• 한국세라믹학회지
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• 제26권4호
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• pp.479-486
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• 1989

According to the phase diagram, 6Bi2O3.GeO2 composition melts congruently at 93$0^{\circ}C$ and forms a stable ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase below the melting point. But when the melt of this composition was cooled at a rate 1-15$0^{\circ}C$/min without tapping by a glass rod or impurity addition, a metastable $\delta$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase was formed. It is due to that as the nucleation energy barrier of $\delta$-6Bi2O3.GeO2 crystals, which have more open and defective structure, is lower than that of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals. When impurities or ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals existed in the melt, stable ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase was formed at various cooling rate. It is because of that the impurities or the ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals role as a seed crystal and as a result the nucleation energy barrier of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals is lowered.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권1호
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• pp.40-43
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• 2014

We investigated the growth characteristics and interfacial properties of $HfO_2$ films deposited on Ge substrate through atomic layer deposited (ALD) by using an in-situ medium energy ion scattering analysis. The growth kinetics of $HfO_2$ grown on a $GeO_2/Ge$ substrate through ALD is similar to that grown on an $SiO_2/Si$ substrate. However, the incubation period of $HfO_2$ deposition on Ge is shorter than that on Si. The $HfO_2$ grown on the GeO/Ge substrate shows a significant diffusion of Hf atoms into the substrate interface and GeO volatilization after annealing at $700^{\circ}C$. The presence of low-quality Ge oxide or suboxide may degrade the electrical performance of device.

• Journal of Ginseng Research
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• 제29권3호
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• pp.145-151
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• 2005

식물조직배양기술을 이용하여 Ge를 함유한 인삼 root를 생산하고자, 0.5mg/L BAP와 3.0mg/L NAA조합의 식물생장 조절물질로 유도된 인삼 root를 이용하여 배양을 위한 최적 $GeO_2$농도, $GeO_2$ 첨가시기 및 배지의 pH를 조사하였다. 인삼 root의 생장에 가장 좋은 $GeO_2$ 농도는 10ppm, $GeO_2$ 첨가시기는 배양 초기(0주), pH는 5.5였고, 인삼 root내 Ge의 함량이 가장 높았을 때의 $GeO_2$농도는 100ppm이었다. $GeO_2$를 첨가하여 배양한 기간이 길수록 Ge함량이 증가하였으나 6주 이후부터 생장율이 둔화되어 $GeO_2$ 100ppm에서는 생장율이 아주 낮아 대조구의 1/2 정도였다. 배양 초기에 $GeO_2$를 첨가하여 8주간 배양한 인삼 root의 Ge 함량이 $29.4mg\%$인데 반해, 배양 2주째에 $GeO_2$를 첨가한 인삼 root의 경우는 Ge 함량이 $38.6mg\%$이므로, 배양 후 2주 후에 $GeO_2$를 첨가하는 것이 인삼 root의 Ge흡수에 더욱 효과적이었다. Ge흡수가 가장 잘 이루어지는 최적 pH는 5.5였으며 사포닌 함량은 $GeO_2$의 첨가농도가 증가할수록 감소하였다.

• 한국약용작물학회지
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• 제4권2호
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• pp.101-108
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• 1996

강활의 캘러스 및 식물체 중 Ge 함량에 미치는 $GeO_2$와 구연산의 영향을 구명하기 위하여 식물체 부위별로 캘러스를 유도하고 캘러스 증식시 $GeO_2$와 구연산을 농도별로 처리하여 증식율 및 캘러스의 Ge 함량을 조사하였으며 강활을 pot에 재배하여 $GeO_2$와 구연산을 농도별로 시용하여 식물체 중의 Ge 함량을 조사한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 캘러스 유도는 소엽병 > 엽병 > 소엽 순으로 잘 되었고, 생장 조절제는 2, 4 - D 1. 0ppm에서 가장 잘되었다. 2. 캘러스 증식에는 2, 4 - D 농도별로는 2, 4 - D 2. 0ppm에서, 2, 4 - D 2. 0ppm이 첨가된 배지에서 $GeO_2$ 농도별로는 $GeO_2$ 2. 5ppm에서 2, 4 - D 2. 0ppm과 $GeO_2$ 2. 5ppm 첨가한 배지에서 구연산 농도와 pH별로는 구연산 0. 1, 1mM, pH 6에서 캘러스 증식이 가장 좋았다. 3. 캘러스 중 Ge 함량은 $GeO_2$ 시용량이 20ppm까지는 많을수록 높았고, 구연산과 pH 별로는 구연산은 0. 1mM, pH는 낮을수록 Ge 함량이 높았다. 4. 식물체 부위별 Ge 함량은 잎 > 뿌리 > 줄기 순으로 함량이 높았으며, $GeO_2$ 시용으로 Ge 함량이 높았고, 구연산 시용은 구연산 1mM에서 Ge 함량(含量)이 가장 높았고, 10mM 이상에서는 오히려 감소되었다. 5. $GeO_2$ 시용량 증가는 캘러스나 식물체 중 $GeO_2$ 함량을 증가시키나 기타 무기성분 함량은 감소되는 경향이었고 구연산 $0.\;1{\sim}1mM$ 시용으로 약간 증가되는 경향이다.

