The influence of the co-additive concentration (0 - 45 wt% with an interval of 5 wt%) of MgO-$TiO_2$ on the phase formation, microstructure and fracture toughness of MgO-$TiO_2$-reinforced dental porcelain nanocomposites derived from a one-step sintering technique were examined using a combination of X-ray diffraction, scanning electron microscopy and Vickers indentation. It was found that MgO-$TiO_2$-reinforced dental porcelain nanocomposites exhibited significantly higher fracture toughness values than those observed in single-additive (MgO or $TiO_2$)-reinforced dental porcelain composites at any given sintering temperature. The amount of MgO-$TiO_2$ as a co-additive was found to be one of the key factors controlling the phase formation, microstructure and fracture toughness of these nanocomposites. It is likely that 30 wt% of MgO-$TiO_2$ as a co-additive is the optimal amount for $MgTi_2O_5$ and $Mg_2SiO_4$ crystalline phase formation to obtain the maximum relative density (96.80%) and fracture toughness ($2.60{\pm}0.07MPa{\cdot}m^{1/2}$) at a sintering temperature of $1000^{\circ}C$.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.11
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pp.746-752
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2014
Photo electrode is an important component of DSSC, so this paper did some research on it. Through the method of adding PEG additive into $TiO_2$ paste, the electrical characteristics and efficiencies of DSSCs with photo electrode surface area were studied. In the case of not adding PEG in $TiO_2$ paste, $26{\mu}m$ thickness $TiO_2$ photo electrode shows 5.081% efficiency. The highest short circuit current density was $10.476mA/cm2^$. The structure of porous $TiO_2$ film can be controlled through changing the PEG additive amount in $TiO_2$ paste and the molecular weight of PEG. When the additive amount of PEG 20,000 in $TiO_2$ paste reaches 5%, the peak efficiency with $26{\mu}m$ thickness $TiO_2$ photo electrode was 5.387% and its highest current density were $11.084mA/cm^2$.
The purpose of this investigation was to study the stability of perovskite structure, the variation of electrical properties and a microstructure with varing amount of PbTiO3 additive in PZN-PT-BT system. The results are as follows: 1. The pyrochlore phase was reduced as the amount of PbTiO3 additive was increased and completely eliminated at 0.15PT in PZN-PT-BT system. 2. The aging rate was increased in proportion to tetragonality because the internal stress was increased in proportion to tetragonality. 3. On increasing the amount of PbTiO3 additive, the Curie temperature was increased in proportion to tetragonality. 4. As the amount of PT in the composition increase, the variation of dielectric constant was sharpened and the diffuseness of the transition decreased.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.18
no.1
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pp.5-9
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2008
Cordierite has a very low thermal expansion coefficient, but has problem that it has a weak mechanical strength and is apt to be attacked by acid such as sulfur for using as a diesel particulate filter support. The physical properties of $ZrTiO_4$ modified with $SiO_2,\;Al_2O_3$, MoOx, $Cr_2O_3\;and\;Nb_2O_5$ were investigated with XRD, SEM, UTM and thermal expansion, etc. in this paper. $ZrTiO_4$ powder was synthesized as a monoclinic structure with processes that starting materials of $TiO_2\;and\;ZrO_2$ were mixed with ball mill and calcined above $1240^{\circ}C$ for 3 hr. Additive modified $ZrTiO_4$ specimens for flexural strength and thermal expansion measurement were obtained by mixing $ZrTiO_4$ powder with additives, pressing and firing at $1300^{\circ}C$ for 3 hr. The porosity of additive modified $ZrTiO_4$ decreased monotonically with increasing additive content by 5 wt% regardless of additive types and saturated for further increase of additive by 10wt. The flexural strength of $Al_2O_3$ (5, 10 wt%) modified $ZrTiO_4$ shows a large increase, but that of other additives modified $ZrTiO_4$ decreased. The thermal expansion coefficient of additive modified $ZrTiO_4$ except $Nb_2O_5$ decreased continuously with the content of additive. In particular, the lowest thermal expansion coefficient of $ZrTiO_4$ was obtained for the additive of $SiO_2$.
Park, Sung-Won;Kim, Mi-Kyung;Ahn, Seok-Hwan;Nam, Ki-Woo
Proceedings of the Korea Committee for Ocean Resources and Engineering Conference
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2006.11a
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pp.166-168
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2006
$Si_3N_4/SiC$ composite ceramics was sintered in order to investigate their bending strength behavior after crack healing. $Y_2O_$ and $TiO_2$ power was added as sintering additives to enhance it's sintering property. A three-point bending specimen was cut out from sintered plates. About $100\;{\mu}m$ semi-circular surface cracks were made on the center of the tension surface of the three-point bending specimen using Vickers indenter. After the crack-healing processing from $500^{\circ}C$ to $1300^{\circ}C$, for 1 h, in air, the bending strength behavior of these crack-healed specimen coated with $SiO_2$ colloidal were determined systematically at room temperature. $Si_3N_4/SiC$ ceramics using additive powder ($Y_2O_3+TiO_2$) was superior to that of additive powder $Y_2O_3$. The additive powder $TiO_2$ exerted influence at growth of $Si_3N_4$. The optimum crack healing conditions coated $SiO_2$ colloidal were $1000^{\circ}C$ at $Si_3N_4/SiC$ using additive powder ($Y_2O_3+TiO_2$), and $1300^{\circ}C$ at $Si_3N_4/SiC$ using additive powder $Y_2O_3$.
