한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)

  • 제16권5호
  • /
  • Pages.1009-1014
  • /
  • 2012
  • /
  • 2234-4772(pISSN)
  • /
  • 2288-4165(eISSN)
한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지
DOI QR코드

DOI QR Code

LTE-Advanced 표준을 지원하는 0.13-μm CMOS RF Front-end transmitter 설계

A 0.13-μm CMOS RF Front-End Transmitter For LTE-Advanced Systems

  • 투고 : 2011.12.02
  • 심사 : 2012.04.30
  • 발행 : 2012.05.31
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

본 논문은 LTE-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 2,500 MHz~2,570 MHz 대역 0.13-${\mu}m$ CMOS RF front-end 송신기를 제안하며 I/Q 상향주파수변환기와 구동증폭기로 구성되어있다. 상향주파수변환기는 우수한 선형특성을 얻기 위해 공진회로를 부하로 사용하였으며 국부발진신호의 누설을 줄이기 위해 전류 보상회로를 사용하였다. 또한, 제안하는 구동증폭기는 높은 전류 효율과 우수한 선형특성을 확보하기 위해 Class AB 바이어스 상태로 설계되었다. 측정 결과 제안하는 RF front-end 송신기는 최대 +6 dBm의 출력 파워를 제공하며, +0 dBm 출력 시 이미지 신호 및 국부 발진 누설 신호와 40 dBc의 차이를 보인다. 제작된 칩은 1.2 V의 공급 전압으로부터 36 mA 전류를 소모한다.

This paper has proposed a 2,500 MHz ~ 2,570 MHz 0.13-${\mu}m$ CMOS RF front-end transmitter for LTE-Advanced systems. The proposed RF front-end transmitter is composed of a quadrature up-conversion mixer and a driver amplifier. The measurement results show the maximum output power level is +6 dBm and the suppression ratio for the image sideband and LO leakage are better than -40 dBc respectively. The fabricated chip consumes 36 mA from a 1.2 V supply voltage.

키워드

참고문헌

  1. 윤영우, "LTE-Advanced 표준 기술 (REL-10 동향 및 REL-11 전망," 한국통신학회지 (정보와 통신), 제28권 제6호, pp. 2-96, 2011.
  2. IEEE P802.16/D8, "Part 16: Air interface for fixed and mobile broadband wireless access systems amendment for physical and medium access control layers for combines fixed and mobile operation in licensed bands," IEEE, Jun., 2005.
  3. 이성은, 민현기, 방극준, 홍대식, "OFDMA 하향링크 시스템에서의 PAPR 저감을 위한 다단계 및 가변길이 첨두 윈도윙 기법들," 전자공학회 논문지, 제45권 TC편 제2호, pp. 67-74, 2008.
  4. H.Kuo, Y. Li, Y. Pang, "A $0.13\;{\mu}m$ CMOS Transmitter with 72-dB RF Gain Control for Mobile Wimax/Wibro Applications," IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, pp. 105-108, Jun., 2008.
  5. Gabriel Brenna, David Tschopp, Juergen Rogin, Ilian Kouchev, Qiuting Huang, "A 2-GHz Carrier Leakage Calibrated Direct-Conversion WCDMA Transmitter in $0.13-{\mu}m$ CMOS," IEEE Journal Of Solid-State Circuits, Vol. 39, No. 8, pp. 1253 - 1262, Aug., 2004. https://doi.org/10.1109/JSSC.2004.831794
  6. T. Lee, The Design of CMOS Radio Frequency Integrated Circuits, Cambridge Univ. Press, 1998.
  7. Masoud Zargari, David K. Su, C. Patrick Yue, et.al., "A 5-GHz CMOS transceiver for IEEE 802.11a wireless LAN systems," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.37, no.12, pp. 1688-1694, Dec., 2002. https://doi.org/10.1109/JSSC.2002.804353
  8. Mark lngels, Vito Giannini, Jonathan Borremans, Gunjan Mandal, et.al., "A 5mm2 40nm LP CMOS 0.1-to-3 GHz Multistandard Transceiver," ISSCC Digest Tech. Papers, pp. 458-450. Feb., 2010.
  9. Omid Oliaei, Mark Kirschenmann, Daivid Newman, et.al., "A Multiband Multimode Transmitter without Driver Amplifier," ISSCC Digest Tech. Papers, pp. 164-165. Feb., 2012.
  10. Xin He, Jan van Sinderen, Robert Rutten, "A 45nm WCDMA Transmitter Using Direct Quadrature Voltage Modulator with High Oversampling Digital Front-end," ISSCC Digest Tech. Papers, pp. 62-63. Feb., 2010.