Microstructural Characterization of GaN Epilayer by Maskless Pendeo-Epitaxial Process

마스크를 사용하지 않은 PE(Pendeo Epitaxy) GaN에피층의 미세구조적 특성

GaN 에피층을 성장에 있어서 가장 문제가 되는 통과 전위를 줄이기 위한 방법 이 여러 가지로 진행되고 있다. 그중에서도 PE(Pendeo Epitaxy) 방법으로 많은 연구가 이루어 졌는데 이경우에 열적인 요인으로 인해 발생하는 스트레스와 마스크 물질로 인하여 그러한 물질들이 서로 반응하거나 성장시 악영향을 끼쳐 결국은 성장되는 GaN층의 결정학적 기울기의 원인이 된다는 것이 밝혀졌다. 따라서 이러한 마스크를 제거하여 PE GaN에서 마스크와 수평으로 자라나는 GaN층사이의 간섭이 사라져서 결정학적 기울기가 감소시킬 수 있게 되었다. 이 연구에서 우리는 위에서 언급했던 마스크를 사용하지 않은 PE GaN의 미세구조적인 특성과 전위들의 거동을 투과전자현미경, 주사 전자현미경 그리고 HRXRD(High Resolution X-Ray diffraction)결과를 이용하여 살펴보았다.