• 한국세라믹학회지
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• 제34권7호
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• pp.713-721
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• 1997

Molecular dynamic (MD) simulations with new interatomic potential function including the covalent bond were performed on the phase transition of $\alpha$-quartz-type GeO2 under high pressure. The optimized crystal structure and the pressure dependence of the lattice constant showed higher reproducibility than the previous models and were in very good agreement with the experimental data. A phase transition of $\alpha$-quartz and $\alpha$-quartz-type GeO2 by simulation was found approximately 24 GPa and 6-7 GPa, respectively. This phase transition involved an abrupt volume shrinkage and showed 4-6 coordination mixed structure with the increasing in the coordination number of cation.

• 한국광학회지
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• 제18권3호
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• pp.221-225
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• 2007

근적외선에서 발광하는 새로운 증폭 매질인 Bi 첨가 알루미노실리케이트 유리의 용융 온도를 낮추면서도 증폭 특성이 향상될 수 있도록 금속 산화물을 첨가한 샘플을 제작하여 분광학적 특성을 분석하였다. $Li_{2}O$의 조성비가 증가하면 형광스펙트럼의 반폭치는 증가하지만 형광 강도가 저하되고, $GeO_{2}$의 영향으로는 반폭치와 형광 강도가 동시에 증가하였다. $GeO_{2}$를 첨가한 시료에서 광 증폭 특성을 측정한 결과, 이전의 벌크 샘플에서 얻었던 것보다 우수한 증폭 특성을 가지고 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.147-148
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• 2006

Ge nanocrystals(NCs)-embedded MOS capacitors are charactenzed in this work using capacitance-voltage measurement. High-k dielectrics $HfO_2$ are employed for the gate material m the MOS capacitors, and the C-V curves obtained from $O_2-$ and $NH_3$-annealed $HfO_2$ films are analyzed.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권4호
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• pp.483-491
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• 2017

The interdigitated germanium (Ge) meta-lsemiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with and without an $SiO_2$ anti-reflection (AR) layer was fabricated, and the effect of $SiO_2$ AR layer on their optoelectronic response properties were investigated in detail. The lowest reflectance of 15.6% at the wavelength of 1550 nm was obtained with a $SiO_2$ AR layer with a thickness of 260 nm, which was in a good agreement with theoretically calculated film thickness for minimizing the reflection of Ge surface. The Ge MSM PD with 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer exhibited enhanced device performance with the maximum values of responsivity of 0.65 A/W, the quantum efficiency of 52.2%, and the detectivity of $2.49{\times}10^9cm\;Hz^{0.5}W^{-1}$ under the light illumination with a wavelength of 1550 nm. Moreover, time-dependent switching analysis of Ge MSM PD with 260 nm- thick $SiO_2$ AR layer showed highest on/off ratio with excellent stability and reproducibility. All this investigation implies that 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer, which is effective in the reduction in the reflection of Ge surface, has a great potential for Ge based optoelectronic devices.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권10호
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• pp.1-7
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• 2004

SOI 구조에서 형성된 MOS 트랜지스터의 장점과 strained Si에서 전자의 이동도가 향상되는 효과를 동시에 고려하기 위해 buried oxide(BOX)층과 Top Si층 사이에 Ge을 삽입하여 strained Si/relaxed SiGe/SiO₂Si 구조를 형성하고 strained Si fully depletion(FD) n-MOSFET를 제작하였다. 상부 strained Si층과 하부 SiGe층의 두께의 합을 12.8nm로 고정하고 상부 strained Si 층의 두께에 변화를 주어 두께의 변화가 electron mobility에 미치는 영향을 분석하였다. Strained Si/relaxed SiGe/SiO2/Si (strained Si/SGOI) 구조위의 FD n-MOSFET의 전자 이동도는 Si/SiO₂/Si (SOI) 구조위의 FD n-MOSFET 에 비해 30-80% 항상되었다. 상부 strained Si 층과 하부 SiGe 층의 두께의 합을 12.8nm 로 고정한 shrined Si/SGOI 구조 FD n-MOSFET에서 상부층 strained Si층의 두께가 감소하면 하부층 SiGe 층 두께 증가로 인한 Ge mole fraction이 증가함에 의해 inter-valley scattering 이 감소함에도 불구하고 n-channel 층의 전자이동도가 감소하였다. 이는 strained Si층의 두께가 감소할수록 2-fold valley에 있는 전자가 n-channel 층에 더욱더 confinement 되어 intra-valley phonon scattering 이 증가하여 전자 이동도가 감소함이 이론적으로 확인되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권6호
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• pp.250-254
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• 2023

