$) and temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_{f}$) showed to increase, while the quality factor($Qxf_{0}$) did not show an apparent change. The composition of $0.7xZnWO_{4}-0.3TiO_{2}$ ceramics sintered at $900^{\circ}C$ with 5 wt% ZBS glass demonstrated 21.6 in dielectric constant(${\varepsilon}_{r}$), 14,800 in quality factor($Qxf_{0}$), and $+5\;ppm/^{\circ}C$ in temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_{f}$).
Microstructure and positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) characteristics of $0.9BaTiO_3-0.1(Bi_{0.5}Na_{0.5})TiO_3$ [BaBiNT] ceramics doped with $Nb_2O_5$ were investigated in order to develop the Pb-free high Curie temperature ($T_c$)(>$160^{\circ}C$) PTC thermistor. The BaBiNT ceramics showed a tetragonal perovskite structure, irrespective of the added amount of $Nb_2O_5$. They also have a homogeneous microstructure. The resistivity of BaBiNT ceramics was gradually decreased by doping $Nb_2O_5$, which might be due to $Nb^{+5}$ ions substituting for $Ti^{+4}$ sites. The PTCR characteristics of BaBiNT ceramics appeared when the amount of doped $Nb_2O_5$ exceeded 0.0025mol%. Moreover, the abrupt grain growth was observed for the 0.03mol% $Nb_2O_5$added BaBiNT ceramics. It showed an especially high $T_c$ of approximately $172^{\circ}C$ and good PTCR characteristics of a high $\rho_{max}/\rho_{min}$ ratio ($2.96\times10^3$), a high resistivity temperature factor (11.40/$^{\circ}C$) along with a relatively low resistivity ($3.5\times10^4\Omega{\cdot}cm$).
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권3호
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pp.149-153
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2006
An attempting to produce a p-type diluted magnetic semiconductor (DMS) using $Ti_{1-x}Co_xO_{2-\delta}-based$ thin films was made by suitable control of the deposition parameters including deposition temperature, deposition pressure, and doping level using a pulsed laser deposition method. T$Ti_{0.97}Co_{0.03}O_{2-\delta}-based$ (TCO) films deposited at $500^{\circ}C$ at a pressure of $5\times10^{-6}$ Torr showed an anomalous Hall effect with p-type characteristics. On the other hand, films deposited at $700^{\circ}C$ at $5\times10^{-6}$ Torr showed n-type behaviors by a decreased solubility of cobalt. The charge carrier concentration in the p-type TCO films was approximately $7.9\times10^{22}/cm^3$ at 300 K and the anomalous Hall effect in the p-type TCO films was controlled by a side-jump scattering mechanism. The magnetoresistance (MR), measured at 5 K in p-type TCO films showed a positive behavior in an applied magnetic field and the MR ratio was approximately 3.5 %. The successful preparation of p-type DMS using the TCO films has the potential for use in magnetic tunneling junction devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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