Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.9
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pp.1-6
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2000
Utilizing impurity free vacancy diffusion (IFVD) method, area selective intermixing of InGaAs/InGaAsP multi-quantum well (MQW) structure was done. After this, wavelength division demultiplexing waveguide type photodetectoers was integrated and measured. It showed large blue shift in bandgap due to intermixing of MQW. Photodetectors are based on typical p-i-n structure and devices having large and small bandgap areas line up linearly. Width of waveguide and length of each photodetector are 20 and 250 ${\mu}m$, respectively, TE/TM polarized light from tunable laser was butt-coupled to the photodetector and spectral response was measured. Photodetectors can demultiplexing 1480 and 1550 nm wavelength.
In this study, we analyzed the effect of silicon oxynitride matrix on the optical properties of Au nanoparticles dispersed on composite film and explored the effectiveness of the silicon in fine tuning the refractive index of the composite film for applications in optical waveguide devices. The atomic fraction of nitrogen in $SiO_xN_y$ films was controlled by varying the relative flow ratio of nitrogen gas in reactive sputtering and was evaluated optically using an effective medium theory with Bruggeman geometry consisting of a random mixture between $SiO_2$ and $Si_3N_4$. The Au nanoparticles were embedded in the $SiO_xN_y$ matrix by employing the alternating deposition technique and clearly showed an absorption peak due to the excitation of surface plasmon. With increasing nitrogen atomic fraction in the matrix, the surface plasmon resonance wavelength shifted to a longer wavelength (a red-shift) with an enhanced resonance absorption. These characteristics were interpreted using the Maxwell-Garnett effective medium theory. The formation of a guided mode in a slab waveguide consisting of 3 $\mu$m thick Au:$SiO_xN_y$ nanocomposite film was confirmed at the telecommunication wavelength of 1550 nm by prism coupler method and compared with the case of using $SiO_2$ matrix. The use of $SiO_xN_y$ matrix provides an effective way of controlling the mode confinement while maintaining or even enhancing the surface plasmon resonance properties.
Kim, Seong-Jong;Kang, Young-June;Park, Nak-Kyu;Lee, Dong-Hwan
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.26
no.7
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pp.65-72
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2009
Laser interferometry is widely used as a measuring system in many fields because of its high resolution and its ability to measure a broad area in real-time all at once. In conventional laser interferometry, for example out-of-plane ESPI (Electronic Speckle Pattern Interferometry), in plane ESPI, shearography and holography, it uses PZT or other components as a phase shift instrumentation to extract 3-D deformation data, vibration mode and others. However, in most cases PZT has some disadvantages, which include nonlinear errors and limited time of use. In the present study, a new type of laser interferometry using a laser diode is proposed. Using Laser Diode Sinusoidal Phase Modulating (LD-SPM) interferometry, the phase modulation can be directly modulated by controlling the laser diode injection current thereby eliminating the need for PZT and its components. This makes the interferometry more compact. This paper reports on a new approach to the LD (Laser Diode) Modulating interferometry that involves four-frame phase shift method. This study proposes a four-frame phase mapping algorithm, which was developed to have a guaranteed application, to stabilize the system in the field and to be a user-friendly GUI. In this paper, the theory for LD wavelength modulation and sinusoidal phase modulation of LD modulating interferometry is shown. Using modulating laser and research of measurement algorithm does comparison with existent ESPI measurement algorithm. Algorithm measures using GPIB communication through most LabVIEW 8.2. GPIB communication does alteration through PC. Transformation of measurement object measures through modulating laser algorithm that develops. Comparison of algorithm of modulating laser developed newly with existent PZT algorithm compares transformation price through 3-D. Comparison of 4-frame phase mapping, unwrapping, 3-D is then introduced.
Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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v.23
no.4
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pp.13-22
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2018
In this paper, double encryption technology of image based on scramble operation and phase-shifting digital holography is proposed. For the purpose, we perform first encryption digitally using scramble operation for the to be encrypted image, and perform phase modulation to the first encrypted image. Finally, we get the secondary encryption information through the interference between the phase-shifted reference wave and phase modulated image. The decryption process proceeds in the reverse order of the encryption process. The original image is reconstructed by digitally decoding the two encrypted images through a phase shift digital holography technique that appropriately performs arithmetic processing, phase-demodulating and then using the encryption key information used in the scramble operation. The proposed cryptosystem can recover the original image only if both the key information used in the scramble operation, the distance information used in the phase shift digital holography technique, and the wavelength of the light source are known accurately.
