• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제22권3호
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• pp.219-226
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• 1997

환경시료 및 Swipe시료에서 방출되는 감마선을 측정 분석하기 위하여 극저준위 백그라운드 감마선 측정시스템을 설치하였다. 본 측정시스템은 백그라운드를 저감하기 위해 극저방사능 물질로 구성된 수동적 차폐방법, 우주선 영향을 차단하기 위한 역동시 측정법, 그리고 공기중 방사성 핵종인 라돈가스를 시스템 내부에서 제거하는 방법 등을 적용하고 있다. 적용된 백그라운드 저감법에 대한 성능시험 결과, 실험실 조건의 백그라운드 준위가 관심 대상 에너지 영역($50\;keV{\sim}2\;MeV$)에서 $10^{-2}$ order 정도로 저감되었다. 그리고 미신고 핵활동을 탐지하기 위한 관심 대상 핵종의 감마선 에너지 영역에서 평가된 시스템의 최소검출하한(MDA)값은 환경시료 분석에 적합한 것으로 평가되었다. 그러나 저에너지 영역에서는 여전히 우주선에 의한 중성자 영향이 백그라운드 요인으로 작용하고 있는 것으로 분석되었다.

• 분석과학
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• 제14권3호
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• pp.212-220
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• 2001

본 연구는 감마선 분광분석법을 이용하여 환경시료에 함유되어 있는 천연방사성 핵종인 라듐($^{226}Ra$) 및 라돈($^{222}Rn$)의 직접분석법의 개발을 목표로 수행되었다. 감마선 분광분석법에 의한 라듐 및 라돈의 분석에서는 주변환경조건에 따라서 변화의 폭이 큰 대기중의 라돈 및 딸핵종에 의한 백그라운드 영향을 소멸시키거나 보정해 주어야만 한다. 본 고에서는 측정함 내부로 질소가스를 흘려주어 측정함 내부를 질소가스 분위기로 바꾸어 줌으로서 대기중의 라돈 및 딸핵종에 의한 불안정한 백그라운드를 소멸시키고자 하였다. 질소가스를 검출기 주위로 흘려주었을 때, 1 MeV 이하의 에너지 영역에 대해서는 80% 그리고 1 MeV 이상에서는 20~50% 정도까지 백그라운드를 감소시킬 수 있었다. 즉, 검출기 주위를 질소분위기로 바꾸어 줌으로서 백그라운드를 소멸, 안정화시킴으로서 검출감도를 약 10배 향상시킬 수 있었다.

• 분석과학
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• 제13권5호
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• pp.565-572
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• 2000

파장분산형 엑스선분광분석기에 의한 Xe의 전자탐침미세분석시 표준물질에 대해 기술하였다. 실험결과 순수금속 표준시편을 사용할 수 없는 Cs, I, Ba의 표준물질로는 Csl와 $BaCO_3$가 가장 적당한 것으로 나타났다. 빔전류량 10-30 nA에서 Csl, CsBr로부터 측정한 Cs의 엑스선 세기는 빔전류량에 비례하였다. PET 결정 사용시 In-Nd 원소들의 원자번호 대 엑스선 세기간의 직선성은 가속전압 25-30 kV 범위에서 직선회귀 계수 R=0.99 이상의 좋은 상관성을 보였다. 직선회귀식으로 구한 Xe의 엑스선 세기 표준값은 가속전압 25 kV에서 Te의 엑스선 세기 표준값 보다 1.095배 높게 나타났다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제16권2호
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• pp.1-6
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• 1991

상온에서 사용할 수 있는 감마선 검출 소자로서 $HgI_2$ 소자의 응용성을 판단하기 위하여 기상 성장법으로 $HgI_2$ 단결정을 성장시켰고 이를 이용하여 검출 소자를 제작한 후 감마선 검출 특성을 조사하였다 성장된 단결정의 비저항과 전하 운반자 포획 밀도는 상온에서 각각 $10^{11}{\Omega}\;cm$와 $1.8{\times}10^{14}/cm^3$였으며 단결정의 Photoluminescence를 측정한 결과 성장된 $HgI_2$ 단결정의 밴드갭의 온도계수는 20K부터 77K에서 $-1.53{\times}10^{-4}eV/K$였다. 감마선 검출실험 결과 제작된 $HgI_2$ 검출 소자는 상온에서 우수한 계수 특성과 시간에 대한 선형적 축적 계수 특성을 나타내었으나 온도변화에 따라 계수의 특성의 변화는 심하였다.

