We studied Nb growth mode on Cu(100) surface by scanning tunneling microscopy (STM) at room temperature. Nb/Cu is immiscible at room temperature and thus is an ideal system for studying surface alloy formation. Initially deposited Nb atoms are incorporated subsurface on Cu(100). After annealing, they are preferentially found at step edges and appear as bright dots surrounded by dark rings. Ordering emerges from step edges as annealed. Ordered ({{{{ SQRT { 5} }$\times${{{{ SQRT { 5} }}}})R 26.6$^{\circ}$phase Nb structure is formed at $\theta$<0.2ML after annealing to 50$0^{\circ}C$. At higher coverage, $\theta$>0.25, annealing leads to p(2$\times$2) phase. due to large mismatch in lattice parameters, the domain is limited to a few tens of nm2. Growth kinetics of the system will be discussed.
In this paper, we introduce arithmetic ${\mathcal{I}}$-statistically convergent sequence space $A{\mathcal{I}}SC$, ${\mathcal{I}}$-lacunary arithmetic statistically convergent sequence space $A{\mathcal{I}}SC_{\theta}$, strongly ${\mathcal{I}}$-lacunary arithmetic convergent sequence space $AN_{\theta}[{\mathcal{I}}]$ and prove some inclusion relations between these spaces. Futhermore, we give ${\mathcal{I}}$-lacunary arithmetic statistical continuity. Finally, we define ${\mathcal{I}}$-Cesàro arithmetic summability, strongly ${\mathcal{I}}$-Cesàro arithmetic summability. Also, we investigate the relationship between the concepts of strongly ${\mathcal{I}}$-Cesàro arithmetic summability, strongly ${\mathcal{I}}$-lacunary arithmetic summability and arithmetic ${\mathcal{I}}$ -statistically convergence.
Let R be a commutative ring with identity and let M be an R-module. Then M is called a multiplication module if for every submodule N of M there exists an ideal I of R such that N = 1M. Let M be a non-zero multiplication R-module. Then we prove the following: (1) there exists a bijection: N(M)$\bigcap$V(ann$\_{R}$(M))$\rightarrow$Spec$\_{R}$(M) and in particular, there exists a bijection: N(M)$\bigcap$Max(R)$\rightarrow$Max$\_{R}$(M), (2) N(M) $\bigcap$ V(ann$\_{R}$(M)) = Supp(M) $\bigcap$ V(ann$\_{R}$(M)), and (3) for every ideal I of R, The ideal $\theta$(M) = $\sum$$\_{m(Rm :R M) of R has proved useful in studying multiplication modules. We generalize this ideal to prove the following result: Let R be a commutative ring with identity, P $\in$ Spec(R), and M a non-zero R-module satisfying (1) M is a finitely generated multiplication module, (2) PM is a multiplication module, and (3) P$^{n}$M$\neq$P$^{n+1}$ for every positive integer n, then $\bigcap$$^{$\_{n=1}$(P$^{n}$ + ann$\_{R}$(M)) $\in$ V(ann$\_{R}$(M)) = Supp(M) $\subseteq$ N(M).
타워크레인의 횡방향 지지와 마스트의 횡강성 및 강도를 확보하기 위하여 횡하중 저항요소로서 사용되는 것이 월타이(wall tie)이다. 본 연구에서는 국내에서 가장 많이 사용되고 있는 독일 립헬사의 T형 타워크레인(기종 290HC, 작업반경: 70m, 인양하중: 12tf)을 대상으로 하고 마스트 및 월타이의 사용부재는 H형강보 구조의 구조물을 모델로 선정하여 월타이의 부재력, 월타이의 각도변화 및 각도범위에 따른 부재력의 변화를 분석하여, 실용적이고 안전한 월타이의 각도범위를 제안하여 현장기술자가 최적의 월타이를 배치할 수 있도록 하였다. 본 연구를 통하여 건축용 타워크레인의 훅크양정을 증대시키기 위하여 설치되는 횡방향지지요소인 월타이의 부재력 계산식을 구하고, 이를 프로그래밍하여 마스트 중심과 월타이 브라켓 간 거리를 변화시키면서, 월타이 각도별 월타이 부재력을 반복계산하여 월타이 부재력 특성곡선을 그리고 이를 분석하였다.
