Influence of Ion Beam Bombardment of Sapphire Substrate on Optical and Electrical Characteristic of InGaN/GaN Single Quantum Well

InGaN/GaN Single Quantum Well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향

  • 최승규 (국민대학교 신소재공학과) ;
  • 장재민 (국민대학교 신소재공학과) ;
  • 정우광 (국민대학교 신소재공학과)
  • Published : 2007.05.10