• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권10호
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• pp.1781-1786
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• 2007

Two copper(II) complexes, [CuL3](ClO4)2 bearing one N-CH2CH2CONH2 group as well as one N-CH2CH2CN group and [CuL4](ClO4)2 bearing two N-CH2CH2CONH2 groups, have been prepared by the selective hydrolysis of [CuL2](ClO4)2 (L2 = C-meso-1,8-bis(cyanoethyl)-5,5,7,12,12,14-hexamethyl-1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane). The complex [CuL5](ClO4)2 bearing one N-CH2CH2C(=NH)OCH3 and one N-CH2CH2CN groups has been prepared as the major product from the reaction of [CuL2](ClO4)2 with methanol in the presence of triethylamine. In acidic aqueous solution, the N-CH2CH2C(=NH)OCH3 group of [CuL5](ClO4)2 undergoes hydrolysis to yield [CuL6](ClO4)2 bearing both N-CH2CH2COOCH3 and N-CH2CH2CN groups. The crystal structure of [CuL5](ClO4)2 shows that the complex has a slightly distorted square-pyramidal coordination polyhedron with an apical Cu-N (N-CH2CH2C(=NH)OCH3 group) bond. The apical Cu-N bond distance (2.269(3) A) is ca. 0.06 A longer than the apical Cu-O (N-CH2CH2CONH2 group) bond of [CuL4](ClO4)2. The pendant amide group of [CuL3](ClO4)2 is involved in coordination. The carboxylic ester group of [CuL6](ClO4)2 is also coordinated to the metal ion in various solvents but is removed from the coordination sphere in the solid state.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권6호
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• pp.264-271
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• 2007

본 연구에서는 $Fe_2O_3-CoO-Cr_2O_3-MnO_2$계 색상의 무기안료를 공침법을 사용하여 합성하였다. 출발원료로는 $FeCl_3,\;CoCl_2,\;CrCl_3,\;MnCl_2$를 사용하였으며 침전제로는 2N-KOH를 사용하였다. $MnCl_2$는 10 mole%로 고정한 후 세 가지 원료로서 6가지 조성비를 만들어 안료를 합성하였다. 조합된 시료는 1.5시간 $1350^{\circ}C$에서 하소하였다. XRD, FT-IR, SEM 과 UV spectrophotometer를 사용하여 안료의 특성 분석을 하였다. 합성된 안료는 석회유, 석회 바륨유에 각각 6wt%씩 첨가하여 $1260^{\circ}C$ 산화소성, $1240^{\circ}C$ 환원 소성하였다. UV Spectrometer를 사용하여 색상분석을 한 결과는 black, bluish black, dark grayish green을 나타냈다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.388-392
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• 2002

In this work, the etching of $CeO_2$ thin films has been performed in an inductively coupled $Ar/CF_4/Cl_2$ plasma. The highest etch rate of the $CeO_2$ thin film ws 250 ${\AA}/min$ and the selectivity of CeO$_2$to SBT was 0.4 at a 10% additive $Cl_2$ into Ar/($Ar+CF_4$)gas mixing ratio of 0.8. From result of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, there are Ce-Cl and Ce-F bonding by chemical reaction between Cl, F and Ce. During the etching of $CeO_2$ thin films in $Ar/CF_4/Cl_2$ plama, Ce-Cl and Ce-F bond is formed, and these prodcuts can be removed by the physical bombardment of Ar ions. The 10% additive $Cl_2$ into the Ar/($Ar+CF_4$)gas mixing ratio of 0.8 could enhance the reaction between Cl, F and Ce.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2000년도 추계학술대회논문집
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• pp.29-32
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• 2000

Cerium oxide thin film has been proposed as a buffer layer between the ferroelectric film and the Si substrate in Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon (MFIS ) structures for ferroelectric random access memory (FRAM) applications. In this study, CeO$_2$thin films were etched with Cl$_2$/Ar gas combination in an inductively coupled plasma (ICP). The highest etch rate of CeO$_2$film is 230 $\AA$/min at Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) gas mixing ratio of 0.2. This result confirms that CeO$_2$thin film is dominantly etched by Ar ions bombardment and is assisted by chemical reaction of Cl radicals. The selectivity of CeO$_2$to YMnO$_3$was 1.83. As a XPS analysis, the surface of etched CeO$_2$thin films was existed in Ce-Cl bond by chemical reaction between Ce and Cl. The results of XPS analysis were confirmed by SIMS analysis. The existence of Ce-Cl bonding was proven at 176.15 (a.m.u.).

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.634-639
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• 2001

We investigated the etching characteristics of chromium films by using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures with electron cyclotron resonance plasma. In order to examine the chemical etch characteristics of Cr films by using Cl$_2$/O$_2$ gas plasma, we obtained the etch rate with various gas mixing ratios. By X-ray photoelectron spectroscopy, the surface reaction on the chromium films during the etch was examined. From narrow scan analyses of Cr, Cl, and O, it was confirmed that a chromium oxychlorie (CrCl$_{x}$O$_{y}$) layer was formed on the surface by the etch using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures. We observed a new characteristic emission line during the etch of chromium films using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures by an optical emission spectroscopy. It was found that the peak intensity of this emission line had a tendency compatible with the etch rate. The origin of this emission line was discussed in detail. At the same time, the etched profile was also examined by scanning electron microscope.e.e.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.29-32
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• 2000

Cerium oxide thin film has been proposed as a buffer layer between the ferroelectric film and the Si substrate in Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon (MFIS ) structures for ferroelectric random access memory (FRAM) applications. In this study, CeO$_2$ thin films were etched with Cl$_2$/Ar gas combination in an inductively coupled plasma (ICP). The highest etch rate of CeO$_2$ film is 230 $\AA$/min at Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) gas mixing ratio of 0.2. This result confirms that CeO$_2$ thin film is dominantly etched by Ar ions bombardment and is assisted by chemical reaction of Cl radicals. The selectivity of CeO$_2$ to YMnO$_3$ was 1.83. As a XPS analysis, the surface of etched CeO$_2$ thin films was existed in Ce-Cl bond by chemical reaction between Ce and Cl. The results of XPS analysis were confirmed by SIMS analysis. The existence of Ce-Cl bonding was proven at 176.15 (a.m.u.).