물리학에서 Snell의 법칙으로 불리는 굴절의 법칙은 수학사적으로 매우 중요한 의미를 가진다. Snell이 많은 관찰 자료를 바탕으로 굴절의 법칙 $\frac{v_1}{sin{\theta}_1}=\frac{v_2}{sin{\theta}_2$를 발견한 이후 많은 수학자들은 '최소 시간의 원리'를 사용하여 이 식을 수학적으로 증명하려 시도하였으며 이러한 노력은 미분의 발명을 촉진한 주요한 동력 중의 하나였다. format는 자신만의 방법을 개발하여 이 문제를 최초로 해결하였으며, 이때 Format가 사용한 극대$cdot$극소 방법은 현대의 미분을 통한 방법과 유사한 것으로 이후 Leibniz의 무한소 방법의 기원이 되었다. 역사적으로 수학과 물리학은 밀접하게 상호작용하면서 과학의 발전을 이끌었다. 굴절의 법칙은 이러한 수학과 물리학의 관계를 잘 보여준다. 물리학은 수학에 질문을 제기하고 수학은 보편적인 원리로 그것을 해결함으로써 처음의 현상보다 더 넓은 현상까지 포괄적으로 설명한다. 수학교육의 목적은 완성된 수학을 배우는 것뿐만 아니라 수학을 응용할 줄 아는 능력이라는 Freudenthal의 말을 생각할 때, 굴절의 법칙은 고등학교의 우수한 학생이나 대학의 수학 교육과정에 적합한 소재이다. 대학의 수학이나 물리학 전공과정에서는, 미분을 통한 현대적인 방법뿐만 아니라 format의 방법(미분을 명시적으로 사용하지는 않았지만 원시적인 미분의 방법을 쓰고 있는)을 동시에 다루면서 양자를 비교하는 기회를 가지는 것은 교육적으로 가치 있는 일이라 생각된다.
This paper proposes a design of stepper motor control in microstep driven mode using FPGA (Field Programmable Gate Array) for hardware implementation. The methods to drive stepper motor in microstep excitation mode are to control of the controlling currents in each phase windings of stepper motor with reference signals. These reference signals are used for controlling the current levels, the required variation of current levels with rotor position can be obtained from the ideal linear or sinusoidal approximations to the static torque-displacement ($T-{\theta}$) characteristic curve. In addition, the hardware implementation of stepper motor controller can be designed uses VHDL (Very high speed integrated circuits Hardware Description Language) and synthesis using an Altera FPGA, FLEX10K family, EPF10K20RC240-4 device as target technology and use MAX+PlusII program for overall development. A multi-stack variable-reluctance stepper motor of Sanyo Denki is used in the experiments.
폴리이미드 분리막에 의한 $CCl_2F_2/Air$ 혼합물의 분리특성에 관하여 온도, 압력, stage cut(${\theta}$), 주입기체 조성등의 영향을 규명하였다. 본 연구의 실험범위 내에서 이상분리인자(ideal separation factor)는 600-200이었으며, glassy polymer인 폴리이미드 분리막에 대하여 투과도가 높은 air의 투과도는 $CCl_2F_2$ (dichlorodifluoromethane, CFC-12)에 의하여 상당히 감소함을 알 수 있었다. 그러나, 폴리이미드 분리막에 대한 투과도가 낮은 $CCl_2F_2$의 투과도는 air에 의하여 투과도가 증가하였다. 또한, 수학적 모델에 의한 예측치가 실험치와 잘 일치됨을 알 수 있었다.
