한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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- Pages.11-12
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- 2005
LDMOSFET에서 채널의 불순물 농도변화에 의한 CMOS회로의 전기적 특성
Effects of Impurity Concentration in Channel of LDMOSFET on the Electrical Characteristics of CMOS Circuit
- Cui, Zhi-Yuan (School of Electrical and Electronics Engineering, Chungbuk National University) ;
- Kim, Nam-Soo (School of Electrical and Electronics Engineering, Chungbuk National University) ;
- Lee, Hyung-Gyoo (School of Electrical and Electronics Engineering, Chungbuk National University)
- 발행 : 2005.07.07
초록
2 차원 MEDICI 시뮬레이터를 이용하여 CMOS 회로의 전기적 특성을 조사하였다. CMOS 인버터 회로는 LDMOSFET를 이용하였는데, LDMOSFET에서 전류 및 스위칭 특성에 많은 영향을 주는 곳은 채널이라고 생각되는데, 채널에서의 불순물 농도 변화에 의한 CMOS 회로의 voltage transfer특성, low input voltage(