• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.106-109
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• 2005

The $(Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiN/$SiO_2$/Si) using RF sputtering method with substitutional contents of Ca. The optimum conditions of RF power and Ar/$O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin film was about 18.75[$\AA$/min]. The dielectric constant was increased with increasing the substitutional contents of Ca, while it was decreased if the substitutional contents of Ca exceeded over 15[mol%]. The capacitance characteristics had a stable value within ${\pm}4$[%] in temperature ranges of -80~+90[$^{\circ}C$].

• 한국세라믹학회지
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• 제35권9호
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• pp.1002-1005
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• 1998

Bismuth titanate thin films were prepared on {{{{ { SrTiO}_{3 } }}(100) and Si(100) substrates by dipping-pyrolysis pro-cess using metal naphthenates as starting materials. crystallinity and in-phase alignment of the films were analyzed by X-ray diffraction $\theta$-2$\theta$ scans and $\beta$ scans (pole-figures) respectively. Highly c-axis-oriented {{{{ { { {Bi }_{4 }Ti }_{3 }O }_{12 } }} thin films with smooth surfaces were obtained after heat treatment at 75$0^{\circ}C$ on {{{{ { SrTiO}_{3 } }}(100) sub-strate while the films grown of Si(100) exhibited polycrstalline characteristics. C-axis oriented film show-ed an epitaxial relationship with the {{{{ { SrTiO}_{3 } }} substrate.

• 한국진공학회지
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• 제20권3호
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• pp.205-210
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• 2011

졸-겔(sol-gel) 방법을 이용하여 스피넬(spinel) 구조의 산화물 $LiMn_2O_4$ 박막을 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 제작하여 그 구조적 성질 및 이차 전지 전기화학적 특성을 조사하였다. 박막에서의 Li/Mn 몰비(molar ratio)가 0.5 미만일 경우 박막에 $LiMn_2O_4$ 상뿐만 아니라 $Mn_2O_3$ 상이 존재함이 관측되었다. $LiMn_2O_4$ 박막을 이용한 반전극(half cell) 전지를 제작하여 충전-방전 순환과정을 반복수행 하였고, 과정 시작 전후에 X-ray diffraction 및 Raman spectroscopy 측정을 통하여 과정 중 발생하는 박막의 구조적 성질 변화를 조사하였다. 순수한 $LiMn_2O_4$ 박막 전지의 경우 충전-방전 횟수가 증가함에 따라 방전 용량은 서서히 감소하여 300회에 이르러서는 초기 용량의 72%로 줄어들었다. 이와 같은 결과는 충전-방전 과정 중 스피넬 구조의 사면체 자리로부터 탈리되었다가 다시 삽입되는 $Li^+$ 이온 수의 감소 및 이에 따르는 $Mn^{4+}$ 이온 수 증가와 관련이 있는 것으로 해석된다. 또한, 순환 횟수가 증가함에 따라 박막 내에 $Mn_2O_3$ 상의 밀도가 점차 증가함이 관측되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.486-491
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• 2002

We have fabricated $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_3O_12$ (BLT) thin films on the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates using a metalorganic decomposition (MOD) method with annealing temperature from $550^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. The structural properties of BLT films examined by x-ray diffraction (XRD). From XRD analysis. BLT thin films show polycrystalline structure. The layered-perovskite phase was obtained by spin-on films at above $600^{\circ}C$ for 1h. Scanning electron microscopy (SEM) showed uniform surface composed of rodlike grains. The grain size of BLT films increased with increasing annealing temperature. The BLT film annealed at $650^{\circ}C$ was measured to have a dielectric constant of 279, dielectric loss of 1.85(%), remanent polarization of $25.66\mu C/\textrm{cm}^2$, and coercive field of 84.75 kV/cm. The BLT thin films showed little polarization fatigue test up to $3.5{\times}10^9$ bipolar cycling at 5 V and 100 kHz.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권3호
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• pp.619-625
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• 2008

패시베이션 및 절연 목적으로 이용하는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법에 의해 증착된 무기막과 웨이퍼 간 본딩 접착제로 이용하는 유기 박막 적층면의, 열 순환에 의한 잔류 응력 및 본딩 결합력의 효과를 4점 굽힙 시험법과 웨이퍼 곡률 측정법에 의해 평가하였다. 무기막으로는 산화 규소막($SiO_2$)과 산화 질화막($SiN_x$)이, 유기 박막으로는 BCB(Benzocyclobutene)가 이용되었다. 이를 통해, 열 순환 동안 무기막과 유기막 사이에서의 잔류 응력과 본딩 결합력의 상관관계에 대한 모델식을 개발하였다. 최대 온도 350 및 $400^{\circ}C$에서 수행한 열 순환 공정에서, PECVD 산화 질화막과 BCB로 구성된 다층막에서, 본딩 결합력은 첫 번째 순환 공정 동안 감소한다. 이는 산화질화막 내 잔류인장응력의 증가가 다층막의 잔류응력에 의해 변형되는 에너지 및 본딩 결합력의 감소를 유도한다는 모델식의 예측과 일치하며, PECVD 산화 규소막내 잔류 압축 응력의 감소가 다층막의 잔류응력에 의해 변형되는 에너지 및 본딩 결합력 상승을 이끄는 산화 규소막과 BCB 구조의 본딩 결합력 결과와 비교된다. 이러한 산화 규소막과 산화 질화막을 포함한 다층막의 상반된 본딩 결합력은 증착 공정 후 막 내에 형성된 수소 결합이 고온 순환 공정 동안 축합 반응을 통해 더 밀집되어 인장응력을 형성하기 때문임을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제19권2호
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• pp.90-94
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• 2009