In this study, cadmium telluride (CdTe) quantum dots were synthesized by using ultrasonic irradiation method. Optical properties and structural characteristics of the CdTe quantum dots were analyzed by two main variables; the ratio of the precursor and the synthesis time. As the synthesis time increased, the band gap reduction was observed with the growth of CdTe quantum dots. As for the luminescence properties, the red shift appeared at 510~610 nm wavelength range. Also, it was confirmed that the red shift occurs rapidly as the ratio of Te increases. According to PL peak intensity, the highest intensity was shown at 180 to 240 min. Structural characteristics of CdTe quantum dots were investigated through XRD and TEM, and the cubic zinc blend structure was observed. The size of quantum dots was about 2.5 nm and uniformly dispersed when the synthesis time took 210 min. In addition, the apparent crystallinity was discovered in FFT image.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.8
no.5
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pp.452-461
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1997
In this paper, we present a computer-aided design(CAD) technique for minimizing the phase shift in microstrip PIN diode attenuators due to the junction capacitance in the equivalent circuit model of PIN diode. Microstrip PIN diode attenuators use the characteristics which the reactance of microstrip line changes from inductive to capacitive as the frequency sweeps across the band. Microstrip PIN diode attenuator designed utilizes the quarter-wavelength transmission line terminating with the half-moon radial stub, which is designed for negligible phase shifting effect over the intersted bandwidth. The attenuator has similar phase shift at 0 dB and 10 dB of attenuation within average $1.27^{\circ}$ between 1.2GHz and 1.9GHz. The input and output return losses between 1.4 GHz and 1.9 GHz are less than 10 dB over the attenuation range of 0 dB and 10 dB.
A novel interferometric isolator has been proposed and designed to fabrticate waveguide magnetooptic isolator operating at a wavelength of $1.55{\cal}um$. The device consists of MMI (multimode interference) couplers and has a magnetooptic guiding layer with different layer structure in arms of the inteferometer. The layer structures in the arms of inteferometer are $HfO_2/CeY_2Fe_5O_{12}/NOG$ and $SiO_2/CeY_2Fe_5O_{12}/NOG$, respectively. This configuration give rise to different nonreciprocal phase shift. In consequence, the isolator operates under a unidirectional magnetic field. The optimized structure of the isolator was determined by a 3D beam propagation method.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.9
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pp.1048-1057
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2012
In this paper, a new compact dual-band unequal power divider is suggested. Instead of the quarter wavelength transmission line(TX-line)s for the branches of the conventional Wilkinson's power divider, we use composite right- and left-handed(CRLH) phase-shift lines and can reduce the physical length. With the non-linear dispersion of the meta-meterial, each branch in the proposed divider is designed to have $+90^{\circ}$ and $-90^{\circ}$ at $f_1$ and $f_2$ respectively. To validate the proposed method, the performances of the circuit and full-wave simulation results are shown with the CRLH dispersion curve. The measurement results are compared with the simulation results. Also, the size reduction effect by the proposed scheme is addressed.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.5
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pp.435-440
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2002
In this study, we have investigated photo-induced changes of optical energy gap( $E_{OP)}$ and photoluminescence (PL) in amorphous ($\alpha$-) S $e_{100-x}$G $e_{x}$ (x=5, 25 and 33) thin films prepared by conventional thermal evaporation method. In the $\alpha$-S $e_{100-x}$G $e_{x}$ thin film, the $E_{OP}$ is obtained by a linear extrapolation of the ($\alpha$hν)$^{\frac{1}{2}}$ versus hν plot to the energy axis using the optical absorption coefficient ($\alpha$) calculated from the extinction coefficient k measured in the wavelength range of 290~900nm. Although the values of $\Delta$$E_{OP}$ are very different, all films exhibit photo-induced photo-darkening (PD) effect that is a red shift of $E_{OP}$ . In particular, $\Delta$$E_{OP}$ in $\alpha$-S $e_{75}$ G $e_{25}$ thin film exhibits the largest value (i, e., $\Delta$$E^{OP}$ ~40meV for $\alpha$-S $e_{95}$ G $e_{5}$ , $\Delta$$E_{OP}$ ~200meV for $\alpha$-S $e_{75}$ G $e_{25}$ , $\Delta$$E_{OP}$ ~130meV for $\alpha$-S $e_{67}$ G $e_{33}$ ). PL spectra in $\alpha$-SeGe by hν$_{HeCd}$ have no-Stokes shift (SS) and show a tendency dependent on both composition and illumination time. We explain the energy-induced phenomena such as the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..tc..
We experimentally investigated the transmission characteristics of 400 Gbit/s (10 Gbit/s ${\times}$ 40 channels) WDM signals with 100 GHz channel spacing over 323 km of installed NZ_DSF. The installed fiber has optical properties of 0.28 dB/km attenuation, 4.3 ps/nm/km dispersion, $0.083ps/nm^2/km$ dispersion slope and less than $0.05ps/km^{1/2}$ PMD coefficient. In this experiment, two cases of dispersion compensation schemes, the lumped type and the distributed type, were compared. The results implied that the distributed type dispersion compensation in which dispersion compensation devices are inserted at the end of the each span showed better transmission performance than the lumped one in which dispersion compensation devices are located at the transmitter and receiver sites. From the analysis of the experimental results, we verified that different transmission performance comes from the power penalty induced by XPM in the distributed scheme is lower than the lumped scheme case.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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