본 연구에서는 중적외선 영역에서 투과 성능이 우수하며, 높은 굴절률을 갖는 Li₂O-BaO-Ga₂O₃-TeO₂-TiO₂-GeO₂계 유리를 합성하였으며, 각 성분의 함량 변화에 따른 열적, 광학적 특성을 분석하였다. Li₂O-BaO-Ga₂O₃-TeO₂-TiO₂-GeO₂ 계 유리에서, TeO₂의 함량이 증가함에 따라 굴절률이 증가하며 동시에 유리 전이 온도가 낮아짐을 확인하였다. 또한 BaO의 함량이 증가함에 따라 아베수의 감소 없이 굴절률이 증가하였다. IR cut-off 파장은 TeO₂ 및 BaO의 함량이 증가함에 따라 장파장으로 이동하는 것을 확인하였으며 이는 TeO₂ 및 BaO의 큰 몰질량 때문인 것으로 예상된다. Li₂O의 경우, BaO와 치환 형태로 첨가되었으며, 그 함량이 늘어날수록 굴절률의 큰 감소 없이, 유리 전이온도를 감소시킬 수 있는 것으로 확인되었다.

• 한국안광학회지
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• 제4권2호
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• pp.165-169
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• 1999

시료의 한 부분에 순간적으로 가열하여 시료의 특정 부분의 온도변화를 조사함으로써 시료의 열 확산도를 측정하였다. $Pb_5Ge_3O_{11}$ 단결정의 환산 열 확산도는 trigonal 구조인 $30^{\circ}C$에서는 $0.0117cm^2/^{\circ}C$, curie point 근방인 $178^{\circ}C$에서는 $0.0105cm^2/^{\circ}C$이며 hexagonal 구조인 $180^{\circ}C$에서는 0.0112cm로 각각 나타났다. 이는 $Pb_5Ge_3O_{11}$ 단결정을 같은 열량으로 가열하였을 때, 실온에서 curie 온도쪽으로 갈 때 가열 효과가 적었으며 curie point에서 최소가 되었다가 curie 온도 이상에서는 갑자기 증가하여 일정하게 되었다. 따라서 $Pb_5Ge_3O_{11}$ 단결정의 상전이 용도가 1m 근방임을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.876-884
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• 2017

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권8호
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• pp.787-791
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• 2000

Samples with the nominal composition, Bi2-xGexSr2CaCu2O8＋$\delta$ (x=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5) were prepared by the solid-state reaction method. We have studied the effect of substitution Ge for Bi and investigated the superconducting properties by changing oxygen content with Ge substitution. It was found that temperature difference, ΔK, between TCon and TCzero was considerably smaller in the samples prepared by the intermediate pressing method than that in the samples by the solid-state reaction method. We found the solubility limit of Ge to the 80 K single phase was around x=0.3. Within the solubility limit, lattice constant c decreased with the increase of x. In the region of the 80K single phase, the onset critical temperature TCon increased and excess oxygen content decreased with increase of x.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.192-192
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• 2013

본 연구에서는 RF/DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여co-sputtering 방법으로 성장시킨 고이동도를 갖는Ge-doped $In_2O_3$In2O3 (IGO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성을 평가하고, 이를 유기태양전지와 유기발광다이오드에 적용함으로써 고이동도 IGO 투명전극의 소자 적용가능성을 타진하였다. GeO2 타겟에 인가되는 도핑 Power와 급속열처리 온도가 30 W, $500^{\circ}C$일 때, 최적화 된 IGO 박막으로부터 $2.8{\times}10^{-4}$ Ohm-cm의 낮은 비저항과 86.9% (550 nm)의 높은 투과도를 확보하였다. 뿐만 아니라 Near Infra-red (750~1,200 nm) 영역에서의 IGO투명전극의 광투과율이 결정질의 ITO보다 높은(약15%) 투과도를 보이는 것을 통해 IGO박막의 높은 LAS (Lewis Acid Strength) 값을 가지는 Ge 원소의 도핑이 NIR 영역의 광투과율 향상에 미치는 영향을 확인할 수 있었다. 최적 조건의 IGO 박막을 적용하여 Fill Factor 67.38%, Short circuit current density 8.43 mA/cm2, open circuit voltage 0.60 V, efficiency 3.44%의 유기태양전지 및 19.24%의 외부양자효율을 갖는 유기발광다이오드를 제작함으로써 결정질 ITO 전극(20.05%)을 대체할 수 있는 고투과, 고이동도 IGO 투명 전극 및 이를 이용한 광전소자 적용 가능성을 타진하였다.