• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.70-70
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• 2011

차세대 저항 메모리로 활용 가능한 ZnO 박막의 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝 함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 전기적 특성을 평가하였다. 비교적 높은 compliance current (이하Icomp)를 설정한 경우 unipolar 저항 변화특성을 나타낸 데 비해 비교적 낮은 Icomp를 설정한 경우 bipolar 저항 변화특성을 나타내었다. 두 서로 다른 저항 변화 특성은 100cycle 이상 안정적으로 재현성 있게 나타났으며 이때의 저항비는 약 $10^3$ 정도를 나타냈다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• v.5C no.5
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• pp.196-203
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• 2005

A semi-empirical method to determine the electrostatic characteristics of a diode type corona aerosol charger based on ion current measurement and electrostatic charging theory was presented. Results from mathematical model were in agreement with those from experimental investigation of the charger. Current-voltage characteristics, $N_{i}t$ product and charge distribution against aerosol size were obtained. It was shown that the space charge was significant and must be taken into account at high ion number concentration and low flow rate. Additionally, significant particle loss was evident for particles smaller than 20 nm in diameter where their electrical mobility was high. Increase in charging efficiency may be achieved by introducing surrounding sheath flow and applying AC high voltage. Overall, the approach was found to be useful in characterizing the aerosol charger.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers D
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• v.55 no.8
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• pp.363-368
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• 2006

This paper presents a new method on reducing commutation torque ripples generated in brushless dc motor drives. In such drives the current ripples are generated by motor inductance in stator windings and the back EMF. The ripples suppression techniques that are practically effective in high speed as well as in low speed regions are rarely found. The proposed method here is based on a strategy that the commutation intervals of the incoming ang the outgoing phases can be equalized by a proper PWM control. The controller is implemented by a 16-bit microprocessor and effectiveness of the proposed control method is verified through experiments.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.10 no.8
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• pp.783-793
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• 1997

A VLSI implementation of a self-learning neural network integrated circuits using a linearity synapse transistor is investigated. The thickness dependence of oxide current density stress current transient current and channel current has been measured in oxides with thicknesses between 41 and 112 $\AA$, which have the channel width $\times$ length 10 $\times$1${\mu}{\textrm}{m}$, 10 $\times$ 0.3${\mu}{\textrm}{m}$ respectively. The transient current will affect data retention in synapse transistors and the stress current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses. The synapse transistor has represented the neural states and the manipulation which gaves unipolar weights. The weight value of synapse transistor was caused by the bias conditions. Excitatory state and inhitory state according to weighted values affected the drain source current.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.379-379
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• 2011

차세대 저항메모리(resistive switching random access memory; ReRAM)의 개발을 위해 다양한 산화 물질들의 저항 변화 특성이 연구되고 있다. 본 연구에서는 저항 변화 물질로 잘 알려진 ZnO 박막을 이용하여 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50 nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막 위에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 이의 전기적 특성을 평가하였다. Compliance current를 설정하여 저항 변화 특성을 측정한 결과 가해진 전압의 극성에 관계 없이 저항이 변화하는, dielectric breakdown에 의해 박막내 전도성 필라멘트라 불리는 전도성 길이 생성되었다가 joule-heating에 의해 필라멘트가 파열되는, 전형적인 unipolar 저항 변화특성이 나타났다. 다기능성 소자 개발을 위해 위 소자 구조를 투명한 고분자 기판위에 형성하고 표면에 초발수성 ZnO 나노막대 구조를 합성하였다. 그 결과 투명하면서 유연하고, 수분에도 안정적인 다기능성 저항 변화 소자 특성을 평가할 수 있었다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.284-285
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• 2018

최근 전력품질 향상을 위해 계통전류에 대한 THD 규제가 강화되고 있음에 따라 THD와 누설전류의 개선 문제가 대두되고 있다. 단상 계통연계형 ESS에서는 흔히 인버터와 DC-DC컨버터를 사용하여 배터리를 충 방전 하는데, 이때 단상 인버터의 대지누설전류 또한 개선이 필요하다. 단상 인버터의 누설전류는 모듈레이션 방식을 변경함에 따라 차이가 나타난다. 따라서 본 논문에서는 단상 풀-브릿지 인버터의 유니폴라(Unipolar) 모듈레이션과 바이폴라(Bipolar) 모듈레이션 방버에 따른 누설전류의 크기를 PSIM을 통한 시뮬레이션과 실험을 통하여 비교 분석하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.24 no.3
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• pp.135-139
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• 2014

To obtain the transistor with ambipolar transfer characteristics, IGZO/SiOC thin film transistor was prepared on SiOC with various polarities as a gate insulator. The interface between a channel and insulator showed the Ohmic and Schottky contacts in the bias field of -5V ~ +5V. These contact characteristics depended on the polarities of SiOC gate insulators. The transfer characteristics of TFTs were observed the Ohmic contact on SiOC with polarity, but Schottky contact on SiOC with low polarity. The IGZO/SiOC thin film transistor with a Schottky contact in a short range bias electric field exhibited ambipolar transfer characteristics, but that with Ohmic contact in a short range electric field showed unipolar characteristics by the trapping phenomenon due to the trapped ionized defect formation.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.21 no.2
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• pp.117-125
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• 2016

In this paper, the inverter switch losses of BLDC motor for three types of PWM methods and power devices were analyzed. When the BLDC motor is driven at low currents, the inverter switch losses for MOSFET are low because MOSFET operates like resistance. However, the inverter switch losses for IGBT are higher than MOSFET due to its large turn-off losses. Moreover, synchronous rectification switching method is adaptable because MOSFET has 2-channel. So, MOSFET can be driven with more low impedance and losses. For low power inverter with MOSFET, the power losses of unified PWM are lower than that of unipolar and bipolar PWM. Proposed method and losses analysis results are verified by examination and simulation using Matlab/Simulink.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.112-113
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• 2013

본 논문에서는 부트스트랩 게이트 드라이브 회로가 적용된 3-레벨 NPC 인버터의 전동기 저속 운전에 적용하기 위한 PWM 스위칭 전략을 제안한다. 3-레벨 NPC 인버터를 이용하여 전동기를 제어할 경우, 일반적으로 구현의 편리성 때문에 CBPWM이 주로 사용된다. CBPWM 중 Unipolar 방법이 주로 사용되지만 부트스트랩 회로를 적용한 3-레벨 NPC 인버터의 전동기 저속 운전 시 부트스트랩 캐패시터 방전에 의한 전압 감소 크기가 증가한다. 캐패시터 전압이 정상적인 인버터 동작을 위한 한계 전압 이하로 감소하면 정상적인 제어는 불가능하다. 따라서 본 논문에서는 부트스트랩 회로가 적용된 3-레벨 NPC 인버터의 전동기 저속 운전에 적용하기 위한 PWM 스위칭 전략에 대해 제안 하였으며 시뮬레이션을 통하여 그 타당성을 증명하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.14 no.3
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• pp.27-31
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• 2015

It was the electrical properties of ZnS treated by the annealing in a vaccum and an atmosphere conditions to reseached the leakage current effect of semiconductor devices. Most samples were shown the non-linear with unipolar properties, but the ZnS annealed at $100^{\circ}C$ in a vaccum was only observed no leakage current in a range of -20 V< voltage < 15 V. The crystallinity of ZnS with no leakage current was improved and optical property was also improved. Because the ambipolar characteristics and low leakage currents originated from the extension effect of a depletion width by electron-hole combination in the depletion layer.