• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.2-209.2
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• 2013

We proposed and fabricated zinc oxide thin-film transistors (TFTs) employing 4-mercaptophenol (4MP) doped ZnO by atomic layer deposition (ALD) that results in highly stable and high performance. The 4MP concentration in ZnO films were varied from 1.7% to 5.6% by controlling Zn:4MP pulses. The n-type carrier concentrations in ZnO thin films were controlled from $1.017{\times}10^{20}/cm^3$ to $2.903{\times}10^{17}/cm^3$ with appropriate amount of 4MP doping. The 4.8% 4MP doped ZnO TFT revealed good device mobility performance of 8.4 $cm^2/Vs$ and the on/off current ratio of 106. Such 4MP doped ZnO TFTs exhibited relatively good stability (${\Delta}V_{th}$: 2.4 V) under positive bias-temperature stress while the TFTs with only ZnO showed a 4.3 ${\Delta}V_{th}$ shift, respectively.

• Membrane and Water Treatment
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• 제10권4호
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• pp.251-257
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• 2019

Fabricating hydrophobic porous membrane is important for exploring the applications of membrane distillation (MD). In the present paper, poly(vinylidene fluoride) (PVDF) hollow fiber membrane was modified by coating polydimethylsiloxane (PDMS) on its surface. The effects of PDMS concentration, cross-linking temperature and cross-linking time on the performance of the composite membranes in a vacuum membrane distillation (VMD) process were investigated. It was found that the hydrophobicity and the VMD performance of the PVDF hollow fiber membrane were obviously improved by coating PDMS. The optimal PDMS concentration, cross-linking temperature and cross-linking time were 0.5 wt%, $80^{\circ}C$, and 9 hr, respectively.

• 한국진공학회지
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• 제8권2호
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• pp.121-126
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• 1999

Cu thin film was deposited by a self-ion assisted beam source (SIAB) and the assessment of the Cu films was given. Some characteristics of the source and the experimental procedure are described at various conditions such as total power, ionization efficiency, and ion current vs. deposition rate. The dependence of crystalline structure, impurity concentration, and resistivity of the Cu films deposited by SIAB on acceleration voltage are discussed.

• 한국진공학회지
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• 제1권2호
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• pp.237-243
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• 1992

Two gaskets of Al 2024-T4 and annealed al 2024-T4 were made. We had acquired 2 $\times$ 10-12torr in a chamber using them. Microstructures, hardness and stress concentration of the gaskets were examined before and after baking. Knife edge damages such as decrease of edge height(H) and increase of edge angle() were found on knife edges when the Al 2024-T4 gasket was used. But no damage was found with the annealed Al 2024 gasket.

• 한국식품과학회지
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• 제29권3호
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• pp.492-496
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• 1997

자색고구마 색소추출액을 막분리법과 진공농축법을 사용하여 농축하였다. 초기 anthocyanin함량이 1.6 g/L인 색소추출액을 막분리법을 이용하여 5시간 동안 연속 농축시켜 부피의 비로 25배 농축시켰으며, 이 때 조색소의 함량은 10.7 g/L이었다. 농축이 진행되는 동안 고형분의 농도는 계속 증가하였으며, frux는 계속 감소하였다. 막분리에 의한 색소 추출액의 농축과정 중 degradation index (DI)의 변화는 미미하였는데, 이는 이 농축방법이 색소의 변색에 아무 영향을 미치지 않음을 의미한다. 비교실험으로서 진공농축법을 사용하여 부피의 비가 5배로 농축될 때까지 농축하였다. DI값은 $40^{\circ}C$보다 $60^{\circ}C$에서 더 증가하는 경향을 나타냈다. 농축색소액의 total color difference값은 막분리법을 사용하는 경우 그 변화가 미미하였으며, 진공농축법을 사용했을 때에는 $40^{\circ}C$보다 $60^{\circ}C$농축에서 더 증가하였다. 이러한 사실들을 자색고구마색소 추출액을 농축시키는데 낮은 온도의 진공농축법이 효과적이며 ethanol및 citric acid의 재사용 등 경제적인 면으로는 막분리법이 효율적인 방법임을 입증한다.

• 한국진공학회지
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• 제13권3호
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• pp.109-113
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• 2004

InP에서 열처리 온도와 시간 및 활성화 온도에 따른 Zn의 확산의 특성을 electrochemical capacitance-voltage 법으로 조사하였다. InP층은 metal organic chemical vapor deposition를 이용하여 성장하였으며, 화산방법으로는 $Zn_3P_2$ 확산과 박막과 rapid thermal annealing를 사용하였다. 최대의 정공 농도를 갖는 p-lnP 층은 $550^{\circ}C$에서 5분 동안 확산과 활성화를 한 시료에서 얻었고, Zn의 농도는 $1\times10^{19}\textrm{cm}^{-3}$이었다. $550^{\circ}C$에서 5-20 분 동안 확산을 수행한 결과 정공농도의 확산 깊이는 1.51 $\mu\textrm{m}$에서 3.23 $\mu\textrm{m}$로 이동하였고, Zn의 확산계수는 $5.4\times10^{-11}\textrm{cm}^2$/sec이었다. 활성화 시간의 증가로, Zn가 더 깊게 확산하지만, 정공농도는 거의 변화가 없었다. 이는 도핑된 영역의 과잉의 침입형 Zn가 도핑되지 않은 영역으로 빠르게 확산하고 치환형 Zn로 변한다는 것을 의미한다. 정공농도는 $SiO_2$ 박막의 두께가 1,000$\AA$ 이상이어야 안정적으로 분포된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.292-292
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• 2011

