Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Annealing effect of Schottky contact on the characteristics of 1300 V 4H-SiC SBDs

1300 V급 4H-SiC SBDs의 Contact의 특성에 미치는 열처리 효과

  • 강수창 (명지대학교 세라믹공학과/전자소재연구센터) ;
  • 금병훈 (명지대학교 세라믹공학과/전자소재연구센터) ;
  • 도석주 (포항공과대학교 금속재료공학부) ;
  • 제정호 (명지대학교 세라믹공학과/전자소재연구센터) ;
  • 신무환 (명지대학교 세라믹공학과/전자소재연구센터)
  • Published : 1999.05.01
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Abstract

본 연구에서는 Pt/f4-SiC Schottky barrier diodes(SBDs)의 소자 성능향상과 미세구조와의 상관관계를 규명하였다. 다른 열처리 온도구간에 따른 금속/SiC 계면의 미세구조 평가는 X-ray scattering법을 사용하여 분석하였다. 소자의 역 방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 저하되었다. As-deposited와 $850^{\circ}C$ 온도에서 열처리된 소자의 최대 항복전압은 각각 1300 V와 626 V 이었다. 그러나, 소자의 순방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 향상되었다. X-ray scattering법으로 >$650^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 Pt/SiC 계면에서 Pt-silicides가 형성되었고, 이러한 Silicides의 형성이 Pt/SiC 계면의 평활도를 증가시킨 원인이 됨을 보였다. SBDs의 순방향 특성은 열처리 과정동안 Pt/SiC 계면에서 형성된 silicides의 결정성에 강하게 의존함을 알 수 있었다.

Keywords