• 제목/요약/키워드: variation of channel

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Ku 대역 위성 중계기용 입력 멀티플렉서에 관한 연구 (A Study on Input Multiplexer for Ku-Band Satellite Transponder)

  • 이주섭;엄만석;염인복;이성팔
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제14권4호
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    • pp.393-400
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    • 2003
  • 본 논문에서는 EQM(Engineering Qualification Model)급 Ku 대역 위성 중계기용 입력 멀티플렉서 설계 및 결과에 대하여 언급하였다. 각 채널은 Circulator Chain구조를 이용하여 분리되었으며, 채널 대역내에서의 진폭 변화와 군지연 변화를 최소화하기 위하여 각각의 채널은 채널필터 외부에 등화기를 사용하였다. 위성중계기의 무게와 부피를 최소화하기 위하여 채널필터와 등화기 모두 이중모드로 설계하였다. 채널별 주파수 선택도를 높이기 위하여 채널 필터는 8차 타원 응답형으로 설계하였으며, 등화기는 2차 반사형으로 설계하였다. 온도 변화에 따른 특성 변화를 최소화하기 위하여 필터와 등화기의 공동(cavity), 슬롯, 튜닝나사는 INVAR36을 사용하여 제작하였다. 제작한 입력 멀티플렉서는 진동 시험, 열진공 시험, EMC 시험을 실시하였으며 시험결과 Ku 대역 위성 중계기에 적용 가능한 성능을 나타내었다.

통신로 특성변화에 대한 적응성 부여 방법 (Adaption Method for Channel Charateristics Variation)

  • 이종헌;진용옥
    • 전자공학회논문지A
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    • 제29A권3호
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    • pp.1-7
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    • 1992
  • This paper discusses the self-adaptive equalization technique which has adaptibility to channel characteristics varation without training sequence. The criterion function used in this paper is based on the concept of cumulant matching. This function can be applied to nonminimum phase channel, and we can verify the fact that if the constrained condition is satisfied. this criterion has no local optimum. As the adaption algorithm, the normalized gradient-searching technique is used. Simulations verify the performance of our method in case of 8PAM, 8PSK(CCITT V.27), 16QAM(CCITT V.29) sources and three type nonminimum phase channels.

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N-채널 박막 SOI MOSFET의 후면 바이어스에 따른 전기적 특성 분석 (Analysis of the electrical characteristics with back-gate bias in n-channel thin film SOI MOSFET)

  • 이제혁;임동규;정주용;이진민;김영호
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.461-463
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    • 1999
  • In this paper, we have systematically investigated the variation of electrical characteristics with back-gate bias of n-channel SOI MOSFET\\`s. When positive bias is applied back-gate surface is inverted and back channel current is increased. When negative bias is applied back-gate surface is accumulated but it does not affect to the electrical characteristics.

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DVB-시스템을 위한 적응형 채널 추정 알고리즘 (Adaptive Channel Estimation Algorithm for DVB-T)

  • 김승환;이진범;이진용;김영록
    • 한국통신학회논문지
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    • 제33권6A호
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    • pp.676-684
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    • 2008
  • 유럽형 지상파 디지털 방송 표준인 DVB-T 시스템에서는 OFDM방식을 사용하여 신호를 전송하며, 주파수 선택적 페이딩 환경과 충격 잡음 채널에서도 향상된 성능을 제공 할 수 있다. 그러나 이동성이 가정된 시변 채널에서는 도플러 확산의 영향 때문에 한 OFDM 심볼 안에 존재하는 부반송파 사이의 직교성의 파괴, 즉 inter-carrier interference(ICI)가 발생하여 심각한 성능 열화가 발생한다. 본 논문에서는 시간 및 주파수 축에서 채널의 특성과 ICI를 분석하고, OFDM시스템에서 구현이 간단한 LS 알고리즘과 이를 이용한 잡음 및 ICI 감쇄 기법을 사용한 LS 방식을 단말기의 속도에 따라 선택하여 사용하는 적응형 채널 추정 방식을 제안한다. 단말기의 속도를 추정하는 방법을 제안하여 COST207의 TU6 채널 모델을 적용한 시뮬레이션을 통하여 그 동작을 확인하였다. 또한 속도 추정을 위한 연산을 최소화한 알고리즘을 제안하여 하드웨어의 증가를 무시할 정도로 줄였다. 제안된 적응형 채널 추정 알고리즘은 속도가 약 70 km/h 이하인 경우에 잡음 및 ICI 감쇄기법을 위한 하드웨어를 동작시키지 않음으로서 전력의 소모가 현저하게 줄어든다.