• 한국약용작물학회지
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• 제3권3호
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• pp.251-258
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• 1995

명조건에서 명일엽의 캘러스 유도와 증식은 $GeO_2$와 C.E. Ge.O. 처리 모두 거의 되지 않았다. 암조건 하의 캘러스 유도는 명일엽에서 $GeO_2$와 C. E. Ge. O. 처리 모두 5ppm까지 양호했고, 50ppm부터 저해되다가 100ppm $GeO_2$처리시는 거의 되지 않은 반면 100ppm C. E. Ge. O. 처리시는 다소 되었다. 명일엽의 캘러스 유도와 증식은 배지의 PH가 pH 5.7 > pH 5.4 > pH 6.0 순서로 좋았다. 명조건 하의 인삼에서는 $1{\sim}10ppm$에서 불량하게 생육하나 신초를 잘 형성했다. 암조건 하의 캘러스 증식은 명일엽에서 $GeO_2$나 C.E.Ge.O. 처리 시 모두 5ppm까지 양호했고, $GEO_2$처리시 50ppm부터 거의 되지 않았으나 C. E. Ge. O. 처리시는 pH5.7의 경우 100ppm에서도 다소 좋았다. 명일엽에서는 캘러스 증식 중 신초 형성이 많았는데 pH5.7에서 현저했다. 인삼에서는 암상태에서 $GeO_2$처리시 10ppm부터, C. E. Ge. O. 처리시는 50ppm부터 불량하면서 갈색으로 변했다. 암조건 하에서 $GeO_2$와 C. E. Ge. O. 의 모든 농도에서 명일엽의 캘러스가 인삼의 캘러스보다 함량이 높았다. 두 식물 모두 동일 농도에서 $GeO_2$처리한 캘러스가 C. E .Ge. O.의 것보다 높았다. 흡수양상에서 있어서는 명일엽의 경우 $GeO_2$는 10ppm까지 급속하게 홉수하고 그 이상의 농도에서는 완만한 반면 C. E. Ge. O.는 $GeO_2$에 비하여 100ppm까지 완만하게 흡수되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제27권4호
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• pp.567-573
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• 1990

Solidification condition for preparing transparent ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 polycrystals by unidirectional solidification of melt, were investigaetd and the properties of the polycrystals prepared were measured. The ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 polycrystals showing transparency like a single crystal were obtained by the unidirectional solidification of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 melt at a solidification rate of 0.5mm/h under a thermal gradient of 12$0^{\circ}C$/cm. The transparent polycrystals obtained showed the same photoconduction and optical activity as the ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 single crystals grown by Czochralski method. But the electro-optic effect of polycrystals was heterogeneous because the colummar ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals were not oriented to the particular crystallographic direction.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권12호
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• pp.981-988
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• 1991

Various crystal defects such as voids, inclusions dislocations, stacking faults and precipitates were observed in the Czochralski-grown Bi12GeO20 crystals. Particularly, precipitates were found in the whole crystals. The phase of these precipitates was identified as Bi4Ge3O12 by EPMA and transmission electron microscopy. The precipitates were produced by pulling rapidly from a non-stoichiometric charge. During the pulling of Bi12GeO20 crystals, the melt composition of stoichiometric charge was changed Bi-deficent with gradual volatilization of Bi2O3. Precipition of the second phase may have been affected by an abrube thermal stress. By adding excess Bi2O3 into the stoichiometric batch, the precipitation of Bi4Ge3O12 was suppressed. At a pulling speed of 2 mm/hr, clear and precipitate from crystals of Bi12GeO20 were grown from the melt of the Bi2O3 excess charge.

