Study of Nonvolatile Memory Device with $SiO_2/Si_3N_4$ stacked tunneling oxide
(터널링 $SiO_2/Si_3N_4$ 절연막의 적층구조에 따른 비휘발성 메모리 소자의 특성 고찰)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 2008.06a
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- pp.189-190
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- 2008