Kim, Se-Hyun;Moon, Yeon-Geon;Moon, Dae-Yong;Park, Jong-Wan;Jeong, Chang-Ho
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2006.08a
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pp.1351-1354
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2006
In this paper, we study the effect of substrate temperature on property of Ga doped ZnO (GZO) thin film for transparent conductive oxide (TCO).GZO thin films have been deposited on corning glass 1737 by D.C. magnetron sputtering. We investigated the structural and electrical properties of GZO films using the X-Ray Diffractometer(XRD), Field Emission Scanning Electron Microscopy(FESEM) and 4-points probe .
Tandem OLED structures formed by connecting two or more low-voltage electroluminescent units (stacks) are effective for achieving high efficiency at low current density as well as long operational lifetime. We have fabricated white emitting tandem structures with two or three low-voltage white-emitting stacks using transparent organic "PN"-type connectors. Three- stack white tandem structures with efficiency greater than 24 cd/A at D65 and operational stability of about 110,000 h. (extrapolated) at $1000\;cd/m^2$ have been demonstrated. With a stacked structure, the power consumption for displays using an RGBW format can be reduced by 25% compared to previously described formulations. We have also fabricated advanced white tandem structures where the color gamut (NTSC x,y ratio) has been improved to greater than 70% using standard color filters. The white OLEDs can also be used to increase the colorrendering index CRI (>80%), an important consideration for solid-state lighting.
Producing high transparency dielectric is still one of the most important subjects in the PDP process for improving luminous efficiency. It has been reported by many workers that transparency is improved by controlling the composition of the frit, the frit size and distribution, and the firing atmosphere. To understand the mechanism of discoloration of frit, $Bi_2O_3$ and $B_2O_3$ glasses were used for a leaching test using water and alcohol solution in milling. As a result, the frit prepared by wet milling had lower chemical durability than that prepared by dry milling. The leached layer around the frit showed high stability for heat treatment because the frit surface was covered with hydroxides or hydrates which was resulted from a reaction between the frit and the solution during milling.
Aluminium-doped ZnO (ZnO:Al) films were grown by atomic layer-controlled deposition on glass substrates at temperature of 200 $^{\circ}C$ using diethylzinc($Zn(C_{2}H_{2})_{2}$; DEtZn), water($H_{2}O$) and trimethylaluminium ($Al(CH_{3})_{3}$; TMA) as precursors. As the cycle ratio of TMA to DEZn(TMA/DEZn) increased, the resistivity of the films decreased and the roughness increased. In the case of TMA/DEZn pulse ratio of 1 to 10, the film had a resistivity of $9.7{\times}l0^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ and a roughness of 2.25nm(rms), while in the case of only DEZ injection the film had a resistivity of $3.5{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ and a roughness of 1.07nm(rms)
$(Pb_xLa_{1-x}) (Zr_yTi_{1-y})O_3$ (PLZT) thin films with electrooptic effect are promising for the optical application such as display or light shutter. However, it is difficult to use inexpensive and transparent glass substrates because the conventional process for preparation of PLZT requires temperatures above $600^{\circ}C$. In order to deposit a perovskite PLZT thin films at low processing temperatures through alkoxide route, we have offered several seeding processes which reduce the activation energy for crystallization. In this study, we optimized the stacking structure of multilayered PLZT for obtaining single phase perovskite at lower temperatures. As a result, ferroelectric PLZT thin films with different compositions were successfully prepared at a temperature as low at $500^{\circ}C$.
The dielectric layers in AC plasma display panel(AC PDP) are essential to the discharge cell structure, because they protect metal electrodes from sputtering by positive ion and from a sheath of wall charges which are essential to memory function of AC PDP. Furthermore, this layer should be transparent because the visible light must pass through the layer. In this paper, the dielectric breakdown strength and transparency of the dielectric layer on the discharge electrodes are studied. The variables in this test are the dielectric layer thickness, dielectric firing condition, gas pressure, species of gas and so on.
Sohn Ik-Bu;Lee Man-Seop;Woo Jung-Sik;Lee Sang-Man;Chung Jeong-Yong
Laser Solutions
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v.8
no.1
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pp.39-44
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2005
We report experimental results on the periodic patterning using a Ti:sapphire femtosecond laser (800nm, 100fs, 1kHz). Periodic structures with reproducible basic patterns are produced both on the surface and inside transparent materials. Period patterning for the application to display panel is widely investigated. Also, the submicron dot and line patterns are fabricated inside fused silica glass, which is important for the formation of diffraction grating in integrated optical circuit. finally, we demonstrate the utility of the femtosecond laser application to optical memory by fabricating the three-dimensional dot patterns.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.108-108
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2012
High-performance GaN-based light emitting diodes (LEDs) with high efficiency and excellent reliability have been of technological importance forapplications in full color display, automotive lighting, and solid state lighting. To realize high-performance and excellent-reliability LEDs, various technologies such as surface texturing, transparent conducting oxide, surface Plasmon, highly p-conduction layer, current blocking layer, photon-enhanced layer, and nanostructures have been extensively investigated. Among them, advanced core technologies based on how to suppress surface leakage and current crowding, how to enhance current injection efficiency and output power, and how to resist electrostatic damage will be displayed and discussed using our reported and preliminary results. New approaches like integrated LEDs will be also introduced and discussed.
Benzyl viologen was synthesized and the electrochromic properties was examined. At an applied voltage of 2.6 V the electrocoloration was appeared but electrooptical response abruptly decreased after a certain period of time. It was a cause that the quality of the ITO film was degraded, e.g. the conductivity of the ITO film reduced from the original value. The ITO surfaces under some different conditions were observed by XRD and SEM.
Pentacene thin film transistors fabricated without photolithographic patterning were fabricated on the plastic substrates. Both the organic/inorganic thin films and metallic electrode were patterned by shifting the position of the shadow mask which accompanies the substrate throughout the deposition process. By using an optically transparent zirconium oxide ($ZrO_2$) as a gate insulator and octadecyltrimethoxysilane (OTMS) as an organic molecule for self-assembled monolayer (SAM) to increase the adhesion between the plastic substrate and gate insulator and the mobility with surface treatment, high-performance transistor with field effect mobility $.66\;cm^2$/V s and $I_{on}/I_{off}$>$10^5$ was formed on the plastic substrate. This technique will be applicable to all structure deposited at low temperature and suitable for an easy process for flexible display.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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