Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2012.02a
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- Pages.256-256
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- 2012
Self-formation of Diffusion Barrier at the Interface between Cu-V Alloy and $SiO_2$
- Mun, Dae-Yong ;
- Park, Jae-Hyeong ;
- Han, Dong-Seok ;
- Gang, Yu-Jin ;
- Seo, Jin-Gyo ;
- Yun, Don-Gyu ;
- Sin, So-Ra ;
- Park, Jong-Wan
- 문대용 (한양대학교 나노반도체공학과) ;
- 박재형 (한양대학교 나노반도체공학과) ;
- 한동석 (한양대학교 나노반도체공학과) ;
- 강유진 (한양대학교 나노반도체공학과) ;
- 서진교 (한양대학교 신소재공학부) ;
- 윤돈규 (한양대학교 신소재공학부) ;
- 신소라 (한양대학교 신소재공학부) ;
- 박종완 (한양대학교 신소재공학부)
- Published : 2012.02.08
Abstract
Cu가 기존 배선물질인 Al을 대체함에 따라 resistance-capacitance delay와 electromigration (EM) 등의 문제들이 어느 정도 해결되었다. 그러나 지속적인 배선 폭의 감소로 배선의 저항 증가, EM 현상 강화 그리고 stability 악화 등의 문제가 지속적으로 야기되고 있다. 이를 해결하기 위한 방법으로 Cu alloy seed layer를 이용한 barrier 자가형성 공정에 대한 연구를 진행하였다. 이 공정은 Cu 합금을 seed layer로 사용하여 도금을 한 후 열처리를 통해