• 제목/요약/키워드: tunneling

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10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석 (Analysis of Tunneling Current for Bottom Gate Voltage of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권1호
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    • pp.163-168
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    • 2015
  • 본 연구에서는 10 nm이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 대한 터널링 전류(tunneling current)의 변화에 대하여 분석하고자한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 다중게이트 MOSFET중에 비대칭 이중게이트 MOSFET는 채널전류를 제어할 수 있는 요소가 대칭형의 경우보다 증가하는 장점을 지니고 있다. 그러나 10nm 이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우, 터널링 전류에 의한 차단전류의 증가는 필연적이다. 본 연구에서는 차단전류 중에 터널링 전류의 비율을 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 포아송방정식을 이용하여 구한 해석학적 전위분포와 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm이하의 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 하단 게이트 전압에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 상하단 산화막 두께 그리고 채널두께 등에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

가상사설망에서 터널링의 확장성과 모바일 클라이언트 지원 (Supporting Scalability of Tunneling and Mobile Clients in Virtual Private Network)

  • Kim, Young-Jin;Lee, Joo-Yeon;Song, Joo-Seok
    • 한국정보보호학회:학술대회논문집
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    • 한국정보보호학회 2002년도 종합학술발표회논문집
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    • pp.195-199
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    • 2002
  • VPN(Virtual Private Networks)을 적절히 설계하기 위한 필요조건은 확장성, 효율성, 신뢰성, 관리의 용이성, 상호운용성과 보안이다. 이러한 요구사항들을 지원하기 위한 중요한 기술이 tunneling 이 될 것이다. 본 논문에서는 현재 주로 사용되고 있는 VPN tunneling 기술에 대해 조사하고 VPN에서 문제시되는 확장성과 Mobile VPN 환경에서 Mobile Station 의 자원제한을 고려한 VPN 서비스 모델을 제안한다.

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곡선경로를 가지는 마이크로 터널링의 무인 원격 측량을 위한 자동 추미식 거리 및 각도 측정 시스템 (Development of Auto Tracking Total Station for Unmanned Remote Surveying of Micro Tunneling with Curved Courses)

  • 이진이;김정훈
    • 제어로봇시스템학회논문지
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    • 제9권11호
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    • pp.891-898
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    • 2003
  • Unmanned remote survey system is proposed to measure distance and angle of the present position of micro-tunneling machine from any starting point of entrance. Cross type linear LED that can be controlled remotely is attached to the tunneling machine. Range finder and angle measuring devise fixed to internal of the pipe can scan the center of LED. Distance and angle measuring devises are disposed in the measurable position of the pipe, then the present position of tunneling machine can be calculated automatically from the measurements.

NATM 터널의 응력-간극수압 연계 유한요소모델링 (Stress-Pore Pressure Coupled Finite Element Modeling of NATM Tunneling)

  • 유충식;김선빈
    • 한국지반공학회:학술대회논문집
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    • 한국지반공학회 2006년도 춘계 학술발표회 논문집
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    • pp.189-198
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    • 2006
  • This paper concerns the finite element (FE) modeling approach for NATM tunneling in water bearing ground within the framework of stress-pore pressure coupled analysis. Fundamental interaction mechanism of ground and groundwater lowering was first examined and a number of influencing factors on the results of coupled FE analysis were identified. A parametric study was then conducted on the influencing factors such as soil-water characteristics, location of hydraulic boundary conditions, the way of modeling drainage flow, among others. The results indicate that the soil-water characteristics plays the most important role in the tunneling-induced settlement characteristics. Based on the results, modeling guidelines were suggested for stress-pore prssure coupled finite element modeling of NATM tunneling.

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VANET 환경에서 신뢰적인 에이전트 선출을 이용한 Safe-Tunneling Zone (Safe-Tunneling Zone using election the reliable agent in VANET)