In crystalline solar cells, the substrate itself constitutes a large portion of the fabrication cost as it is derived from semiconductor ingots grown in costly high temperature processes. Thinner wafer substrates allow some cost saving as more wafers can be sliced from a given ingot, although technological limitations in slicing or sawing of wafers off an ingot, as well as the physical strength of the sliced wafers, put a lower limit on the substrate thickness. Complementary to these economical and techno-physical points of view, a device operation point of view of the substrate thickness would be useful. With this in mind, BC-BJ Si and GaAs solar cells are compared one to one by means of the Medici device simulation, with a particular emphasis on the substrate thickness. Under ideal conditions of 0.6 ${\mu}m$ photons entering the 10 ${\mu}m$-wide BC-BJ solar cells at the normal incident angle (${\theta}=90^{\circ}$), GaAs is about 2.3 times more efficient than Si in terms of peak cell power output: 42.3 $mW{\cdot}cm^{-2}$ vs. 18.2 $mW{\cdot}cm^{-2}$. This strong performance of GaAs, though only under ideal conditions, gives a strong indication that this material could stand competitively against Si, despite its known high material and process costs. Within the limitation of the minority carrier recombination lifetime value of $5{\times}10^{-5}$ sec used in the device simulation, the solar cell power is known to be only weakly dependent on the substrate thickness, particularly under about 100 ${\mu}m$, for both Si and GaAs. Though the optimum substrate thickness is about 100 ${\mu}m$ or less, the reduction in the power output is less than 10% from the peak values even when the substrate thickness is increased to 190 ${\mu}m$. Thus, for crystalline Si and GaAs with a relatively long recombination lifetime, extra efforts to be spent on thinning the substrate should be weighed against the expected actual gain in the solar cell output power.
Let M be the maximal ideal space of the Banach algebra $H^{\infty}$ of bounded analytic functions on the open unit disc $\triangle$. For a positive singular measure ${\mu}\;on\;{\partial\triangle},\;let\;{L_{+}}^1(\mu)$ be the set of measures v with $0\;{\leq}\;{\nu}\;{\ll}\;{\mu}\;and\;{{\psi}_{\nu}}$ the associated singular inner functions. Let $R(\mu)\;and\;R_0(\mu)$ be the union sets of $\{$\mid$\psiv$\mid$\;<\;1\}\;and\;\{$\mid${\psi}_{\nu}$\mid$\;<\;0\}\;in\;M\;{\setminus}\;{\triangle},\;{\nu}\;\in\;{L_{+}}^1(\mu)$, respectively. It is proved that if $S(\mu)\;=\;{\partial\triangle}$, where $S(\mu)$ is the closed support set of $\mu$, then $R(\mu)\;=\;R0(\mu)\;=\;M{\setminus}({\triangle}\;{\cup}\;M(L^{\infty}(\partial\triangle)))$ is generated by $H^{\infty}\;and\;\overline{\psi_{\nu}},\;{\nu}\;{\in}\;{L_1}^{+}(\mu)$. It is proved that %d{\theta}(S(\mu))\;=\;0$ if and only if there exists as Blaschke product b with zeros $\{Zn\}_n$ such that $R(\mu)\;{\subset}\;{$\mid$b$\mid$\;<\;1}\;and\;S(\mu)$ coincides with the set of cluster points of $\{Zn\}_n$. While, we proved that $\mu$ is a sum of finitely many point measure such that $R(\mu)\;{\subset}\;\{$\mid${\psi}_{\lambda}$\mid$\;<\;1}\;and\;S(\lambda)\;=\;S(\mu)$. Also it is studied conditions on \mu for which $R(\mu)\;=\;R0(\mu)$.
전파 신호 방향의 추정은 레이더 및 무선 통신에서 주요한 분야이다. 일반적으로 방향 탐지기법들은 이상적인 배열 센서의 입력 신호에 신호 처리 기법을 적용하여 연구를 진행해 왔다. 하지만 전파를 이용한 방향 탐지에서 사용되는 배열 센서인 안테나는 배열 구조에서 안테나 소자 간에 상호 결합으로 인한 입력 신호의 왜곡 현상이 발생하는 문제점이 있다. 그러므로 이러한 상호 결합에 의한 신호의 왜곡 현상을 보상하는 기법이 정밀한 방향 탐지를 위해서 필요하다. 본 논문에서는 다이폴 배열 안테나 구조에서 배열 소자 간의 상호 결합 현상을 MoM 기법을 이용하여 보상하고, 이를 통하여 신호원의 방위각 및 고각의 방향을 추정하는 연구를 진행하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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