SIW (Substrate Integrated Waveguide) cavity 공진기의 구조는 유전체기판에 다수의 via-hole 을 이용함으로써 나타낼 수 있으며, rectangular waveguide 와 유사한 특성을 갖는다. 그리고 $50-{\Omega}$ 마이크로스트립라인과 SIW cavity 공진기 중앙간의 결합구조를 통하여 대역저지 특성이 나타나도록 하였다. 이러한 특성을 갖는 SIW cavity 공진기를 이용하여 X-band(9.45 GHz) 발진기를 제작하였고, 위상잡음은 100kHz offset에서 -98.1 dBc/Hz 로 측정되었다. SIW cavity 공진기는 높은 QL 값을 갖고, 2차원 구조이기 때문에 저비용에 우수한 위상잡음 특성을 갖는 발진기 설계에 응용할 수 있다.
Ni/Ti/Al multilayer system was tested for low-resistance ohmic contact formation to Al-implanted p-type 4H-SiC. Compared with conventional process using Ni, Ni/Ti/Al contact shows perfect ohmic behavior, and possesses much lower contact resistance of about $2.5\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ after $930^{\circ}C$ RTA, which is about 2 orders of magnitude smaller than that of Ni contact. Contact resistance gradually increased as the RTA temperature was lowered in the range of 840 ~ $930^{\circ}C$, and about $3.4\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ was obtained at the lowest RTA temperature of $840^{\circ}C$. Therefore, it was shown that RTA temperature for ohmic contact formation can be lowered to at least $840^{\circ}C$ without significant compromise of contact resistance.
Voltage step-down characteristics in Ring/Dot type piezoelectric transformer were examined as a function of the area of input electrode when the area of output electrode is fixed. The effects of driving frequency and load resistance on the voltage step-down characteristics were also examined. Voltage gain was greatly dependent on the driving frequency and load resistance, and showed a maximum gain at resonance frequency of the step-down transformer. The frequency where the maximum output voltage appears increased about 0.2% as the load resistance increased from 10 to $150\Omega$. As the area of input electrode increased, the voltage gain and the efficiency of the transformer increased. Frequency dependence of efficiency of the step-down transformer revealed a similar tendency with the voltage gain curves. The maximum efficiency remarked 94% when the input voltage and the load resistance were 20 $V_{PP}$ and $120\Omega$, respectively.
평면형 마이크로스트립 공진기를 이용한 고주파 발진기의 단점인 위상잡음 특성을 개선하기 위해 본 논문에서는 링형 DGS 공진기를 제안하고, 이것을 이용하여 위상잡음 특성이 개선된 5.8 GHz 대역의 발진기를 설계, 구현하였다. 링형 DGS 공진기는 $50{\Omega}$ 전송선로 밑면에 링 모양으로 식각된 접지면을 갖는 구조이다. 발진기의 특성은 5.8 GHz 기본 주파수에서 6.1 dBm의 출력과 -82.7 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 제안된 DGS 공진기의 에칭된 갭 사이에 버랙터 다이오드 실장하여 전압제어 발진기를 설계하였다. 본 논문의 발진기는 평면형 구조로 쉬운 작업공정과 소형화 특성 때문에 MIC 또는 MMIC 분야의 발진기 설계에 응용될 수 있을 것이다.
