Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.377-377
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2011
Organic solar cells (OSCs) with low cost have been studied to apply on flexible substrate by solution process in low temperature [1]. In previous researches, conventional organic solar cell was composed of metal oxide anode, buffer layer such as PEDOT:PSS, photoactive layer, and metal cathode with low work function. In this structure, indium tin oxide (ITO) and Al was generally used as metal oxide anode and metal cathode, respectively. However, they showed poor reliability, because PEDOT:PSS was sensitive to moisture and air, and the low work function metal cathode was easily oxidized to air, resulting in decreased efficiency in half per day [2]. Inverted organic solar cells (IOSCs) using high work function metal and buffer layer replacing the PEDOT:PSS have focused as a solution in conventional organic solar cell. On the contrary to conventional OSCs, ZnO and TiO2 are required to be used as a buffer layer, since the ITO in IOSC is used as cathode to collect electrons and block holes. The ZnO is expected to be excellent electron transport layer (ETL), because the ZnO has the advantages of high electron mobility, stability in air, easy fabrication at room temperature, and UV absorption. In this study, the IOSCs based on poly [N-900-hepta-decanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(40,70-di-2-thienyl-20,10,30-benzothiadiazole)] (PCDTBT) : [6,6]-phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC70BM) were fabricated with the ZnO electron-transport layer and MoO3 hole-transport layer. Thickness of the ZnO for electron-transport layer was controlled by rotation speed in spin-coating. The PCDTBT and PC70BM were mixed with a ratio of 1:2 as an active layer. As a result, the highest efficiency of 2.53% was achieved.
Han Jonghee;Lee Kab Soo;Chung Chang-Yeol;Yoon Sung-Pil;Nam Suk-Woo;Lim Tae-Hoon;Hong Seong-Ahn
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.4
no.3
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pp.125-131
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2001
A long-term variation of electrode polarization in the MCFC has been analyzed successfully using a single cell with a Au, $CO_2/O_2$ reference electrode Four different cells with different components were operated and their electrode polarizations were analyzed. As published in the literatures, the cathode polarization was larger than that of the anode. The more stable operation of a single cell with the Al-coated cell frame up to 6,000hrs indicates that the corrosion at the cell frame, particularly wet seal area, plays an important role to determine the lifetime of a MCFC. At the initial stage of the cell operation, the voltage of the cell using a cathode stabilized by the $LiCoO_2$ coating was relatively low due to the high cathode polarization. As the cell was operated and the stabilized cathode was lithiated sufficiently, the cathode polarization decreased and the cell voltage was recovered. It was observed that the voltage of the cell using the $Li_2CO_3/Na_2CO_3$ electrolyte fluctuated with operation time and the cathode polarization fluctuated along with the cell voltage quite similarly. Although the mechanisms of the voltage fluctuation were not clear yet, the results imply that the voltage fluctuation was related with a reaction in the cathode side. After testing every single cell, the cathode polarization increased with the steep decrease in the cell voltage. Thus, the cathode should be improved in order to develop more durable MCFC.
Lim, Sang Chul;Koo, Jae Bon;Park, Chan Woo;Jung, Soon-Won;Na, Bock Soon;Lee, Sang Seok;Cho, Kyoung Ik;Chu, Hye Yong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.344-344
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2014
Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.
Lee, Sang Hee;Park, Byung Min;Kim, Ki Hong;Chang, Young Chul;Pyee, Jaeho;Chang, Ho Jung
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.23
no.3
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pp.57-61
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2016
In order to protect the solar cells from the moisture and oxygen, we evaluated the electrical and optical properties for the $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) solar cells which were prepared by the spray coating method. Generally, the EVA (ethylene-vinyl acetate) films are laminated to protect the CIGS flexible solar cells, which results in a high cost process due to complicated devices. In this study, we tried to prepare the protection layers of the flexible CIGS flexible solar cells by using spray coating method instead of conventional laminating films in order to reduce the device weight as well as the process time. The CIGS solar cells with spray coating method showed an enhanced efficiency than the before treated sample (2.77% to 2.93%) and relatively proper water vapor transmission rate of the solar cells about 62.891 gm/[$m^2-day$].
The efficiency of fiber reinforced CMC(ceramic matrix composite) on the SiC materials have been investigated, in conjunction with the fabrication process by liquid phase sintering and the characterization. LPS-$SiC_f$/SiC composites was studied with the detailed analysis such as the microstructure, sintered density, flexural strength and fracture behavior. The applicability of carbon interfacial layer has been also investigated in the LPS process. Submicron SiC powder with the constant total amount and composition ratio of $Al_2O_3,\;Y_2O_3$ as sintering additives was used in order to promote the performance of the SiC matrix material. LPS-$SiC_f$/SiC composites were fabricated with hot press under the sintering temperature and applied pressure of $1820^{\circ}C$ and 20MPa for 1hr. The typical property of monolithic LPS-SiC materials was compared with LPS-$SiC_f$/SiC composites.
