Go Young-Jun;Lee Sang-Wook;Nam Hyo-Duk;Chang Ho-Gyeong
Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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spring
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pp.275-278
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2000
In this study, the acoustic transducer of a thin circular disc-type with PZT/Metal was designed. The dielectric and piezoelectric properties of $0.5wt\%$$MnO_2$ and NiO doped 0.1Pb($Mg_{1/3}$$Nb_{2/3}$)$O_3$-$0.45PbTiO_3$-$0.45PbZrO_3$ ceramics were investigated aiming at acoustic transducer applications. The vibration characteristics for the laminated circular plate was analyzed for the various thickness and diameter of the piezoceramic layer and metal layer. The acoustic characteristics which is radiated from the acoustic transducer within the finite space was simulated using the finite element method. It has been observed that the characteristics of the sound pressure ard impedance response calculated for the various models of the size and geometry of acoustic transducer.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.214-214
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2010
The 0.65Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.35PbTiO_3$ (PMN-PT) thin films with $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_{3-\delta}$ (LSCO) bottom electrodes were grown on $CeO_2$/YSZ/Si(001), Pt/$TiO_2$/Si and $SrTiO_3$ (STO) substrates using conventional pulsed laser deposition (PLD) at a substrate temperature of $550^{\circ}C$. Since generally the crystallographic orientation of the bottom electrode induces the orientation of the films deposited on it, it allows us to observe the influence of the PMN-PT film orientation on the electrical properties. Phi scan done on PMN-PT/LSCO thin films shows epitaxial behavior of the films grown on sto substrates and $CeO_2$/YSZ buffered Si(001) substrates, and (110) texture on Pt/$TiO_2$/Si substrates. Polarization-electricfield (P-E) measurement shows good hysteresis behavior of PMN-PT films with remnant polarization of 18.2, 8.8, and $4.4{\mu}C/cm^2$ on $CeO_2$/YSZ/Si, Pt/TiO2/Si and STO substrates respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.68-69
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2005
Low temperature ($\leq900^{\circ}C$) sintering piezoelectric ceramics $0.01Pb(Mg_{1/2}W_{1/2})O_3$-0.41Pb$(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.35PbTiO_3-0.23PbZrO_3+0.1wt%Y_2O_3+xwt%ZnO$$(0{\leq}x{\leq}2.5)$ have been developed and investigated. The electromechanical coupling coefficient ($k_p$), piezoelectric constant ($d_{33}$), and mechanical quality factor ($Q_m$) have been measured to characterize the piezoelectric materials system. When 2.0 wt% ZnO is added, the properties of the system, $d_{33}$ = 559 pC/N, $k_p$ = 55.0 % and $Q_m$ = 73.4 are obtained which are very suitable for piezoelectric actuators. A bending mode multilayer actuator has been also developed using the materials which size is $27(L)\times9(W)\times1.07(t)mm^3$. The actuators are fabricated by multilayer ceramic (MLC) process and consist of24 layers and each layer thickness is $35{\mu}m$. At this time, the displacement of actuator was $100{\mu}m$ at 28V.
This paper was to measure the structure, piezoelectric properties of $0.03Pb(Mg_{0.5}W_{0.5})O_3$ - $0.12Pb(Sb_{0.5}Nb_{0.5})O_3$ - $0.85Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ + $0.5[wt%]MnO_2$ ceramics dropped with additive CuO after manufacturing the specimens with a general method. It is shown that X-ray diffraction pattern variation of lines (211) have tendency to move minutely by addition of additive CuO. According to dropping with Cu, the dielectric constant at 20[$^{\circ}C$] reduced to CuO 3.0[wt%]. In case of sintering at 1050[$^{\circ}C$], dielectric constant was maximum value 623.59 at CuO 1.0[wt%]. Dielectric loss was maximum value 2.7[%] at Cu 2.0[wt%] in case of sintering at 1050[$^{\circ}C$].
