Kim, Sung Yoon;Seo, Jae Hwa;Yoon, Young Jun;Kim, Jin Su;Cho, Seongjae;Lee, Jung-Hee;Kang, In Man
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제10권3호
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pp.1131-1137
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2015
Gallium nitride (GaN) is a promising material for next-generation high-power applications due to its wide bandgap, high breakdown field, high electron mobility, and good thermal conductivity. From a structure point of view, the vertical device is more suitable to high-power applications than planar devices because of its area effectiveness. However, it is challenging to obtain a completely upright vertical structure due to inevitable sidewall slope in anisotropic etching of GaN. In this letter, we design and analyze the enhancement-mode n-channel vertical GaN MOSFET with variation of sidewall gate angle by two-dimensional (2D) technology computer-aided design (TCAD) simulations. As the sidewall slope gets closer to right angle, the device performances are improved since a gradual slope provides a leakage current path through the bulk region.
본 연구에서는 시뮬레이션을 통해 채널 폭과 채널 도핑 형태에 따른 수직형 나노와이어 GAA MOSFET의 특성을 비교, 분석하였다. 첫 번째로, 드레인의 끝부분을 20nm로 고정시키고 소스의 끝부분이 30nm, 50nm, 80nm, 110nm로 식각된 모양으로 설계한 구조의 특성을 비교, 분석하였다. 두 번째로는 드레인, 채널, 소스의 폭이 50nm로 일정한 직사각형 모양의 구조를 설계하였다. 이 구조를 기준으로 삼아 드레인의 끝부분이 20nm가 되도록 식각된 사다리꼴 모양과 반대로 소스의 끝부분이 20nm가 되도록 식각된 역 사다리꼴 모양의 구조를 설계하여 위 세 구조의 특성을 비교, 분석하였다. 마지막으로는 폭 50nm의 직사각형 구조의 채널을 다섯 구간으로 나누어 도핑 형태를 다양하게 변화시킨 것의 특성을 비교, 분석하였다. 첫 번째 시뮬레이션에서는 채널 폭이 가장 작을 때, 두 번째 시뮬레이션에서는 사다리꼴 모양의 구조일 때, 세 번째 시뮬레이션에서는 채널의 중앙 부분이 높게 도핑 되었을 때 가장 좋은 특성을 보였다.
There is asymmetric in horizontal and vertical side of PDP cell. Every vertical line has BM(Black Mask) to improve luminance contrast. When error diffusion is processed in PDP system, these problems make an error bigger. In 4 inch PDP system, every red, green, blue color of test pattern is presented and each luminance is measured. That is called horizontal(H), diagonal right(R), diagonal left(L) and vertical(V). In red channel, high luminance descending order is V-H-R-L. In green channel, V-H-L-R. In blue channel, V-M-R=L. After average luminance of each direction is calculated. new weighted error diffusion(Weighted ED) is proposed. In digital image signal processing, the error in weighted ED is differ from ED's. The image of weighted ED is more less error compare to conventional ED and close to original image. As the gray level linearity and big size panel is adopted, weighted ED could produce good image.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권2호
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pp.169-174
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2014
As a versatile processing method for nanoscale memory integration, laser-induced epitaxial growth is proposed for the fabrication of vertical Si channel (VSC) transistor. The fabricated VSC transistor with 80 nm gate length and 130 nm pillar diameter exhibited field effect mobility of $300cm^2/Vs$, which guarantees "device quality". In addition, we have shown that this VSC transistor provides memory operations with a memory window of 700 mV, and moreover, the memory window further increases by employing charge trap dielectrics in our VSC transistor. Our proposed processing method and device structure would provide a promising route for the further scaling of state-of-the-art memory technology.
Theoretical and numerical study on heat transfer and evaporation in the vertical channel has been carried out and basic correlations have been derived for the heat transfer evaluation of PCCS. Analysis program was developed with low-Reynolds-number k-$\varepsilon$ model and surface transfer rates were calculated for the turbulent natural convection in the vertical channel. In relation to dry cooling by buoyancy-driven air, first, the system parameters which govern overall heat transfer rate are determined through the adequate nondimensionalization procedure. After comparison with existing experimental data, numerical results are used to derive heat transfer correlation by sensitivity calculations. In relation to wet cooling by falling water film, numerical analysis are carried out for evaporation process with real film surface conditions and evaporation correlation is derived through analogy concept and correction factors.