• 한국토양비료학회지
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• 제43권2호
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• pp.166-173
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• 2010

게르마늄 토양처리시 게르마늄 종류가 벼의 생육특성 및 부위별 게르마늄 흡수에 미치는 영향을 조사하기 위해 무기게르마늄 ($GeO_2$)과 수도작용 액상게르마늄으로 시비를 달리하여 게르마늄 종류에 따른 벼의 생육특성, 게르마늄 종류에 따른 부위별 게르마늄 흡수 특성을 각각 조사한 결과 수도작용 액상게르마늄 처리구와 무처리구의 경우 벼에 게르마늄에 의한 독성이 거의 나타나지 않은 반면에 $GeO_2$ 처리구에서는 일부 벼에서 게르마늄의 독성이 나타났다. 게르마늄 종류에 따른 잎의 게르마늄 흡수량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 177.0 ${\mu}g\;m^{-2}$로 수도작용 액상게르마늄 처리구보다 약 6배 높았으나, 줄기와 뿌리의 게르마늄 흡수량은 게르마늄 종류에 따라 전반적으로 큰 차이는 없었다. 게르마늄 종류에 따른 쌀겨 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구 및 수도작용 액상 게르마늄 처리구 모두 별 차이 없이 비슷한 경향이었고, 현미 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 40.9 mg $kg^{-1}$으로 수도작용 액상게르마늄 처리구의 평균 31.1 mg $kg^{-1}$보다 유의성 있게 높았다. 하지만 백미 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 7.9 mg $kg^{-1}$으로 수도작용 액상게르마늄 처리구의 평균 14.3 mg $kg^{-1}$보다 유의성 있게 낮았다. 게르마늄 종류에 따른 벼 부위별 게르마늄 흡수율은 전반적으로 잎 > 쌀겨 > 현미(백미) > 줄기 > 뿌리 순으로 잎에서 가장 높았다. 쌀의 미질은 전반적으로 게르마늄 종류에 따라 별 차이 없었으나 무처리구에 비해 약간 낮은 경향을 나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.346-352
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• 2000

15%와 42%의 Ge함량을 갖는 poly $Si_{1-x}Ge_x$ 박막을 $700^{\circ}C$의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly $Si_{0.8}Ge_{0.15}$박막의 경우, $GeO_2$에 비해 열적으로 안정한 $SiO_2$가 우선 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly $Si_{1-x}Ge_{x}$박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge농도가 증가함을 확인하였다. Poly $Si_{0.8}Ge_{0.42}$ 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 $GeO_2$와 Ge 형태로 존재하였고, 이러한 $GeO_2$의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 산화 모델을 제시하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권11호
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• pp.1269-1275
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• 1995

Effects of GeO2 addition on the thermal and structural stabilities of PbO-Bi2O3-Ga2O3 glasses were studied. Thermal stabilities, as assessed by the weighted thermal stability factors [(Tx-Tg)/Tg], increased with GeO2 concentraton from 0.097 to 0.210 with the addition of 20 mol% GeO2. Increasing GeO2 content resulted in the decrease of apparent density, molar volume, refractive index and thermal expansion. On the other hand, IR transmission cut-off (λT=50%) moved from 6.73${\mu}{\textrm}{m}$ for the ternary PbO-Bi2O3-Ga2O3 glass to shorter wavelength side, 5.98${\mu}{\textrm}{m}$ for a glass containing 20mol% GeO2. There were little change with GeO2 content, however, in the activation energies for the viscous flow of approximately 140 kcal/mole within the temperature interval of 300~50$0^{\circ}C$. Addition of GeO2 to PbO-Bi2O3-Ga2O3 glasses enhanced the thermal and structural stabilities significantly at the expense of their infrared transmittance. An appropriate compsomise between these two opposite trends should be made following the specifications of the final applications.