Microstructure, room temperature resistivity and temperature coefficient of resistance of BaTiO3 ceramics were studied by varying cooling rates and additives such as TiO2, SiO2 and Al2O3. The basic composition of the BaTiO3 ceramics was formed by adding 0.25 mol% Dy2O3 and 0.07 mol% MnO2 to the BaTiO3 composition. Unlike the additives of SiO2 and Al2O3, an addition of 2 mol% TiO2 to the basic composition was effective to control the grain size of the fired specimens. The room temperature resistivity and the temperature coefficient of resistance for the specimen of this particular compostion were measured as about 102 ohm.cm and 16.5%/$^{\circ}C$, respectively. The observed grain boundary phase of the sample with Al2O3 additive was BaTi3O7, while that of the samples with SiO2 additive was confirmed as BaTiSiO5.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.9
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pp.960-966
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2004
On the bases of the results from "Additive Coating of BaTiO$_3$ Powder using Sol Coating Method I", experimental condition was defined. Representative additives for BaTiO$_3$, that is to say, Mg, Ca and Mn were experimented. The sources of the metal ion were used by organometal complex. As added it, the stability of BaTiO$_3$ sol was evaluated. Mg and Ca were stable, however, The solubility limit of Mn-ATH was 0.05 mol ratio in Mn-ATH/sol. The solubility limit of Mg ion in BaTiO$_3$ was lower than 2 mol%. From the x Ray diffraction patterns, lattice parameters were different with temperature and additives, because the solubility of metal ion was varied in BaTiO$_3$. The dielectric constant of BaTiO$_3$ powders which coated with the 1.5 mol% Mg and calcined at 1200$^{\circ}C$ was increased with 20%.
For the purpose of manufacturing a high efficiency TiO2 photocatalyst, B-doped TiO2 photocatalysts are synthesized using a plasma electrolytic oxidation method in 0.5 M H2SO4 electrolyte with different concentrations of H3BO3 as additive. For the B doped TiO2 layer fabricated from sulfuric electrolyte having a higher concentration of H3BO3 additive, the main XRD peaks of (101) and (200) anatase phase shift gradually toward the lower angle direction, indicating volume expansion of the TiO2 anatase lattice by incorporation of boron, when compared with TiO2 layers formed in sulfuric acid with lower concentration of additive. Moreover, XPS results indicate that the center of the binding energy peak of B1s increases from 191.45 eV to 191.98 eV, which suggests that most of boron atoms are doped interstitially in the TiO2 layer rather than substitutionally. The B doped TiO2 catalyst fabricated in sulfuric electrolyte with 1.0 M H3BO3 exhibits enhanced photocurrent response, and high efficiency and rate constant for dye degradation, which is ascribed to the synergistic effect of the new impurity energy band induced by introducing boron to the interstitial site and the improvement of charge transfer reaction.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.3
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pp.214-220
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1998
ZnO varistors are characterized by the features of excellent nonlinearity and surge withstand capability. In this paper, in order to investigate the use of ZnO varistor as surge absorption device in low voltage, metal oxide material($TiO_2$) was selected as control material of grain growth. Samples of ZnO varistors were fabricated with varying the contents, and then the microstructures and V-I characteristics were measured. It was observed by SEM that the mean grain size increased with the increase of the additive. From the measurement of V-I characteristics, it was observed that according to the increase of the quantity of $TiO_2$ as additive, the operating voltage was lowered.
$Al_2O_3-SiC$ and $Al_2O_3-SiC$-TiC composite powders were prepared by SHS process using $SiO_2,\;TiO_2$, Al and C as raw materials. Aluminum powder was used as reducing agent of $SiO_2,\;TiO_2$ and activated charcoal was used as carbon source. In the preparations of $Al_2O_3-SiC$, the effect of the molar ratio in raw materials, compaction pressure, preheating temperature and atmosphere were investigated. The most important variable affecting the synthesis of $Al_2O_3-SiC$ was the molar ratio of carbon. Unreactants remained in the product among all conditions without compaction. The optimum condition in this reaction was $SiO_2$: Al: C=3: 5: 5.5, 80MPa compaction pressure under Preheating of $400^{\circ}C$ with Ar atmosphere. However there remains cabon in the optimum condition. The effect of $TiO_2$ as additive was investigated in the preparations of $Al_2O_3-SiC$. As a result of $TiO_2$ addition, $Al_2O_3-SiC$-TiC composite powder was prepared. The $Al_2O_3$ powder showed an angular type with 8 to $15{\mu}m$, and the particle size of SiC powder were 5~$10{\mu}m$ and TiC powder were 2 to $5{\mu}m$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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