TFT (Thin Film Transistor)에서 공정을 단순화 시키고, 가격을 하락시키기 위해서는 Poly-Si을 대체할 물질이 필요하다. 이 연구에서는 Chalcogenide Material의 하나인 GeTe 박막을 이용하여 TFT Channel으로 사용 가능한 물질인지 알아보기 위하여 Post-Annealing을 한 뒤, 상 변화에 따른 박막의 저항 변화, Carrier Concentration (cm-3)과 Mobility (cm2V-1s-1)의 변화를 알아보았다. Sputtering을 이용하여 증착한 GeTe 100 nm Thin Film 위에 Sputtering을 이용하여 SiO2 5 nm를 Capping Layer로 증착한 후, Post-Annealing을 200$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$, 400$^{\circ}C$, 500$^{\circ}C$로 온도를 변화 시키며 진행하였고, 이로 인하여 GeTe Thin Film에 외부의 영향을 최소화 하였다. 먼저 GeTe Thin Film의 Sheet Resistance를 측정한 결과는 300$^{\circ}C$ 까지 낮은 Sheet Resistance의 거동을 보이며 반면, 400$^{\circ}C$ 이상이 되면 높은 Sheet Resistance의 거동을 보인다. Hall Measurement를 통해, Carrier Concentration과 Mobility를 알아보았다. Carrier Concentration은 온도가 증가하면 1E+19에서 1E+21 까지 증가하며, Mobility는 감소하는 경향을 보인다. 500$^{\circ}C$ Post-Annealed GeTe Thin Film에서는 Resistivity가 상당히 높아 4 Point Probe (Range : 1 mohm/sq~2 Mohm/sq)로 측정이 불가능하다. XRD로 GeTe Thin Film을 분석한 결과 as-grown, 200$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$에서는 Cubic의 결정 구조를 보이며, Sheet Resistance가 급격히 증가한 400$^{\circ}C$, 500$^{\circ}C$에서는 Rhombohedral의 결정구조를 보인다. GeTe Thin Film은 400$^{\circ}C$ 이상의 Post-Annealing 온도에서 cubic 구조에서 Rhombohedral 구조로 상 변화가 일어난다. 위 결과를 통해, 결정 구조의 변화가 GeTe Thin Film의 저항, Carrier Concentration과 Mobility에 밀접한 영향이 미치는 것을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권5호
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• pp.241-244
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• 2012

Antimony doped tin oxide (ATO) thin films on glass substrate were prepared by the chemical solution deposition (CSD) method, using sol-gel solution synthesized by non-alkoxide precursors and the sol-gel route. The crystallinity and electrical properties of ATO thin films were investigated as a function of the annealing condition (both annealing environments and temperatures), and antimony (Sb) doping concentration. Electrical resistivity, carrier concentration, Hall mobility and optical transmittance of ATO thin films were improved by Sb doping up to 5~8 mol% and annealing in a low vacuum atmosphere, compared to the undoped tin oxide counterpart. 5 mol% Sb doped ATO film annealed at $550^{\circ}C$ in a low vacuum atmosphere showed the highest electrical properties, with electrical resistivity of about $8{\sim}10{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, and optical transmittance of ~85% in the visible range. Our research demonstrates the feasibility of low-cost solution-processed transparent conductive oxide thin films, by controlling the appropriate doping concentration and annealing conditions.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.170.2-170.2
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• 2015

Enormous interest in trivalent rare-earth (RE) ions activated luminescent materials has been gaining owing to their promising applications in bio-imaging, solar cells, white light-emitting diodes and field-emission displays. Among these trivalent RE ions, dysprosium (Dy3+) was widely investigated due to its unique photoluminescence (PL) emissions. A series of Dy3+-activated CaWO4 phosphors were prepared by a facile high-temperature solid-state reaction method. The X-ray diffraction, PL spectra, cathodoluminescence (CL) spectra as well as PL decay curves were used to characterize the prepared samples. Under ultraviolet light excitation, the characteristic emissions of Dy3+ ions were observed in all the obtained phosphors. Furthermore, the PL emission intensity increased gradually with the increment of Dy3+ ion concentration, reaching its maximum value at an optimized Dy3+ ion concentration. Additionally, color-tunable emissions were obtained in Dy3+-activated CaWO4 system by adjusting the Dy3+ ion concentration and excitation wavelength. Ultimately, strong CL properties were observed in Dy3+-activted CaWO4 phosphors. These results suggested that the Dy3+-activted CaWO4 phosphors may have potential applications in the field of miniature color displays.

• 한국진공학회지
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• 제10권3호
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• pp.341-349
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• 2001

수평형 MOCVD (유기금속 화학기상법) 제조공정에서 유체유동, 열전달 및 화학종의 국소적 질량분율을 고찰하기 위한 수치계산을 수행하였다. 수송가스로 작용하는 수소가스와 TMG및 암모니아의 농도분포를 예측함으로서 혼합과정을 분석하고 필름성장의 균일성을 예측하였다. 농도분포에 미치는 입구크기, 위치, 질량유량 및 벽면의 경사각도의 영향이 검토되었다. 계산결과로서 무차원 대류 열전달 계수 Nu에 의해 반응물의 농도분포를 정성적으로 예측할 수 있었으며, 균일한 필름성장을 위한 최적 질량유량, 벽면 경사도 및 입구조건이 제시되었다.