OFDM/FDD 시스템에서 Target QoS 만족을 위한 다단계 적응전송 채널예측기법 (A Novel Two-step Channel Prediction Technique for Adaptive Transmission in OFDM/FDD System)

  • 허주;장경희
    • 한국통신학회논문지
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    • 제31권8A호
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    • pp.745-751
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    • 2006
  • OFDM 시스템에 적응전송방식을 적용하기 위해서 송신단은 사용자의 정확한 채널 정보를 획득하여야 하지만, 고속의 이동성을 가지는 실외 환경의 경우, 실제 채널과 적응 전송시 고려하는 채널이 달라지기 때문에 시스템 성능열화가 발생하게 된다. 이를 해결하기 위하여 채널예측 기법을 적응전송방식에 적용하는 연구가 시작되고 있다. 그러나 대부분의 채널 예측 기법은 정해진 시간동안, 예를 들면 한 슬롯동안 채널의 변화가 없다는 가정에서 제안되었다. 따라서 이러한 기술들은 한 슬롯 내에서 빠르게 변하는 채널에 기인하여 발생하는 Packet Error Rate 성능 열화 문제를 해결할 수 없다. 본 논문에서는 빠른 시변채널에서 적응전송방식을 적용하기 위한 새로운 OFDM/FDD 시스템 기반 채널 예측 기법을 제안한다. 제안하는 채널 예측 기법은 한 슬롯 내에서 변하는 채널의 시변 특성을 고려하여 채널을 예측하는 특징을 가진다. 시뮬레이션 결과에 의하면 ITU-R Veh A 30km/h 채널에서 제안하는 채널 예측 기법을 이용하여 적응 변조 및 코딩을 수행하는 OFDM/FDD 시스템은 기존의 일반적인 채널예측 방식을 이용하는 경우에 비하여 시스템 Throughput의 손실이 없이 Target PER 1%를 보장할 수 있다.

A Study on Upstream Waves for an Advancing Arbitrary Hull Shape in Restricted Water Channel

  • Kim, Sung-Young;Lee, Young-Gill
    • Journal of Ship and Ocean Technology
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    • 제4권2호
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    • pp.24-37
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    • 2000
  • The purpose of this paper is to study the upstream waves in front of an advancing arbitrary hull shape in a restricted water channel. Conventionally, in a restricted water channel, shallow water effects are amplified because of the finite water depth and width. When the effects of shallow water and the restricted channel width are severe, upstream waves propagate forward from the fore-body of the advancing hull. In this study, numerical simulations are carried out for the relevant analysis of the flow phenomena by the draft variation of advancing hull in a restricted water channel. Numerical simulations are done with a finite-difference method based on the MAC scheme in a rectangular grid system.

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Electrical Characteristics of CMOS Circuit Due to Channel Region Parameters in LDMOSFET

  • Kim, Nam-Soo;Cui, Zhi-Yuan;Lee, Hyung-Gyoo;Kim, Kyoung-Won
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제7권3호
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    • pp.99-102
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    • 2006
  • The electrical characteristics of CMOS inverter with LDMOSFET are studied for high power and digital circuit application by using two dimensional MEDICI simulator. The simulation is done in terms of voltage transfer characteristic and on-off switching properties of CMOS inverter with variation of channel length and channel doping levels. The channel which surrounds a junction-type source in LDMOSFET is considered to be an important parameter to decide a circuit operation of CMOS inverter. The digital logic levels of input voltage show to increase with increase of n-channel length and doping levels while the logic output levels show to the almost constant.

