NR composites with different curing systems were aged thermally at 60, 70, 80, and $90^{\circ}C$ for 2-185 days in a convection oven, and the changes in the crosslink density were investigated as a function of the accelerated thermal aging. The overall crosslink densities increased with increasing aging time irrespective of the aging temperatures and curing systems. The changes in crosslink density were enhanced by increasing the aging temperature. The degree of the increased crosslink density was in the following order: "the conventional cure system > the semi-EV system > the EV system". For short term thermal aging, the change in crosslink density with the aging time was complicated, particularly for low temperature aging. The activation energies of the change in crosslink density with thermal aging using the conventional and semi-EV cure systems increased and then remained relatively constant with increasing aging time, whereas that of the specimen with an EV cure system tended to increase linearly. The experimental results were explained by the dissociation of the existing polysulfidic linkages and the formation of new cross links through the crosslinking-related chemicals remaining in the sample.
The electronic transitions from the ground state to low-lying excited states of CF₃OH have been investigated using high level ab initio quantum mechanical techniques. Also the possible photodissociation procedures of CF₃OH have been considered. The highest level employed in this study is TZP CCSD(T) level of theory. The possible four low-lying excited states can result by the excitation of the lone pair electron (n) in oxygen to σ$^*$ molecular orbital in C-O or O-H bond. The vertical transition (n → σ$^*$) energy is predicted to be 220.5 kcal/mol (130 nm) at TZ2P CISD level to theory. The bond dissociation energies of CF₃OH to CF₃O +H and CF₃+OH have been predicted to be 119.5 kcal/mol and 114.1 kcal/mol, respectively, at TZP CCSD level of theory. In addition, the transition state for the unimolecular decomposition of CF₃OH into CF₂O + HF has been examined. The activation energy and energy separation for this decomposition have been computed to be 43.6kcal/mol and 5.0 kcal/mol including zero-point vibrational energy corrections at TZP CCSD(T) level of theory.ed phenols were also estimated.
Kim, Joo-Sung;Byun, Dong-Jin;Kim, Jin-Sang;Kum, Dong-Wha
Korean Journal of Materials Research
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v.9
no.12
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pp.1216-1221
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1999
GaN films were deposited on sapphire [$Al_2O_3(0001)$] substrates at relatively low temperature by MOCVD using N-atom source based on a Dielectric Barrier Discharged method. Ammonia gas($NH_3$is commonly used as an N-source to grow GaN films in conventional MOCVD process, and heating to high temperature is required to provide sufficient dissociation of $NH_3$. We used a dielectric barrier discharge method instead of $NH_3$ to grow GaN film relatively low temperature. DBD is a type of discharge, which have at least one dielectric material as a barrier between electrode. DBD is a type of controlled microarc that can be operated at relatively high gas pressure. Crystallinity and surface morphology depend on growth temperature and buffer layer growth. With the DBD-MOCVD method, wurtzite GaN which is dominated by the (0001) reflection was successfully grown on sapphire substrate even at $700^{\circ}C$.
Swelling behaviors of raw (Specimen-R) and compressed (Specimen-C) samples of maleic anhydride-grafted EPDM (MAH-g-EPDM) depending on the treatment with dichloroacetic acid were investigated. Structural characteristics of the samples were analyzed by nuclear magnetic resonance spectroscopy (NMR) and attenuated total reflectance-Fourier transform infrared spectroscopy (ATR-FTIR). When the samples were not treated with dichloroacetic acid, the swelling ratio of Specimen-R was greater than that of Specimen-C by about twice and the swelling ratio change was negligible though the process of swelling and drying was repeated. When the samples were treated with dichloroacetic acid, the first swelling ratios were increased but the second ones were decreased. For the Specimen-C, the swelling ratio of the sample without the dichloroacetic acid treatment and the second swelling ratio of the sample treated with dichloroacetic acid were nearly the same. However, for the Specimen-R, the second swelling ratio of the sample treated with dichloroacetic acid was strikingly lower than that of the sample without the dichloroacetic acid treatment. The swelling ratio change according to the dichloroacetic acid treatment was explained by dissociation of the existing crosslinks and formation of new crosslinks.
Reforming of propane by carbon dioxide using NiO/${\gamma}$-$A1_2O_3$ was carried out in a pulse or continuous kid bed reactor. NiO/${\gamma}$-$Al_2O_3$ showed higher dissociation ability of $CO_2$ than NiO/${\gamma}$-$Al_2O_3$, and the former exhibited higher conversion of propane than the latter. The presence of oxygen in the reaction mixture of propane and $CO_2$ increased the conversion of propane and reduced the amount of carbon deposit on the catalyst surface. Mechanical mixture catalyst of NiO/${\gamma}$-$Al_2O_3$ and $Ga_2O_3$ showed higher stability to deactivation than NiO/${\gamma}$-$Al_2O_3$ itself. The synergistic effect between NiO/${\gamma}$-$Al_2O_3$ and $Al_2O_3$ was also observed in this study.