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권5호
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• pp.988-993
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• 2008

고정층 반응기에 충진한 $NaClO_2$에 의한 NO 산화특성을 온도와 가스조건 그리고 공간속도 등을 변화시켜가며 알아보았다. $NaClO_2$와 NO의 반응은 온도에 크게 의존함을 알 수 있었다. $110^{\circ}C$까지 $NaClO_2$와 NO의 반응성은 천천히 증가하고 그 이후의 온도에서는 빠르게 증가하였으며 $170^{\circ}C$ 부근에서 가장 높은 반응성을 나타내는 것을 확인하였다. 하지만 $190^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 $NaClO_2$가 NaCl, $NaClO_3$, 상전이하여 NO와의 반응성이 나타나지 않았다. $NaClO_2$와 NO 반응의 주 생성물은 $NO_2$였으며 가스상 형태의 ClNO, $ClNO_2$ 등이 부산물로 나타났다. 이는 $NaClO_2$에 의한 NO의 산화물인 $NO_2$와 $NaClO_2$가 반응하여 가스상 부산물인 OClO를 생성하고, 생성된 OClO가 잔류하는 NO를 $NO_2$로 산화시키며 발생되는 Cl에 의한 것임을 확인하였다. 이와 함께 수분 및 산소의 변화는 NO 산화에 주는 영향이 미미하다는 것을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권5호
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• pp.29-35
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• 1999

Pt박막의 ICP 식각을 위한 Cl\sub 2 \/Ar 가스 플라즈마에 O\sub 2\ 가스를 첨가하여 Pt 식각 메카니즘을 XPS와 QMS로 조사하였다. 또한 single Langmuir probe를 사용하여 이온전류밀도를 Ar/Cl\sub 2 \/O\sub 2\ 가스 플라즈마에서 측정하였다. O\sub 2\가스 첨가비가 증가할수록 Cl과 Ar species가 급격하게 감소하고 이온전류밀도 역시 감소함을 QMS와 single Langmuir probe로 확인하였다. Pt 식각율의 감소는 O\sub 2\가스 첨가비가 증가할수록 반응성 species와 이온전류밀도의 감소에 기인함을 의미한다. 150 nm/min의 치대 식각율과 2.5의 산화막식각 선택비가 50 sccm의 Ar/Cl\sub 2 \/O\sub 2\ 가수 유량, 600 W의 RF 전력, 125 V의 dc 바이어스 전압 및 10mTorr의 반응로 압력에서 얻었다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제15권2호
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• pp.236-242
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• 2008

이산화염소수 발생 최적조건을 검토하기 위하여 생성원료인 $NaClO_2$ 농도(0.01-0.1%)와 $Cl_2$ gas 투입량(100-1,000 g/hr)에 따른 chlorite, chlorate, FAC 및 chlorine dioxide의 생성량을 조사하였다. Chlorate, FAC 및 chloride dioxide 생성량은 $NaClO_2$ 및 $Cl_2$ 투입량이 증가할 수록 생성량이 증가하는 경향을 나타내었다. 이산화염소수 최적 생성조건은 0.1% $NaClO_2$, 900 g/hr $Cl_2$ gas 농도였으며 발생한 이산화염소수의 $ClO_2$는 882 ppm, FAC는 8.0 ppm, chlorite는 검출되지 않았고 chlorate는 43.32 ppm이었다. 이때의 수율과 순도는 각각 97.0%, 96.0%였다. 상추, 치콘, 깻잎, 케일의 채소류에 대한 세정 침지 살균에서는 이산화염소수 농도의존성 감균 효과를 나타내어 3-4 log의 총균수 감소 효과가 있었다. 과일의 경우에도 농도 의존성 감균 효과는 동일하였으며 대략 3-5 log의 총균수 감균 효과가 있었다.

• 대한화학회지
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• 제55권1호
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• pp.28-37
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• 2011

본 연구에서는 Benzanthrone 치환체인 3-N-2-hydroxy ethylamine benzanthrone (HEAB)와 3-N-2-amino ethylamine benzanthrone (AEAB)의 Cu(II), Co(II) 및 Ni(II) 염화물 착물에 대한 분광학 (IR, UV-vis 및 $^1H$-NMR), 원소분석, 몰전도도, 열무게분석 (TGA/DTG) 및 생물학적 특성에 대해 고찰하였다. 이 연구의 결과에서 HEAB리간드가 히드록소 및 아미노기를 통하여 각 금속에 배위되어 [Cu(HEAB)$(Cl)_2$].$2H_2O$, [Co(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$8H_2O$ 및 [Ni(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$7H_2O$ 착물을 형성함을 알았다. 한편, AEAB는 [Cu(HEAB)$(Cl)_2$].$2H_2O$, [Co(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$8H_2O$ 및 [Ni(HEAB)$(Cl)_2(H_2O)_2$].$7H_2O$의 분자식을 갖는 팔면체 배위구조를 갖는다. $25^{\circ}C$ DMF에서 모든 착물의 몰전기전도도는 반응안한 리간드보다 약간 컸는데, 이는 염화 이온이 배위권 내부에 존재함을 의미한다. Benzanthrone계 리간드와 이들 착물을 이용하여 서로 다른 종류의 박테리아에 대한 생물활성을 조사하였다.