Kim, Jung-Woo;Kim, Nam-Hun;Kim, Hyoung-Sub;Jung, Dong-Geun;Chae, Hee-Yeop
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.301-301
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2010
In order to enhance the efficiency of the organic solar cells, the effects of plasma surface treatment with using $CF_4$ and $O_2$ gas on the anode ITO were studied. The polymer solar cell devices were fabricated on ITO glasses an active layer of P3HT (poly-3-hexylthiophene) and PCBM ([6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester) mixture, without anode buffer layer, such as PEDOT:PSS layer. The metallic electrode was formed by thermally evaporated Al. Before the coating of organic layers, ITO surface was exposed to plasma made of $CF_4$ and $O_2$ gas, with/without heat treatment. In order to identify the effect the surface treatment, the current density and voltage characteristics were measured by solar simulator and the chemical composition of plasma treated ITO surface was analyzed by using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). In addition, the work function of the plasma treated ITO surface was measured by using ultraviolet photoelectron spectroscopy(UPS). The effects of plasma surface treatment can be attributed to the removal organic contaminants of the ITO surface, to the improvement of contact between ITO and buffer layer, and to the increase of work function of the ITO.
Proceedings of the Korea Committee for Ocean Resources and Engineering Conference
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2003.10a
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pp.35-40
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2003
본 연구에서는 취성재료이면서, 세라믹과 유사한 성질을 가지며 내부균열관찰이 용이한 상업용 유리의 표면에 세라믹 플라즈마 용사 코팅한 후 입자 충격시험을 실시하였다. 코팅분말로는 매마모성 및 내충격성이 우수하여 산업계에서 널리 사용되고 있는 $Al_{2}O_{3}$ 분말을 사용하였으며, 충격입자로는 고경도의 STB2 볼베어링강을 사용하였다. 공기압축기를 장착한 입자 충격시험기를 이용하여 강구입자 충격시험을 실시한후, 실체현미경을 이용하여 손상정도를 분석하였다. 그리고 코팅입자의 크기 및 기공율에 따른 손상 정도를 분석 방법에 따라 손상정도를 비교${\cdot}$검토하였다.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.29
no.2
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pp.317-322
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2012
The microstructures were examined by SEM, FT-IR spectra, tensible properties mole % of [NCO/OH], and particle size analyzer. Growing concerns in the environment-friendly industries have led to the development of solvent-free formulations that can be cured. We had synthesized the polyurethane resin having the ability to protect stainless steel against corrosion. Compared with general packing materials and coatings, this resin is highly stronger in intensity and longer durability. Polyurethane resins were composed of polyols, IPDI, silicone surfactant, catalyst and crosslink agent. Moreover, thermal fillers such as $Al_2O_3$, fume silica and $ZrO_2$ not only accelerated the curing rate but also improved the physical property as thermal barriers. The rigid segments of polyurethane in mechanical properties were due to crosslink agent and the increase of [NCO/OH]. In conclusion, the polyurethane microstructure with crosslink agent can be good material for themoset coating of metal substrates such as stainless steel.
Electron Beam Physical Vapor Deposition (EB-PVD) is a typical technology for thermal barrier coating with Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) on aero gas turbine engine. In this study EB-PVD method was used to fabricate dense YSZ film on NiO-YSZ as a electrolyte of Solid Oxide Fuel Cell (SOFC). Dense YSZ films of -10 $\mu$m thickness showed nano surface structure depending on deposition temperature. Electrical conductivities of YSZ film and electric power density of the single cell were evaluated after screen- printing $LaSrCoO_3$ as a cathode.
The thermal barrier coating must withstand erosion when subjected to flowing gas and should also maintain good stability and mechanical properties while it must also protect the turbine component from high temperature, hot corrosion, creep, and oxidation during operation. In this study we investigated the influence of subsurface layer, $Al_2O_3$ or NiCrCoAIY bond coat layer, on the indentation damage behavior of YSZ thermal barrier coating layers deposited by electron beam physical vapor deposition (EB-PVD). The bond coat is deposited using different process such as air plasma spray (APS) or spray of high velocity oxygen fuel (HVOF) and the thickness is varied. Hertzian indentation technique is used to induce micro damages on the coated layer. The stress-strain behaviors are characterized by results of the indentation tests.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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