한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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- Pages.136-136
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- 2011
AlSb 화합물 반도체 유전함수의 온도의존성 연구
- 정용우 (경희대학교 물리학과 및 나노광물성 연구실) ;
- 변준석 (경희대학교 물리학과 및 나노광물성 연구실) ;
- 황순용 (경희대학교 물리학과 및 나노광물성 연구실) ;
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김태중
(경희대학교 물리학과 및 나노광물성 연구실) ;
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김영동
(경희대학교 물리학과 및 나노광물성 연구실) ;
- 신상훈 (한국과학기술연구원 나노포토닉스연구센터) ;
- 손진동 (한국과학기술연구원 나노포토닉스연구센터)
- Jeong, Yong-U ;
- Byeon, Jun-Seok ;
- Hwang, Sun-Yong ;
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Kim, Tae-Jung
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Kim, Yeong-Dong
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- Sin, Sang-Hun ;
- Son, Jin-Dong
- 발행 : 2011.08.17
초록
AlSb는 광전자 소자응용에 매우 유용한 재료이며 이를 이용한 반도체소자 설계 및 밴드갭 엔지니어링을 위해서는 화합물 반도체의 전자밴드구조를 포함한 광학적 특성이 반드시 요구된다. 본 연구는 이러한 요구의 해결방안으로서 AlSb 화합물의 유전함수 온도의존성을 0.7~5.0 eV의 에너지 영역에서 타원편광분석법을 이용하여 분석하였다. AlSb는 산소와 급격히 반응하기 때문에, 대기 중에서 물질 고유의 광특성이 유지되기 어려울 뿐만 아니라, 박막 위에 생성되는 산화막 때문에 순수한 AlSb의 유전함수 측정이 불가능하다. 따라서 박막의 산화 효과를 최소화하기 위하여 초고진공 상태의 molecular beam epitaxy 챔버 안에서 800 K의 온도로 성장한 1.5