A single phase perovskite relaxor ferroelectric PMN-PT-BT was prepared by a single calcination and the modified mixed oxide process. It was accomplished by ball-milling PbO, $Nb_2O_5,\;Ti(OC_3H_7)_4,\;BaCO_3,\;and\;Mg(NO_3)_2$ instead of MgO, removing the solvent, and then followed by calcination at 900$^{\circ}C$ for 2h. The specimen sintered at 1100$^{\circ}C$/2h showed the sintered density of 7.83 g/$cm^3$, room temperature dielectric constant of 22000, and dielectric loss of 2.5%. Addition of 1.0 mole% (0.3 wt%) of Ag as $AgNO_3$ and followed by calcination at 550$^{\circ}C$/2h lowered the sintering temperature to 900$^{\circ}C$. It still showed the sintered density of 7.88 g/$cm^3$, room temperature dielectric constant of 20000 and dielectric loss of 2.4%.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.11
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pp.921-925
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2000
Characteristics of Pb(Mg, Nb)O$_3$-Pb(Zr, Ti)O$_3$system thick films fabricated by a screen printing method were investigated. The buffer layer were coated with various thickness of Ag-Pd by screen printing to investigate the effect as a diffusion barrier and deposited Pt as a electrode by sputtering on Ag-Pb layer. The printed thick films were burned out at 650$\^{C}$ and sintered at 950$\^{C}$ in O$_2$condition for each 20, 60min after printing with 350mesh screen. The thickness of piezoelectric thick film was 15∼20㎛ and Ag-Pb layer acted as a diffusion barrier above 3㎛ thickness. The PMN-PZT thick films were screen printed on Pt/Ag-Pb(6m) and sintered by 2nd step (650$\^{C}$/20min and 950$\^{C}$/1h) using paste mixed PMN-PZT and binder in the ratio of 70:30, and the remnant polarization of thick film was 9.1$\mu$C/㎠ in this conditions.
Dielectric property of Ba-modified 0.65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3 ceramics having compositions near the morphotropic phase boundary was investigated. For the specimens having Ba contents between 0 and 20 at%, the average transition temperature was decreased linearly with increasing Ba contents and the degree of hysteresis was also decreased with increasing Ba contents. The maximum dielectric constants (K), electric field induced polarization(P) and electrically-induced strain(S) were found to exihibit a maximum value at∼3 at% of Ba. The increase of S and the decrease of hysteresis by minor additions of Ba impurities indicated the development of new higher perfomance actuator materials. The composition of Ba-PMN-PT (10/65/35) may be appropriate for capacitor materials because of low hysteresis and high polarization.
Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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2005.05a
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pp.35-39
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2005
This paper presents a method to reduce hysteresis in multilayer ceramic actuator by connecting the actuator with a capacitor in a series circuit. The change in hysteresis with respect to the capacitor was examined. $0.2Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.8Pb(Zr_{0.475}Ti_{0.525})O_3$ ceramic material was used as a piezoelectric material for the actuator. Displacement of the actuator was measured in a capacitive gap sensor measuring system. In case of inserting a capacitor in a total circuit, hysteresis became dramatically decreased, and then finally the hysteresis value can be reduced below $0.2\%$. It was found in this present study that reducing the hysteresis in the actuator is dependent upon the characteristics of the capacitor in total circuit and also operating frequency.
We suggest a new approach to lower the operating voltage of plasma display devices using a piezoelectric transformer (PT). $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3$ (PMNT) was used as a piezoelectric material. The Rosen-type PT, with a compact size of 10 mm ${\times}$ 20 mm ${\times}$ 0.3 mm, was fabricated on a glass substrate. The fabricated PT was operated as a half-wave vibration mode at around 80~90 kHz. The maximum voltage step-up ratio was 3 at 87.8 kHz when the input voltage was 10.32 V (peak-to-peak).
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2003.12a
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pp.163-168
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2003
In the present study, the piezoelectricity and polarization of multilayer ceramic actuator, being designed to stack PMN-PZ-PT ceramic layers and Ag-Pd electrode layers alternatively, were investigated under a consideration of geometric factor, the volume ratio of the ceramic to the electrode layers. The actuators were fabricated by tape casting of $0.2Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3)O_3-0.38PbZrO_3-0,42PbTiO_3$ followed by lamination and burnout & co-firing processes. The actuators of $10\times10\times0.6~2\textrm{mm}^3$ in size were formed in a way that $60 ~ 200\mu\textrm{m}$ thick were stacked alternatively with $5\mu\textrm{m}$ thick electrode layer. Increases in polarization and electric field-induced displacement with thickness of the ceramic layer were attributed to change of $90^{\circ}$/$180^{\circ}$ domain ratio, which was affected by interlayer internal stress. The piezoelectricity and actuation behaviors were found to depend upon the volume ratio (or thickness ratio) of ceramic to electrode layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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