• 제목/요약/키워드: transparent plane heating system

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CVD 그래핀을 이용한 저저항 투명면상발열 시스템 (Low-resistance Transparent Plane Heating System using CVD Graphene)

  • 유병욱;한상수
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제12권3호
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    • pp.218-223
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    • 2019
  • 높은 CVD 그래핀저항으로 인한 낮은 발열효과를 해결하기 위해 다층으로 그래핀을 적층하여, 저저항의 광학특성이 우수한 투명 면상 발열시스템을 구현하였다. 제작한 CVD 그래핀의 발열필름으로 $300{\times}400{\times}5mm$ 발열체를 제작하고, 효율적인 전력을 구동하기 위해 PWM 제어를 통한 회로를 구성하여 시스템을 구현하였다. 발열체로 사용한 4층의 CVD 그래핀 필름의 평균 면 저항 측정값은 $85.5{\Omega}/sq$이다. 따라서 저 저항의 CVD 그래핀의 구현 방법으로 열전사의 적층의 방법은 타당하다. 발열시험 결과, CVD 그래핀을 이용한 저저항 투명 면상 발열 시스템의 평균 발열상승은 $10^{\circ}C/min$ 이고, 86.44%의 CVD 그래핀 필름의 광투과율을 갖음을 보여준다. 따라서 제시한 발열 시스템은 대형창 유리 및 자동차 발열유리로서 적용가능하다.

스퍼터링 공법으로 제작한 ITO 박막의 디지털 홀로그래피를 이용한 단차에 대한 측정 (Measurement of Step Difference using Digital Holography of ITO Thin Film Fabricated by Sputtering Method)

  • 정현일;신주엽;박종현;정현철;김경석
    • 한국기계가공학회지
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    • 제20권9호
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    • pp.84-89
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    • 2021
  • Indium tin oxide (ITO) transparent electrodes, which are used to manufacture organic light-emitting diodes, are used in light-emitting surface electrodes of display EL panels such as cell phones and TVs, liquid crystal panels, transparent switches, and plane heating elements. ITO is a major component that consists of indium and tin and is advantageous in terms of obtaining sheet resistance and light transmittance in a thin film. However, the optical performance of devices decreases with an increase in its thickness. A digital holography system was constructed and measured for the step measurement of the ITO thin film, and the reliability of the technique was verified by comparing the FE-SEM measurement results. The error rate of the step difference measurement was within ±5%. This result demonstrated that this technique is useful for applications in advanced MEMS and NEMS industrial fields.

급속 열처리시 실리콘 웨이퍼의 온도분포와 슬립 현상의 해석 (Analysis of Temperature Distribution and slip in Rapid Thermal Processing)

  • 이혁;유영돈;엄윤용;신현동;김충기
    • 대한기계학회논문집
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    • 제16권4호
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    • pp.609-620
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    • 1992
  • 본 연구에서는 텅스텐 할로겐 램프를 이용한 급속 열처리 장치로 웨이퍼를 가 열할 때 시간에 따라 변하는 웨이퍼의 2차원 온도 분포와 온도 구배에 의해 발생하는 열응력을 실리콘 웨이퍼의 결정방향에 따라 다른 값을 갖는 탄성계수를 고려하여 계산 하고, 슬립의 발생 시기, 웨이퍼의 가열속도와 슬립량의 관계, 그리고 웨이퍼에 발생 한 슬립의 진전 특성에 대하여 살펴보고 실험결과와 비교하였다.