  • 오하나;김아란;신용태
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2010년도 한국컴퓨터종합학술대회논문집 Vol.37 No.1(D)
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    • pp.371-374
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    • 2010
  • 본 논문은 Vehicular Ad-hoc Network(VANET)환경에서 V2V간의 신뢰적 통신을 지원하기 위해 Safe-Tunneling Zone을 제안한다. 기존의 무선 환경에서는 신뢰적인 경로산출을 위해 ARAN에서 제안된 hop-by-hop 인증을 사용하여 신뢰성은 충족되나 많은 시간과 자원을 소비하는 단점이 있다. 그러나 본 논문에서 제안한 Safe-Tunneling Zone은 송 수신 하고자하는 차량이 각각 신뢰적 에이전트를 선택하고, 선택된 에이전트는 서로의 ID, Rn을 바탕으로 생성된 세션키를 교환함으로서 상호간의 인증을 수행한다. 이와 같이 본 논문에서는 Safe-Tunneling Zone을 통해 기존의 신뢰적 경로 산출 기법보다 수행과정 절차의 간소화, 자원소비 감소, 종단 간의 신뢰적 경로를 통한 데이터의 기밀성 또한 제공 가능하도록 한다.

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Frustrated Total Internal Reflection 구조에서의 TM 편광된 광자의 터널링 (TM polarized photon tunneling in a frustrated total internal reflection structure)

  • 이병호;이욱
    • 한국광학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.112-119
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    • 1996
  • TM 편광된 광자가 frustrated total internal reflection(FTIR) 구조에서 2차원적 터널링을 할 때 터널링에 소요되는 시간과 터널링되어 나오는 위치를 계산하였다. 이는 TM 편광된 광자의 FTIR 터널링 문제를 효과질량이 다른 이종 포텐셜 장벽을 터널링하는 전자의 문제로 변환시킴으로써 가능하였다. 계산된 결과를 TE 편광된 광자에 대한 경우와 비교하였다.

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터널 굴착이 무리말뚝거동에 미치는 영향에 대한 수치해석연구 (Study of Effect of tunnelling on pile group - Numerical Analysis)

  • 우승제;최고니;유충식
    • 한국지반공학회:학술대회논문집
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    • 한국지반공학회 2010년도 추계 학술발표회 2차
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    • pp.96-103
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    • 2010
  • This paper presents of effect of tunneling on pile group of being operated bridge using Three-dimensional numerical modeling to study the effect of coordination of tunneling location under discontinuous group pile. In order to find idealistic tunneling location that causes settlement, change of stress on the piles and movement of soil at a minimum, a fully coupled 3D finite element model is adopted. The study contains pile settlement, axial force on each piles in the group, axial displacement of piles and soil behaviour caused by tunneling. Based on the result some insights into the pile behavior due to tunneling obtained from numerical analysis were mentioned and discussed.

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Unlined Tunnel 공법 지보재의 설계 및 시공 기준 고찰 (A Study on the Design/construction Standard of Unlined Tunneling Method)

  • 서영화;김성구;나승훈
    • 한국지반공학회:학술대회논문집
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    • 한국지반공학회 2002년도 가을 학술발표회 논문집
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    • pp.121-134
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    • 2002
  • Tunneling is a very dangerous and expansive work. Especially, the concrete lining works need many long hours and much cost. As an alternative, the unlined tunneling methods including NMT have been developed in various country. These methods have advantages in cost, time and quality. In Korea, many considerations have been conducted to apply the unlined tunneling method in comparatively good rock. Since primary reinforcements play the role of the final supporting system in unlined tunnels, the initial stiffness and long term durability of reinforcements are very important for tunnel safety. To establish the reinforcements standard suitable to Korea, we investigated the foreign standards and construction cases, comparing geological and construction conditions of foreign land and Korea. As the result, we have proposed the standard of primary supporting system for unlined tunnel in aspects of material, design, construction and quality control etc.

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Analysis of Tunnelling Rate Effect on Single Electron Transistor

  • Sheela, L.;Balamurugan, N.B.;Sudha, S.;Jasmine, J.
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제9권5호
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    • pp.1670-1676
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    • 2014
  • This paper presents the modeling of Single Electron Transistor (SET) based on Physical model of a device and its equivalent circuit. The physical model is derived from Schrodinger equation. The wave function of the electrode is calculated using Hartree-Fock method and the quantum dot calculation is obtained from WKB approximation. The resulting wave functions are used to compute tunneling rates. From the tunneling rate the current is calculated. The equivalent circuit model discuss about the effect of capacitance on tunneling probability and free energy change. The parameters of equivalent circuit are extracted and optimized using genetic algorithm. The effect of tunneling probability, temperature variation effect on tunneling rate, coulomb blockade effect and current voltage characteristics are discussed.