Unbalanced Magnetron Sputtering 장치에 의해 Magnet Field 변화에 따른 ITO 박막의 특성

  • 지승훈 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 배강 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 손선영 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 박승환 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 김종재 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 김화민 (대구가톨릭대학교 전자공학과)
  • Published : 2009.11.12

Abstract

본 실험에서는 비평형 마그네트론 스퍼터링 (Unbalanced Magnetron Sputtering, UBMS)을 이용하여 제작된 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적인 특성들에서 기판온도와 자장 변화의 영향에 대해 연구하였다.

Keywords