• Progress in Superconductivity
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• 제9권2호
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• pp.162-166
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• 2008

We are developing a sensitive gamma ray spectrometer based on superconducting transition edge sensors. The detector consists of a small piece of high purity Sn as an absorber and a Ti/Au bilayer as a temperature sensor. It is designed to measure the thermal signal caused by absorption of gamma rays. The mechanical support and the thermal contact between the absorber and the thermometer were made with Stycast epoxy. The bilayer was formed by e-beam evaporation and patterned by wet etching on top of a $SiN_X$ membrane. A sharp superconducting transition of the film was measured near 100 mK. When the film was biased to the edge of the transition, signals were observed due to single photon absorption emitted from an $^{241}Am$ source. The measured spectrum showed several characteristic peaks of the source including 59.5 keV gamma line. The full with at half maximum was about 900 eV for the 59.5 keV gamma line. The background was low enough to resolve low energy lines. Considerations to improve the energy resolution of the gamma ray spectrometer are also discussed.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제53권1호
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• pp.337-343
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• 2021

In this work, self-absorption correction factor related to the variation of the composition and the density of soil samples were evaluated using the p-type HPGe detector. The validated MCNP5 simulation model of this detector was used to evaluate its Full Energy Peak Efficiency (FEPE) under the variation of the composition and the density of the analysed samples. The results indicates that FEPE calculation of low gamma ray is affected by the composition and the density of soil samples. The self-absorption correction factors for different gamma-ray energies which was fitted as a function of FEPEs via density and energy and fitting parameters as polynomial function for the logarithm neper of gamma ray energy help to calculate quickly the detection efficiency of detector. Factor Analysis for the influence of the element composition in analysed samples on the FEPE indicates the FEPE distribution changes from non-metal to metal groups when the gamma ray energy increases from 92 keV to 238 keV. At energies above 238 keV, the FEPE primarily depends only on the metal elements and is significantly affected by aluminium and silicon composition in soil samples.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.845-848
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• 2002

The study of photoconductor materials is demanded for development for flat-panel digital x-ray Imager. In this paper, We investigated the feasibility of application as x-ray image sensor using Cd(Zn)Te compound with high stopping power on high radiation. These Cd(Zn)Te samples were fabricated by vacuum thermal evaporation method to large area deposition and investigated I-V measurement as applied voltage. The experimental results show that the additional injection Zn in CdTe film reduced the leakage current, for the $Cd_{0.85}Zn_{0.15}Te$ detector, the net charge had the highest value as $144.58pC/cm^2$ at 30 V.

• Journal of Information Display
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• 제1권1호
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• pp.52-58
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• 2000

We observed that static electricity has an influence on the etching unformity of dry etching process. When the static electricity was applied from-200[V]to-1000[V] on glass substrates, the etching rate uniformity was changed to 1.5%-15%. In this experiment, the soft X-ray to neutralize static electricity was adopted as ore of neutralization methods. As an experimental result, soft X-ray irradiation improved neutralization capability on the surface of LCD glass substrate within the short time, about 15-30sec. The difference of etching rate uniformity was below 0.5%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.492-496
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• 2001

Due to their better photosensitivity in X-ray, the amorphous selenium based photoreceptor is widely used on the X-ray conversion materials. It was possible to control the charge carrier transport of amorphous selenium by suitably alloying a-Se with other elements(e,g. As, Cl). In this paper, We investigated dopants(As, Cl) composition rate to improve dark resistivity and transport properties of charge carrier in amorphous selenium using by direct X-ray conversion material. Alloying a-Se with As inhibits the recrystallization of a-Se but introduces undesirable deep hole traps. then doping with Cl(in the ppm range) compensates for the deep hole traps. We investigated their composition rate in various doping conditions and then obtained optimum dopant composition rate. The result was Se-As 0.3%-Cl 30 ppm and X-ray Sensitivity was 0.57 pc/pixel$.$mR at 137 $\mu\textrm{m}$ x 137 $\mu\textrm{m}$ Pixel area.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.113-113
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• 2015

본 연구에서는 thermal evaporation법을 이용하여 제작한 CdTe 후막의 미세구조, 전기적 특성 및 X-선 조사에 따른 특성을 비교분석하였다. 기판온도를 $370{\sim}450^{\circ}C$로 변화시키며 증착하였으며, CdCl2 첨가에 따른 미세구조 변화를 관찰하였다. CdTe 막의 상 하부에 전극을 형성하여 I-V 특성을 평가하고, 실제 X-ray를 샘플에 조사하여 sensitivity를 측정하였다. 박막형성 초기에는 기판온도가 증가함에 따라 grain size가 증가하였지만, grain uniformity는 감소하였다. X-ray 특성향상을 위해서는 grain size와 uniformity 모두 중요한 인자이기 때문에 uniformity 향상을 위해 Cl을 첨가하였다. 미량의 Cl 첨가에서는 큰 변화를 보이지 않았지만 더 많은 양의 Cl 첨가 시, grain size 와 uniformity 모두 증가되는 것을 확인하였으며, 그에 따라 I-V, X-ray 조사 특성 모두 개선되는 것을 확인할 수 있었다.