This paper studied the peristaltic transport of upper convected Maxwell nanofluid through a porous medium in a heated (isothermal) symmetric vertical channel. The nanofluid is assumed to be electrically conducting in the presence of a uniform magnetic field. These phenomena are modeled mathematically by a differential equations system by taking low Reynolds number and long-wavelength approximation, the yield differential equations have solved analytically. A suggested new technique to display and discuss the trapping phenomenon is presented. We discussed and analyzed the pumping characteristics, heat function, flow velocity and trapping phenomena which were illustrated graphically through a set of figures for various values of parameters of the problem. The numerical results show that, there are remarkable effects on the vertical velocity, pressure gradient and trapping phenomena with the thermal change of the walls.
Carbon nanotubes (CNTs) are vertically grown inside high-aspect-ratio vertical pores of anodized aluminum oxide. A CNT catalyst layer is introduced by atomic layer deposition to the bottom of the pores, after which the CNTs are successfully grown from the layer using chemical vapor deposition. The CNTs formed a complete vertical conductive path. The conductivity of the CNT-vertical path is also measured and discussed. The present atomic layer deposition-incorporated catalyst deposition is predicted to enable the integration of CNTs with various challenging configurations, including high-aspect-ratio vertical channels or vertical interconnects.
급경사 산지하천 수충부의 호안은 대부분 콘크리트 옹벽으로 되어있다. 표면이 매끄러운 콘크리트 옹벽호안은 유속을 더 강화시키기 때문에 수충부 홍수피해의 원인이 되기도 한다. 본 연구에서는 개수로의 한 측벽에 설치한 정사각형 단면의 세로돌출줄눈이 흐름저항에 미치는 영향을 파악하기 위해 수리실험을 수행하였다. 돌출줄눈의 설치간격은 무차원 돌출줄눈 간격 ${\lambda}_{nv}$를 기준으로 조도유형 d형과 k형을 포함하도록 설계하였다. 흐름의 Froude 수는0.81~1.12의 범위였다. 흐름저항은 돌출줄눈의 설치간격과 유량에 좌우되었다. ${\lambda}_{nv}$가 9일 때 흐름저항이 가장 큰 것으로 나타났다. 세로돌출줄눈은 유량이 증가하면 d형 조도에서는 흐름저항을 감소시켰으나 k형 조도에서는 흐름저항을 증가시켰다. 흐름저항의 증가폭은 ${\lambda}_{nv}$이 9~12의 범위에서 상대적으로 더 크게 나타났다. 세로돌출줄눈에 의한 흐름저항은 대부분 형상저항에 의한 것이며 그 등가조도높이는 수심규모로 발생할 수 있고 흐름저항에 미치는 영향이 매우 크다. 측벽의 세로돌출줄눈은 흐름저항을 증가시키고 최대유속의 발생위치를 수로의 횡단면 중앙방향으로 이동시키는 수단으로 사용될 수 있을 것이다.
Thermal transport from vertical heated surface to falling liquid film in a channel has been investigated experimentally. Air-flow is introduced into channel to make a counter flow against falling liquid film. This problem is of particular interest in the design of direct contact heat exchange system, such as cooling tower, evaporative cooling system, absorption cooling system, and distillation system. The effects of channel width and air flow rate on the heat transfer to falling liquid film are studied in detail. The results obtained indicate that heat transfer rate is gradually decreased with an increase in the channel width without air flow as well as with air flow in a channel. It is also found that heat transfer rate of air-flow is increased while heat transfer rate of falling liquid film is decreased with an increase in the air flow rate at a given channel width. However, total heat transfer rate form the heated surface is increased as the air flow rate is increased.
Thermal transport from vertical heated surface to falling liquid film in a channel has been investigated experimentally. Air-flow is introduced into channel to make a counter flow against falling liquid film. This problem is of particular interest in the design of direct contact heat exchange system, such as cooling tower, evaporative cooling system, absorption cooling system, and distillation system. The effects of channel width and air flow rate on the heat transfer to falling liquid film are studied in detail. The results obtained indicate that heat transfer rate is gradually decreased with an increase in the channel width without air flow as well as with air flow in a channel. It is also found that heat transfer rate of air-flow is increased while heat transfer rate of falling liquid film is decreased with an increase in the air flow rate at a given channel width. However, total heat transfer rate from the heated surface is increased as the air flow rate is increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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