잿빛곰팡이균(Botrytis cinerea)에 대한 N-phenylbenzenesulfonamides 유도체(1-45)들의 살균활성에 관한 비교 분자장 분석(CoMFA)을 정량적으로 검토하였다. 통계적으로 CoMFA 모델의 예측성과 상관성이 비교분자 유사성 지수분석(CoMSIA) 모델보다 월등히 좋았다. 최적화 된 CoMFA I 모델의 통계값은 예측성이 $r^2_{cv.}(or\;q^2)=0.457$ 그리고 상관성이 $r^2_{ncv.}=0.959$이었고 살균활성은 기질 분자들의 입체장(51.9%)과 정전기장(35.6%)에 의존적이었다. 또한 progressive scrambling 분석으로 얻어진 섭동에 대한 감도($d_q^{2'}/dr^2_{yy'}=0.898$)와 예측성($q^2=0.346$ 및 SDEP=0.614)에 의하여 최적의 CoMFA I 모델은 우연 상관성에 의존적이지 않음을 알았다. 그러므로 CoMFA I 모델의 등고도 분석 결과로부터, N-phenyl 고리상 $R_3$ 및 $R_4$-치환기는 입체적으로 크고 $R_1$-치환기로서 S-phenyl 고리상 para-치환기는 입체적으로 작은 치환체가 살균활성에 기여 할 것으로 기대되었으며 최적화 된 CoMFA I 모델은 잿빛곰팡이균에 대한 살균활성을 예측하는데 유용하게 활용될 수 있을 것이다.
본 연구는 후각점막에 내재하는 zinc의 분포를 형태학적으로 뚜렷이 보여준 예가 없기에 조직화학적으로 염색한 후 광학 및 전자현미경으로 이들의 분포를 기술하고자 하였다. 실험동물로는 성숙한 수컷 랫드(SD 계통)를 사용하였다. 우선 동물은 전신마취시킨 후 만들어진 selenium 용액 $100{\mu}l$를 복강에 주사하였고(i.p 실험군), 다른 방법으로는 selenium 용액 $100{\mu}l$를 비강 깁숙히 플라스틱관을 삽입한 후 Hamilton 주사기로 한 방울씩 떨어뜨렸다(i.n 실험군). 후각점막내 zinc를 조직화학법으로 동정하기 위해서 zinc 특이성이 높은 AMG법(Danscher, 1985)을 이용하였다. 각 실험군의 동물은 주사 후 2시간에 이르러 3% Glutaraldehyde 고정액으로 관류함으로써 희생시켰다. 고정후 비중격을 포함하여 후각부위를 떼어낸 수 $30{\mu}l$ 두께의 관상절편을 만들었다. AMG 반응이 끝나면 toluene blue (TB)로 대조염색하고, 알코올과 자일렌 등을 이용한 탈수과정 및 청명과정을 거쳐 광학현미경하에서 관찰하였다. 전자현미경적 절편을 만들기 위해 전자현미경 관찰을 위한 실험으로 vibratome을 사용하여, $100{\mu}m$ 두께의 가로절편을 만들었고, AMG염색이 끝나면 일반적인 전자현미경적 관찰을 위한 일련의 과정을 거쳐 투과전자현미경하에서 관찰하였다. Selenium 용액을 복강에 투여한 i.p 실험군에서는 $30{\mu}m$ 두께의 후각점막의 상층부와 기저부에서 강한 AMG 반응산물(silver grains)이 관찰되었으나 기저막아래 고유판에서는 전혀 관찰되지 않았다. 반면 selenium 용액을 비강점막에 직접 도포한 i.n 실험군에서는 i.p 실험군과 같이 후각점막에서 강한 AMG 반응이 관찰되었을 뿐만 아니라 이러한 반응이 기저막내 후각실의 주행을 따라 관찰되었다. 투과전자현미경으로 관찰된 후각상피에서는 AMG 과립이 지지세포의 세포 상층부에서 관찰되는 분비과립에 국한되는 소견이며, 이곳에서 관찰된 AMG은 과립(silver grains)은 원형 또는 난원형으로 그 크기는 다양하였다. 반면 세포체 하부에서 관찰된 AMG grains은 주로 용해소체위에서 밀집되어 관찰되었으며, 핵주변부 및 세포사이공간(intercellular space)에서는 AMG grains이 낱개로 구분, 관찰되었다. 한편 i.n 실험군에서 관찰된 후각점막의 전반적인 구조가 손상된 소견을 보였으며, 지지세포의 위쪽에서는 전자밀도가 높고 간상의 crystalloid structure가 다수 관찰되었고, 이들 구조에 다수의 AMG 과립이 붙어 있었다. 본 연구의 결과를 요약하면 랫드 후각점막에 존재하는 zinc는 지지세포의 분비과립과 후각세포의 축삭다발인 후각실에서 관찰되었는데 이는 zinc가 후각기능과 매우 밀접한 관련있음을 시사하며, 이는 향후 후각기능과 zinc의 연관성을 연구하는데 소중한 자료가 될 것으로 믿는다. 또한 본 연구의 결과는 후각점막의 이상으로 나타나는 여러 가지 질환의 병리에서 zinc가 영위하는 신경생물학적 기능을 밝히는데 유용한 기초자료가 될 수 있을 것으로 기대한다.