Kim, Young-Hwan;Ahn, Duck-Sun;Kim, Myeong Ok;Joeng, Ji-Hyun;Chung, Seungsoo
Molecules and Cells
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제37권11호
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pp.804-811
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2014
The protease-activated receptor (PAR)-2 is highly expressed in endothelial cells and vascular smooth muscle cells. It plays a crucial role in regulating blood pressure via the modulation of peripheral vascular tone. Although several mechanisms have been suggested to explain PAR-2-induced hypotension, the precise mechanism remains to be elucidated. To investigate this possibility, we investigated the effects of PAR-2 activation on N-type $Ca^{2+}$ currents ($I_{Ca-N}$) in isolated neurons of the celiac ganglion (CG), which is involved in the sympathetic regulation of mesenteric artery vascular tone. PAR-2 agonists irreversibly diminished voltage-gated $Ca^{2+}$ currents ($I_{Ca}$), measured using the patch-clamp method, in rat CG neurons, whereas thrombin had little effect on $I_{Ca}$. This PAR-2-induced inhibition was almost completely prevented by ${\omega}$-CgTx, a potent N-type $Ca^{2+}$ channel blocker, suggesting the involvement of N-type $Ca^{2+}$ channels in PAR-2-induced inhibition. In addition, PAR-2 agonists inhibited $I_{Ca-N}$ in a voltage-independent manner in rat CG neurons. Moreover, PAR-2 agonists reduced action potential (AP) firing frequency as measured using the current-clamp method in rat CG neurons. This inhibition of AP firing induced by PAR-2 agonists was almost completely prevented by ${\omega}$-CgTx, indicating that PAR-2 activation may regulate the membrane excitability of peripheral sympathetic neurons through modulation of N-type $Ca^{2+}$ channels. In conclusion, the present findings demonstrate that the activation of PAR-2 suppresses peripheral sympathetic outflow by modulating N-type $Ca^{2+}$ channel activity, which appears to be involved in PAR-2-induced hypotension, in peripheral sympathetic nerve terminals.
Ultrasonic shears is currently in wide use as an energy device for minimal invasive surgery. There is an advantage of minimizing the carbonization behavior of the tissue due to the vibrational energy transfer system of the transducer by applying a piezoelectric ceramic. However, the vibrational energy transfer system has a pitfall in energy consumption. When the movement of the forceps is interrupted by the tissue, the horn which transfers the vibrational energy of the transducer will be affected. A study was performed to recognize different tissues by measuring the impedance of the transducer of the ultrasonic shears in order to find the factor of energy consumption according to the tissue. In the first stage of the study, the voltage and current of the transducer connecting portion were measured, along with the phase changes. Subsequently, in the second stage, the impedance of the transducer was directly measured. In the final stage, using the handpiece, we grasped the tissue and observed the impedance differences appeared in the transducer To verify the proposed tissue distinguishing method, we used the handpiece to apply a force between 5N and 10N to pork while increasing the value of the impedance of the transducer from 400 ${\Omega}$.. It was found that fat and skin tissue, tendon, liver and protein all have different impedance values of 420 ${\Omega}$, 490 ${\Omega}$, 530 ${\Omega}$, and 580 ${\Omega}$, respectively. Thus, the impedance value can be used to distinguish the type of tissues grasped by the forceps. In the future study, this relationship will be used to improve the energy efficiency of ultrasonic shears.
N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 급속 열처리 조건에 따른 오믹 특성을 조사하였다. $450^{\circ}C$까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$, 20초의 급속 열처리 조건에서 최저 $3.9\times10^{-7}\Omega\textrm{cm}^2$ 의 접촉 비저항을 나타내었다. 이는 열처리에 의해 생성된 Pd-Si계 화합물의 형성 및 Si의 InGaAs 표면으로의 확산과 관련이 있었다. 그러나 $400^{\circ}C$에서 열처리 시간을 30초 이상으로 연장할 경우 접촉 비저항이 low-$10^{-6}\Omega \textrm{cm}^2$ 으로 약간 증가하였고, 열처리 조건을 425~$450^{\circ}C$/10초로 변화시킬 경우 high-$10^{-7}$~low-$10^{-6}\Omega \textrm{cm}^2$으로 약간 증가하였다. 이는 오믹 재료와 InGaAs의 반응에 의해 Pd-Ga계 화합물이 형성된 것과 관련이 있었다. 고온 열처리 후에도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하다고 판단된다.