To enhance the performance of cathodes at low temperatures, a Cu-coated cathode is prepared, and its electrochemical performance is examined by testing its use in a single cell. At $620^{\circ}C$ and a current density of $150mAcm^{-2}$, a single cell containing the Cu-coated cathode has a significantly higher voltage (0.87 V) during the initial operation than does that with an uncoated cathode (0.79 V). According to EIS analysis, the high voltage of the cell with the Cu-coated cathode is due to the dramatic decrease in the high-frequency resistance related to electrochemical reactions. From XPS analysis, it is confirmed that the Cu is initially in the form of $Cu_2O$ and is converted into CuO after 150 h of operation, without any change in the state of the Ni or Li. Therefore, the high initial cell voltage is confirmed to be due to $Cu_2O$. Because $Cu_2O$ is catalytically active toward $O_2$ adsorption and dissociation, $Cu_2O$ on a NiO cathode enhances cell performance and reduces cathode polarization. However, the cell with the Cu-coated cathode does not maintain its high voltage because $Cu_2O$ is oxidized to CuO, which demonstrates similar catalytic activity toward $O_2$ as NiO.
The present study was designed to develop a new method for the determination of estrogen receptor in porcine uterus using frozen sections. Cryostat sections were incubated with $^3H$-estradiol($^3H$-$E_2$) in the presence or absence of diethylstilbestrol(DES) and the radioactivity of 3H-E2 bound to estrogen receptor(ER) was detected. The level of specific estrogen receptor was determined by Scatchard analysis. The highest ratio of specific binding against total binding was achieved in 3 sec. tions(5mm x 5mm) which was corresponded to lOO${\mu}$/ml protein concentration. Optimal binding was obtained during incubation with $^3H$-$E_2$ for 30 minutes at 23$^{\circ}C$ after treatment of sections with acetone for 20 seconds. Three time-washing of sections was proved to be appropriate for the removal of unbound 3H-E2. 200-fold molar excess of DES was substituted for the binding of $^3H$-$E_2$ to ER sufficiently(binding efficiency of 54.8%). ER was saturated with 4nM of $^3H$-$E_2$ and its dissociation constant was 0.1nM. ER assay using frozen sections(Histological radioreceptor assay, HRRA) was significantly correlated with radioreceptor assay for estradiol(RRA, 0.976 , p
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2006.05a
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pp.383-386
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2006
Several HTPB/AP and HTPB/AP/HMX propellants were investigated experimentally for ignition characteristics in subatmospheric pressure. The threshold ignition pressure was 4psia for HTPB/AP composite propellant. The partial replacement of AP in HTPB/AP composite propellant by $5\sim15%$ of HMX, HNIW showed improvements in the threshold pressure was below 0.4psia. This appears to be due to the exothermic dissociation characteristics of HMX and HNIW at lower temperature $(\sim220^{\circ}C)$ than that of AP. The ignition substance B/KNO3 was coated thinly on the propellant surface for better ignition effect. As a result, ignition delay time of 15% was improved. NC is applied to $B/KNO_3$ ignition substance as a secondary binder and $NC-B/KNO-3$ suspension solution is coated to the propellant surface.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.7
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pp.85-94
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1994
A high-resolution transmission electron microscopy study of the solid phase crystallization of the amorphous silicon thin films, deposited on SiOS12T at 52$0^{\circ}C$ by low pressure chemical vapor deposition and annealed at 55$0^{\circ}C$ in a dry N$_{2}$ ambient was carried out so that the arrangement of atoms in the crystalline silicon and at the amorphous/crystalline interface of the growing grains could be understood on an atomic level. Results show that circular crystalline silicon nuclei have formed and then the grains grow to an elliptical or dendritic shape. In the interior of all the grains many twins whose{111} coherent boundaries are parallel to the long axes of the grains are observed. From this result, it is concluded that the twins enhance the preferential grain growth in the <112> direction along {111} twin planes. In addition to the twins. many defect such as intrinsic stacking faults, extrinsic stacking faults, and Shockley partial dislocations, which can be formed by the errors in the stacking sequence or by the dissociation of the perfect dislocation are found in the silicon grain. But neither frank partial dislocations which can be formed by the condensation of excess silicon atoms or vacancies and can form stacking fault nor perfect dislocations which can be formed by the plastic deformation are observed. So it is concluded that most defects in the silicon grain are formed by the errors in the stacking sequence during the crystallization process of the amorphous silicon thin films.
Min Soo Cho;Hyoung Ryun Park;Soon Ki Rhee;Kye Soo Lee;Bon Su Lee
Journal of the Korean Chemical Society
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v.35
no.3
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pp.196-203
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1991
The $pK_a$ values of benzoic acid and meta, para-halogen substituted benzoic acids in MeOH-$H_2O$ mixtures (0∼80% of MeOH) have been determined at 25$^{\circ}$C using a conductometric method on the basis of the Fuoss-Kraus equation, and further verified using modified conductometric method of Gelb. The dependence of $pK_a$ on halogen substituents has been discussed in terms of substituent-constant (${\sigma}$), which is devided into electron-withdrawing inductive contribution (${\sigma}_1$) and electron-donating ${\pi}$-resonance one (${\sigma}_R$). The linear-dependence of ${\sigma}_1$'s on $D^{-1}$ with positive slope and that of ${\sigma}_R$'s on $D^{-1}$ with negative slope have been interpreted on the basis of field effect and through-space interaction of ${\pi}$-lone pair of halogen substituent and ionization center via ${\pi}$-system of benzene ring.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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