본 논문은 크기가 n와 k인 nheap과 kheap을 병합시키기 위한 병렬 알고리즘을 제 시함과 동시에 그들을 MasPar상에 실제로 구현하고자 하는데 그 주된 목적이 있다. 이때, EREW-PRAM(Exclusive-Read Exclusive-Write Parallel Random Acess Machin)상에 서 max(2$^{-1}$, $\ulcorner$(m+1)/4$\lrcorner$개의 프로세서를 이용해서 본 논문에 제시된 알고리즘 의 시간 복잡도가 O(log(n/k)*log(n))임을 제시하였다. 여기서 i는 heap의 height를 뜻하며, m은 크기 n과 k의 합으로 구성된 것이다. 또한 이것을 MasPar 컴퓨터에 적용 을 시켰을 때, 테이타의 양이 8백만개이고, 64개의 프로세서를 이용한 경우의 speedup 을 33.934를 얻었다. 이때 적용된 데이타의 형태는 불완전 힙상에서 크기가 k〈n를 지 니는 경우의 처리이다. 그리고 이같이 제시된 알고리즘의 EPU(Effective Processor Utilization)을 계산하면 1인 최적의 speedup율을 나타냄을 알 수가 있다.
The generalized noncommutative torus $T_{\rho}^d$ of rank m was defined in [2]. Assume that for the completely irrational noncommutative subtorus $A_{\rho}$ of rank m of $T_{\rho}^d$ there is no integer q > 1 such that $tr(K_0(A_{\rho}))=\frac{1}{q}{\cdot}tr(K_0(A_{\rho^{\prime}}))$ for $A_{\rho^{\prime}}$ a completely irrational noncommutative torus of rank m. All $C^*$-algebras ${\Gamma}({\eta})$ of sections of locally trivial $C^*$-algebra bundles ${\eta}$ over $M=\prod_{i=1}^{e}S^{2k_i}{\times}\prod_{i=1}^{s}S^{2n_i+1}$, $\prod_{i=1}^{s}\mathbb{PR}_{2n_i}$, or $\prod_{i=1}^{s}L_{k_i}(n_i)$ with fibres $T_{\rho}^d{\otimes}M_c(\mathbb{C})$ were constructed in [6, 7, 8]. We prove that ${\Gamma}({\eta}){\otimes}M_{p^{\infty}}$ is isomorphic to $C(M){\otimes}A_{\rho}{\otimes}M_{cd}(\mathbb{C}){\otimes}M_{p^{\infty}}$ if and only if the set of prime factors of cd is a subset of the set of prime factors of p, that $\mathcal{O}_{2u}{\otimes}{\Gamma}({\eta})$ is isomorphic to $\mathcal{O}_{2u}{\otimes}C(M){\otimes}A_{\rho}{\otimes}M_{cd}(\mathbb{C})$ if and only if cd and 2u - 1 are relatively prime, and that $\mathcal{O}_{\infty}{\otimes}{\Gamma}({\eta})$ is not isomorphic to $\mathcal{O}_{\infty}{\otimes}C(M){\otimes}A_{\rho}{\otimes}M_{cd}(\mathbb{C})$ if cd > 1 when no non-trivial matrix algebra can be ${\Gamma}({\eta})$.