조피볼락 종묘생산시 발생하는 대량폐사를 막기 위하여 자어의 다양한 먹이생물을 공급하여 성장을 비교하였고 여러 가지 방법으로 먹이생물을 영양강화시켜 공급하여 그에 따른 조피볼락 자어의 생존율과 성장률을 비교하였다. 성게 유생은 쉽게 구할 수 있으나 조피볼락 자어의 생존율을 저하시켰고 유생의 지방산 분석 결과를 볼 때 그다지 적합한 먹이로 생각되지 않는다. Rotifer나 Artemia nauplii를 단독으로 조피볼락의 자어를 먹이로 공급하는 것보다 혼합공급하는 것이 더 효과저거인 것으로 나타났다. 그리고 rotifer나 Artemia nauplii를 ${\omega}$-yeast, Spirulina platensis나 Super Selco로 영양강화시킨후에 먹이로 공급할 경우 자어의 생존율이나 성장률에서 많은 개선을 보였다. Rotifer를 Super Selco로 영양강화를 시켰을 경우 $\omega$-yeast로 영양강화를 시킨 경우보다 높은 생존율과 성장률의 결과를 보였다. 산출 후 10일 경에 대량폐사가 발생하였으며 초기에는 rotifer가 자어의 먹이로 우수한 것으로 나타났으나 10일 경 이후부터는 Artemia nauplii가 우수한 먹이로 판단된다. 그러나 rotifer와 Artemia nauplii 혼합 공급하였을 경우 rotifer나 Artemia nauplii를 단독 공급하는 경우보다 우수한 결과를 보였다.
접지 시스템은 전력설비의 안전적 운영을 위해 필수적이며, 주요 고려대상인 대지저항률은 토양 종류, 수분, 온도에 따라 변하기 때문에 접지 시스템 설계에서 가장 중요하다. 제주의 지질구조는 화산지역의 특성상 다층구조를 형성하고 있어 지질구조에 따른 접지 저항값은 동일한 접지시스템 구축 지역이라도 지층구조에 따라 접지저항값이 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 제주의 대표적인 3종류의 토양에 접지를 설치하였을 때 접지저항 특성 변화를 분석하기 위해 3층 구조의 토양목업 시스템을 구성하였다. 구성된 토양 목업 시스템에서 웨너법을 사용하여 대지저항률을 측정하였으며, 대지모델을 수치적으로 분석할 수 있는 역산방법으로 Gauss-Newton 알고리즘을 사용하여 대지모델을 생성하였다. 기존 접지분야에서 사용되는 1차원 대지분석이 아닌 2차원 역산방법을 적용한 결과 실제 토양 목업에 구성한 3종류 층상 구조와 같은 3층 대지구조로 나타낼 수 있었다. 또한 일반적으로 접지에 사용되는 동봉, 동관, 탄소봉을 사용하여 접지의 변화특성을 분석한 결과 수분공급 상태에 따른 접지저항 변화폭은 동봉은 $2.9[{\Omega}]$, 동관은 $16.5[{\Omega}]$, 탄소봉의 경우 $20.1[{\Omega}]$으로 나타났으며, 수분의 영향으로 .탄소봉의 접지저항이 $141[{\Omega}]$으로 가장 낮게 나타남을 확인 하였다.
We prepared a flexible and transparent CuO/Cu/CuO multilayer electrodes on a polyethylene terephthalate (PET) substrate using a specially designed roll-to-roll sputtering system at room temperature for GFF-type touch screen panels (TSPs). By the continuous roll-to-roll sputtering of the CuO and Cu layer, we fabricated a flexible CuO(150nm)/Cu(150nm)/CuO(150nm) multilayer electrodes with a sheet resistance of $0.289{\Omega}/square$, resistivity of $5.991{\times}10^{-23}{\Omega}-cm$, at the optimized condition without breaking the vacuum. To investigate the feasibility of the CuO/Cu/CuO multilayer as a transparent electrode for GFF-type TSPs, we fabricated simple GFF-type TSPs using the diamond patterned CuO/Cu/CuO electrode on PET substrate as function of mesh line width. Using diamond patterned CuO/Cu/CuO electrode of mesh line $5{\mu}m$ with sheet resistance of 38 Ohm/square, optical transmittance of 90% at 550 nm and an average transmittance of 89% at wavelength range from 380 to 780 nm, we successfully demonstrated GFF-type touch panel screens (TPSs). The successful operation of GFF-type TPSs with CuO/Cu/CuO multilayer electrodes indicates that the CuO/Cu/CuO multilayer is a promising transparent electrode for large-area capacitive-type TPSs due to its low sheet resistance and high transparency.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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