Short-Channel MOSFET의 해석적 모델링 (Analytical modeling for the short-channel MOSFET)

  • 홍순석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제17권11호
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    • pp.1290-1298
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    • 1992
  • 본 논문은 fitting 파라미터를 배제하고 2차원적 Poisson 방정식을 도출해서 short-channel MOSFET의 model 식을 완전히 해석적으로 성립시켰다. 이로 인해 포화영역, 문턱전압, 강반전에 대한 것이 동시에 표현되는 정확한 드레인 전류가 유도되었다. 더욱이 이 model은 short-channel과 body효과, DIBL효과, 그리고 carrier운동에 대한 것도 설명할 수 있으며 온도와 $n^+$접합, 산화층에 관련되는 문턱전압도 표현할 수 있었다.

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낙동강 하구지역의 식물플랑크톤 극대역 변동에 관한 수직시뮬레이션 -II. 식물플랑크톤 극대역 변동의 수치시뮬레이션- (The numerical simulation on variation of phytoplankton maximum region in the estuary of Nakdong river -II. The numerical simulation on variation of phytoplankton maximum region-)

  • 이대인
    • 한국환경과학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.375-384
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    • 2000
  • It is very important to interprete and simulate the variation of phytoplankton maximum region for the prediction and control of red tide. This study was composed of two parts first the hydrodynamic simulation such as residual current and salinity diffusion and second the ecological simulation such as phytoplankton distribution according to freshwater discharge and pollutant loads. Without the Nakdong river discharge residual current was stagnated in inner side of this estuary and surface distribution of salinity was over 25psu. On the contrary with summer mean discharge freshwater stretched very far outward and some waters flowed into Chinhae Bay through the Kadok channel and low salinity extended over coastal sea and salinity front occurred. From the result of contributed physical process to phytioplankton biomass the accumulation was occurred at the west part of this estuary and the Kadok channel with the Nakdong river discharge. When more increased input discharge the accumulation band was transported to outer side of this estuary. The frequently outbreak of red tide in this area is caused by accumulation of physical processes. The phytoplankton maximum region located inner side of this estuary without the Nakdong river discharge and with mean discharge of winter but it was moved to outer side when mean discharge of the Nakdong river was increased. The variation of input concentration from the land loads was not largely influenced on phytoplankton biomass and location of maximum region. When discharge was increased phytoplankton maximum region was transferred to inner side of the Kadok channel. ON the other hand when discharge was decreased phytoplankton maximum region was transferred to inner side of this estuary and chlorophyll a contents increased to over 20$\mu\textrm{g}$/L Therefore if any other conditions are favorable for growth of phytoplankton. decreas of discharge causes to increase of possibility of red tide outbreak.

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n-채널 OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 OLED 화소회로 (An OLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of n-channel OLED·Driving TFT)

  • 정훈주
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제15권3호
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    • pp.205-210
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    • 2022
  • 본 논문은 OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동에 의한 AMOLED 디스플레이의 휘도 불균일도를 개선하기 위해 n-채널 박막 트랜지스터만을 사용한 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 OLED 화소회로는 6개의 n-채널 박막 트랜지스터와 2개의 커패시터로 구성하였다. 제안한 OLED 화소회로의 동작은 커패시터 초기화 구간, OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 감지하는 구간, 영상 데이터 전압 기입 구간 및 OLED 발광 구간으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, OLED·구동 박막 트랜지스터의 문턱전압이 1.5±0.3 V 변동 시 제안한 OLED 화소회로는 OLED 전류 1 nA에서 최대 전류 오차가 5.18 %이고 OLED 음극 전압이 0.1 V 상승 시 제안한 OLED 화소회로가 기존 OLED 화소회로보다 OLED·전류 변화가 매우 적었다. 그러므로, 기존 OLED 화소회로보다 제안한 화소회로가 문턱전압 변동 및 OLED 음극 전압 상승에 뛰어난 보상 특성을 가진다는 것을 확인하였다.