The development of low-k materials is essential for modern semiconductor processes to reduce the cross-talk, signal delay and capacitance between multiple layers. The effect of the $CH_4$ concentration on the formation of SiOC(-H) films and their dielectric characteristics were investigated. SiOC(-H) thin films were deposited on Si(100)/$SiO_2$/Ti/Pt substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with $SiH_4$, $CO_2$ and $CH_4$ gas mixtures. After the deposition, the SiOC(-H) thin films were annealed in an Ar atmosphere using rapid thermal annealing (RTA) for 30min. The electrical properties of the SiOC(-H) films were then measured using an impedance analyzer. The dielectric constant decreased as the $CH_4$ concentration of low-k SiOC(-H) thin film increased. The decrease in the dielectric constant was explained in terms of the decrease of the ionic polarization due to the increase of the relative carbon content. The spectrum via Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy showed a variety of bonding configurations, including Si-O-Si, H-Si-O, Si-$(CH_3)_2$, Si-$CH_3$ and $CH_x$ in the absorbance mode over the range from 650 to $4000\;cm^{-1}$. The results showed that dielectric properties with different $CH_4$ concentrations are closely related to the (Si-$CH_3$)/[(Si-$CH_3$)+(Si-O)] ratio.

• 전자공학회논문지
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• 제50권2호
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• pp.98-103
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• 2013

본 연구에서는 IZO를 활성층으로 하고 $HfSiO_x$를 절연층으로 한 TFT에 대하여 그 성능을 측정하였다. $HfSiO_x$는 $HfO_2$ target과 Si target을 co-sputtering 하여 증착하였으며 RF power를 달리 하여 네 가지의 $HfSiO_x$ 박막을 제작하였다. 공정의 간소화를 위해 게이트 전극을 제외한 모든 층들은 RF-magnetron sputtering system과 shadow mask만을 이용하여 증착하였으며 공정의 간소화를 위해 어떠한 열처리도 하지 않았다. 네 가지 $HfSiO_x$ 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을 통해 분석하였고, 그 전기적 특성을 확인하였다. 박막 내 $HfO_2$와 Si의 조성비에 따라 그 특성이 현저히 차이가 남을 확인하였다. $HfO_2$(100W)-Si(100W)의 조건으로 증착한 $HfSiO_x$ 박막을 절연층으로 한 소자의 특성이 전류 점멸비 5.89E+05, 이동도 2.0[$cm^2/V{\cdot}s$], 문턱전압 -0.5[V], RMS 0.263[nm]로 가장 좋은 결과로 나타났다. 따라서 $HfSiO_x$ 박막 내의 적절한 $HfO_2$와 Si의 조성비가 계면의 질을 향상시킴은 물론, $HfO_2$자체의 trap이나 defect를 효과적으로 줄여 줌으로써 소자의 성능 향상에 중요한 요소라 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.329.1-329.1
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• 2014

In this paper, we report electrical, optical and structural properties of Al-doped zinc oxide (AZO) thin films deposited at different substrate temperatures and pressures. The films were prepared by radio frequency (RF) magnetron sputtering on glass substrates in argon (Ar) ambient. The X-ray diffraction analysis showed that the AZO films deposited at room temperature (RT) and 20 Pa were mostly oriented along a-axis with preferred orientation along (100) direction. There was an improvement in resistivity ($3.7{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$) transmittance (95%) at constant substrate temperature (RT) and working pressure (20 Pa) using the Hall-effect measurement system and UV-vis spectroscopy, respectively. Our results have promising applications in low-cost transparent electronics, such as the thin-film solar cells and thin-film transistors due to favourable deposition conditions. Furthermore our film deposition method offers a procedure for preparing highly oriented (100) AZO films.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.254-259
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• 2003

Sol-gel dip coating법으로 soda lime glass 기판 위에 ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 제조할 때, 기판 위에 형성된 $SiO_2$ barrier 층 및 $N_2$ gas annealing 에 따른 광투과율 및 전기적 특성에 대한 효과를 정량적으로 측정하고, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석을 통해 고찰하였다. $SiO_2$ barrier층을 갖는 glass 기판 위에 코팅된400 nm 두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 결과, 광 투과율은 84%그리고 전기저항은 약 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$로 측정되었다 XPS 분석결과 이러한 우수한 전기전도성은 $SiO_2$ buffer층이 glass 기판으로부터 Na 이온의 확산을 막아 ATO막 내에 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 2차상 불순물의 형성을 억제하여 막 내부의 Sb의 농도 및 $Sb^{5+}/Sb^{3+}$ 비를 증가시키고, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$ 도 환원시키지만 $Sn^{4+}$를 환원시키는 효과가 크게 작용하였기 때문으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.258-258
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• 2008

Among several available high-k dielectrics the lanthanum zirconium oxide ($LaZrO_x$) system is very attractive as a buffer insulating layer. Because both lanthanum and zirconium atoms, the constituents of the $LaZrO_x$ thin film, have been considered to be thermally stable in contact with Si. The $LaZrO_x$ films were deposited by a sol-gel method. After the deposition, The $LaZrO_x$ films were crystallized at $750^{\circ}C$ for 30 minutes in $O_2$ ambient. PVDF-TrFE films were deposited on these $LaZrO_x$/Si structures using a sol-gel technique. The sol-gel solution was spin-coated on $LaZrO_x$/Si structures at 500 rpm for 5 sec and 2500 rpm for 15 sec. The deposited layer was dried at $165^{\circ}C$ for 30 min in air on a hot-plate. Then, we deposited Au electrode on PVDF-TrFE films using thermal evaporation.