The direct alleylation of 1,4-cyclohexanodione with 1-dodecene underwent in one stop and n-dodecyl-tetracyanoquinodimethano was synthesized. The total yield of n-dodecyl-tetracyunoquinodimethane was about 55.2% when the n-dodecyl-1,4-cyclohexanedione was a starting material.
Kim, Jihyun;Ren, F.;Schoenfeld, D.;Pearton, S.J.;Baca, A.G.;Briggs, R.D.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권2호
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pp.124-127
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2004
W/n-GaN Schottky diodes were irradiated with $^{60}Co\;{\gamma}-rays$ to doses up to 315Mrad. The barrier height obtained from current-voltage (I-V) measurements showed minimal change from its estimated initial value of ${\sim}0.4eV$ over this dose range, though both forward and reverse I-V characteristics show evidence of defect center introduction at doses as low as 150 Mrad. Post irradiation annealing at $500^{\circ}C$ increased the reverse leakage current, suggesting migration and complexing of defects. The W/GaN interface is stable to high dose of ${\gamma}-rays$, but Au/Ti overlayers employed for reducing contact sheet resistance suffer from adhesion problems at the highest doses.
Let D be an integral domain and S a multiplicative subset of D. An ascending chain (Ik)k∈ℕ of ideals of D is said to be S-stationary if there exist a positive integer n and an s ∈ S such that for each k ≥ n, sIk ⊆ In. As a generalization of domains satisfying ACCP (resp., ACC on ∗-ideals) we define D to satisfy S-ACCP (resp., S-ACC on ∗-ideals) if every ascending chain of principal ideals (resp., ∗-ideals) of D is S-stationary. One of main results of this paper is the Hilbert basis theorem for an integral domain satisfying S-ACCP. Also we investigate the class of such domains D and we generalize some known related results in the literature. Finally some illustrative examples regarding the introduced concepts are given.
본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 및 RF 특성을 최적화 하기위해서 2차원 소자 시뮬레이터를 이용하여 연구를 진행하였다. 먼저, AlGaN층의 두께, Al mole fraction 의 변화에 따른 2차원 전자가스 채널의 농도변화가 생기는 현상을 바탕으로 DC특성을 분석하였다. 다음 게이트, 소스, 드레인 전극의 크기와 위치 변화에 따른 RF 특성을 분석하였다. 그 결과 Al mole fraction이 0.2몰에서 0.45몰로 증가할수록 전달이득(transconductance, $g_m$) 과 I-V 특성이 향상됨을 확인하였다. 한편 AlGaN층의 두께가 10nm에서 50nm로 증가할수록 I-V특성은 향상되지만 $g_m$은 감소하는것을 확인하였다. RF 특성에서는 게이트 길이가 가장 큰 영향을 미치며 그 길이가 짧을수록 RF특성이 향상되는 것을 확인하였다.
In this paper, we study Noetherian Boolean rings. We show that if R is a Noetherian Boolean ring, then R is finite and $R{\simeq}(\mathbb{Z}_2)^n$ for some integer $n{\geq}1$. If R is a Noetherian ring, then R/J is a Noetherian Boolean ring, where J is the intersection of all ideals I of R with |R/I| = 2. Thus R/J is finite, and hence the set of ideals I of R with |R/I| = 2 is finite. We also give a short proof of Hayes's result : For every polynomial $f(x){\in}\mathbb{Z}[x]$ of degree $n{\geq}1$, there are irreducible polynomials $g(x)$ and $h(x)$, each of degree $n$, such that $g(x)+h(x)=f(x)$.
The two dimensional problem of a layered tribological system(TiN/Steel) containing a vertical surface breaking crack and subject to rolling contact is considered in this study. Using finite elements and stress extrapolation method, a series of preliminary models are developed. Preliminary results indicate that the extrapolation technique is valid to determine Modes I and II stress intensity factors for cracks. In the case of TiN/Steel medium, KI and KII were determined for variations in crack length, layer thickness, and load location. The results show that KII reaches maximum values when the contact is adjacent to the crack where Mode I stresses are compressive. KII values decrease with decreased crack length and significantly decrease for reduced layer thickness.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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