Min Joon-Won;Yoo Seung-Eul;Kim Young-Jung;Suhr Dong-Soo
Journal of Welding and Joining
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v.22
no.5
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pp.46-52
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2004
AlSi-Al$_2$O$_3$ composite layer was prepared by plasma spray on steel substrate. The composite powder for plasma spray was prepared by simple mechanical blending. The wear resistance of the composite layers and matrix aluminum alloy were performed in terms of size distribution of ceramic particles. Friction coefficients of AlSi were decreased with incorporation of $Al_2$O$_3$. The tribological properties of coated layers were affected by the size of incorporated $Al_2$O$_3$ particle. The reinforcement of $Al_2$O$_3$ particle into aluminum alloy matrix decreased the friction coefficient as well as wear loss.
Increase the efficiency of PV modules for high-efficiency solar cells, light transmittance improvements, increasing the module, and much more research and development. Dual we light transmittance for photovoltaic module materials in low iron tempered glass in SiO2 using liquid AR implementation, light transmittance to solar modules to increase the efficiency of research.
We develop a new nonwoven composite separator for a safer lithium-ion battery, which is based on coating of silica ($SiO_2$) colloidal particles/styrene-butadiene rubber (SBR) binder to a poly(ethylene terephthalate) (PET) nonwoven support. The $SiO_2$ particles are interconnected by the SBR binder and closely packed in the nonwoven composite separator, which thus allows for the development of unusual porous structure, i.e. highly-connected interstitial voids formed between the $SiO_2$ particles. The PET nonwoven serves as a mechanical support that contributes to suppressing thermal shrinkage of the nonwoven composite separator. The $SiO_2$/SBR content in the nonwoven composite separators plays an important role in determining their separator properties. Porous structure, air permeability, and electrolyte wettability of the nonwoven composite separators, in comparison to a commercialized polyethylene (PE) separator, are elucidated as a function of the $SiO_2$/SBR content. Based on this understanding of the nonwoven composite separators, the effect of $SiO_2$/SBR content on the electrochemical performances such as self-discharge, discharge capacity, and discharge C-rate capability of cells assembled with the nonwoven composite separators is investigated.
The characteristics, such as roughness, thickness, microhardness and corrosion resistance, of plasma electrolytic oxide coatings on AZ91D alloy were investigated under the processing condition of various coating times. The coatings on AZ91D alloy consisted of MgO, $MgAl_{2}O_{4}$ and $Mg_{2}SiO_{4}$ oxides. The surface roughness and thickness of coatings became larger with increasing the coating time. The microhardness in cross section of coatings was much higher than not only that in surface but that in the conventional anodic oxide coatings, which increased progressively as the coating time increased. After being immersed in 3.5%NaCl solution and methyl alcohol, the corrosion resistance of AZ91D alloy was markedly improved by plasma electrolytic oxidation coating treatment, and the AZ91D alloy coated for 50min revealed excellent corrosion resistance.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.05b
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pp.42-45
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2001
The high permittivity are applied to DRAM and FRAM. (Ba,Sr)$TiO_3$ (EST) thin films were prepared by Sol-Gel method. BST solution was made and spin-coated on $Pt/SiO_2/Si$ substrate at 4000 [rpm] for 10 seconds in a time coating. Coated specimens were dried at $90[^{\circ}C]$ for 5 minutes. Coating process was repeated from 3 times to 5 times and then sintered at $750[^{\circ}C]$ for 30 minutes. Each specimen was analyzed structure and electrical characteristics. Thickness of BST ceramics thin films are about 2600-2800[$\AA$] in 3 times. Dielectric constant of thin films was little decreased at 1[KHz]~1[MHz]. Dielectric constant and loss to frequency were 250 and 0.02 in BST3. The property of leakage current was stable When the applied voltage was 0~3[V] Leakage current was $10^{9}\sim10^{11}$[A] at 0~3[V].
