• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.97-99
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• 2007

This paper presents a fuzzy logical control method to implement an on-line optimum efficiency control for Permanent Magnet Synchronous Motor. This method real-timely adjusts the output voltage of the inverter system to achieve the optimum running efficiency of the whole system. At first, the input power is calculated during the steady state in the process of efficiency optimizing. To exactly estimate the steady state of the system, this section needs check up the speed setting on timely. The second section is to calculate input power of dc-bus. The exact measurement of the voltage and current is the vital point to acquire the input power. The third section is the fuzzy logic control unit, which is the key of the whole drive system. Based on the change of input power of dc-bus and output voltage, the variable of output voltage is gained by the fuzzy logical unit. With the on-line optimizing. the whole system call fulfill the minimum input power of dc-bus on the running state. The experimental result proves that the system applied the adjustable V/f control method and the efficiency-optimizing unit possesses optimum efficiency, and it is a better choice for simple variable speed applications such as fans and pump.

• 전기학회논문지
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• 제60권7호
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• pp.1391-1395
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• 2011

In this paper, would implement a transceiver for the visible light communication that based on wireless communication driving technology for LED illumination-based infrared ray communication, and measurement analyzed a design error rate of a transceiver variable rate has made about distance change -2.5m. The error rate measured a voltage variable along illuminate change between switchable circumstances, which has illuminated insight and outright. Each analyzed and measurement on the communication distance errors along the differences of disturbance light between night and days. The LED module has implemented for number of 6 through illumination dimming in case of different values. Also, implementation for the system module of a VLC transceiver based on the infrared sensors which used feedback outcome value has analyzed with error rate.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제3권5호
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• pp.455-460
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• 1997

This paper presents a recoil and counter recoil motion measurement method using linear variable differential transformers(LVDT). The output of a LVDT is obtained from the differential voltage of the 2nd transformers. As the sensor core is attached to the motion body, the output is directly proportional to the core motion. Displacement, velocity and acceleration are measured from the core length. A comparison between the measurement result and the known value, which is obtained by the precision steel tape, shows that the accuracy and the usefulness of the proposed scheme is validated.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제3권1호
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• pp.1-7
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• 2004

In this paper, we have developed the DC parameters test system which inspects the properties of DC parameters for semiconductor products. The developed system is interfaced by IBM-PC. It is consisted of CPLD part, ADC(Analog-to-Digital Converter), DAC(Digital-to-Analog Converter), voltage/current source, variable resistor and measurement part. In the proposed system, we have designed the constant voltage source and the constant current source in a part. In the comparison of results, the results of the simulation are very similar to the ones of the implementation.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.157-165
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• 2001

집적 쇼트키 논리 게이트에서 전압 스윙을 크게 하기 위해서 백금 실리사이드 쇼트키 접합의 전기직 특성을 분석하였고, 이 접합에서 프로그램으로 특성을 시뮬레이션 하였다. 분석특성 특성을 위한 시뮬레이션 프로그램은 제조 공정용 SUPREM V와 모델링용 Matlab, 소자 구조용의 Medichi 툴이다. 시뮬레이션 특성을 위한 입력 파라미터는 소자 제작 공정의 공정 단계와 동일한 조건으로 하였다. 분석적인 전기적인 특성들은 순방향 바이어스에서 턴-온 전압, 포화 전류, 이상인자이고, 역방향 바이어스에서 항복 전압을 실제 특성과 시뮬레이션 특성 사이의 결과를 보였다. 결과로써 순방향 턴-온 전압, 역방향 항복전압, 장벽 높이는 기판의 증가된 농도의 변화에 따라 감소되었지만, 포화전류와 이상인자는 증가되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권1호
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• pp.1-6
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• 2006

본 논문에서는 VTCMOS(Variable-Threshold CMOS) 기법을 이용하는 초저전압 구동 논리 회로의 누설 전류 억제를 위한 기판 전압 발생회로를 제안한다. 제안하는 기판 전압 발생회로는 VSS 발생회로와 VBB 발생회로로 구성되어 있다. VSS 발생회로는 네거티브 전압을 발생시켜 VBB 발생회로에 공급하며, nB 발생회로는 공급받은 네거티브 전압을 이용하여 또 다른 네거티브 전압을 발생시킨다. 제안하는 회로의 동작을 검증하기 위해서 0.18um 1Poly-6Metal CMOS 공정을 사용하여 회로를 구현하였으며, 측정 결과 -0.95V의 기판 전압을 얻을 수 있었다. 제안한 기판 전압 발생회로를 이용함으로써, 0.5V의 전원 전압에서 동작하는 논리 회로의 누설 전류 성분을 효과적으로 줄일 수 있다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.185-189
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• 2004

본 논문에서는 이동통신 장치에 사용되는 다이오드 검파기와 로그 칩형 검파기를 설계하고 이를 서로 비교하여 그들의 용도를 명확히 제시하였다. 다이오드 검파기는 입력 신호의 세기 $-40dBm{\sim}-10dBm$의 변화에 대하여 $0{\sim}0.7V$의 검출 전압이 측정되었으며, 이것은 미세한 신호변화를 검출하기에 적합한 특성을 갖는다. 그리고 로그 칩형 검파기는 입력전력 $-65dBm{\sim}0dBm$의 변화에 대하여 $1.5V{\sim}4.5V$의 출력 전압을 얻었으며, 대체로 넓은 동작범위를 나타내고 있다. 따라서 로그 칩형 검파기는 넓은 입력 신호전력에 대하여 좁은 검출 전압이 측정되어, 그것의 감도가 둔감하게 나타나므로 피크전력 측정에 적합함을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.147-151
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• 2011

We were analyzed the piezoelectric characteristic for electronics printing to inkjet printing system. These applications were possible use to Actuator, MEMS, FPCB, RFID, Solar cell and LCD color filter etc. Piezoelectric print head is firing from ink droplet control consideration ink viscosity properties. At this time, micro pattern for PCB metal printing was possible by droplet control of piezoelectric driving. These driving characteristics are variable voltage pulse waveform. We are used the piezoelectric analysis software of Finite Element Method (FEM), Piezoelectric design parameters are acquired from piezoelectric analysis, and measurement of piezoelectric. It designed for piezoelectric head to possible electric print pattern of inkjet printing system. For this validity we were established through in comparison with simulation and measurement. Designed piezoelectric specification obtained voltage 98V, firing frequency 10 kHz, resolution 360dpi, drop volume 20pl, nozzle number 256, and nozzle pitch 0.33 mm.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제8권3호
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• pp.83-90
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• 2009

본 논문은 Ku-Band 선형화 채널증폭기를 위한 비행 모델의 설계 및 측정에 관한 것이다. 모든 MMICs, 가변이득증폭기, 가변전압감쇄기, 전치왜곡 보상회로를 위한 브랜치 라인 결합기와 검출기는 Thin-Film Hybrid 작업으로 제작되었다. 제작된 모듈의 성능은 초고주파 회로분석 시뮬레이션 틀과 우주환경에서의 전기적인 성능 시험을 통하여 검증하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.445-448
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• 1999

In this Paper, we present simple physical model of the Capacitance characteristics for GaAs MESFET\`s in wide temperatures. In this model, gate-source and gate-drain capacitances are represented by analytical expressions which are classified into three different regions for bias voltage. This model contained the temperature dependent variable that is the built-in voltage and the depletion width. Using the equations obtained in this work a submicron gate length MESFET has simulated and theoretical result are in good agreement with the experimental measurement.