The effect of antireflection layer on the reduction of optical loss has been investigated in Si photodiodes detecting red light with central wavelength of 670 nm. The theoretical analysis showed minimum reflection loss of 6% for the $SiO_2$thickness of about $1100∼1200\AA$ in the $SiO_2$-Si system with the single antireflection layer and no reflection loss for the X$N_3$N$_4$$SiO_2$thickness of $2000\AA$/$1200\AA$ in the $Si_3$$N_4$$SiO_2$-Si system with double antireflection layer. In our experiments, Si photodiodes with the web-patterned $p^{+}$-shallow diffusion region were fabricated by bipolar IC process technology and the devices were classified into three kinds according to the structure of $Si_3$$N_4$/$SiO_2$antireflection layer. The fabricated devices showed maximum spectral response in the optical spectrum of 650∼700 nm. The average photocurrents of the devices with the $Si_3$$N_4$$SiO_2$thickness of $1000\AA$/X$SiO\AA$, and $2000\AA$$1800\AA$ under the incident power, of -17 dBm were 3.2 uA, 3.5 uA and 3.1 uA, respectively.
The monodisperse spherical $SiO_2$ particles were overcoated with $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphor layers via a Pechini sol-gel process and the resulting $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ core-shell phosphors were subsequently annealed at $800^{\circ}C$ at an ambient atmosphere. The crystallographic structure, morphology, and luminescent property of core-shell structured $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and photoluminescence (PL). The spherical, nonagglomerated $SiO_2$ particles prepared by a Stober method exhibited a relatively narrow size distribution in the range of 260-300 nm. The thickness of phosphor shell layer in the core-shell particles can be facilely controlled by varying the coating number of $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors. The core-shell structured $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors showed a strong red emission, which was dominated by the $^5D_0-^7F_2$ transition (610 nm) of $Eu^{3+}$ ion under the ultraviolet excitation (263 nm). The PL emission properties of $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors were also compared with pure $Y_2O_3:Eu^{3+}$ nanophosphors.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.190-190
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2003
여러원소 (Sb, F 등)를 도핑한 SnO$_2$ 투명전도막은 여러 가지 훌륭한 특성으로 Solar cell, heat mirrors, gas sensors, liquid crystal displays, thick film resistor 등과 같이 넓은 범위에서 응용되고 있다. 본 연구에서는 Sb 도핑된 Tin Oxide films이 Sol-gel dip coating법에 의해 준비되었다. SnO$_2$:Sb 용액은 SnC1$_2$ 와 SbC1$_3$ Power를 알코올에 용해하여 Ethylene glycol 와 Citric acid를 첨가하여 합성하였다. 막의 상형성은 XRD와 SEM(Scanning electron microscope)에 의해서 분석되었으며, 특성분석은 투과율(UV/VIS Spectrophotometer)과 표면전기저항(four point probe)으로 분석되었다. SiO$_2$ barrier이 SnO$_2$:Sb 막의 특성에 미치는 영향을 확인하기 위하여 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석이 적용되었다.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.42
no.5
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pp.220-226
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2009
Cr-O-N coatings having different oxygen contents were deposited on Si wafer and SUS 304 substrates by an arc ion plating technique using Cr target in $Ar/O_2/N_2$ gaseous atmosphere. As increasing oxygen content in the coating, the microstructure of Cr-O-N coating changed from polycrystalline having NaCl structure to amorphous structure. Further increase of oxygen content resulted in phase transformation from amorphous to rhombohedral structure. From the variations of d value and average grain size, it was revealed that the maximum solubility of oxygen in Cr-O-N coating was about 21 at.%. And the maximum micro-hardness of 2751HK was obtained in this composition. The lowest friction coefficient was measured in the coating having 34.8 at.% of oxygen. However, more narrow width of wear track was found in the coating having 30.1 at.% of oxygen.
In this study, the electrochemical properties of SiOx@C composite materials were prepared to alleviate volume expansion and cycle stability of silicon and to increase the capacity of anode material for LIBs. SiO2 particles of 100, 200, and 500 nm were synthesized by the Stӧber method, and reduced to SiOx (0≤x≤2) through the magnesiothermic reduction method. Then, SiOx@C anode materials were synthesized by carbonization of PVC on SiOx. The physical properties of prepared SiOx and SiOx@C anode materials were analyzed by XRD, SEM, TGA, Raman spectroscopy, XPS and BET. The electrochemical properties were investigated by cycling performance, rate performance, CV and EIS test. As a result, the SiOx@C-7030 manufactured by coating carbon at SiOx : C = 70 : 30 on a 100 nm SiOx with the smallest particle size showed the best electrochemical properties with a discharge capacity of 1055 mAh/g and a capacity retention rate of 81.9% at 100 cycles. It was confirmed that cycle stability was impoved by reducing particle size and carbon coating.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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