Various installation faults may lie in fasteners in the construction of a direct-fixation track by the top-down method. At an extreme, they may cause excessive interaction between the train and track, compromise the running safety of the train, and cause damage to the track components. Therefore, the faults need to be kept within the allowable level through an investigation of their effects on the interactions between the train and track. In this study, the vertical dynamic stiffness of fasteners in installation faults was measured based on the dynamic stiffness test by means of an experimental apparatus that was devised to feasibly reproduce gap faults. This study proposes an effective analytical model for a train-track interaction system in which most elements, except the nonlinear wheel-rail contact and some components that behave bi-linearly, exhibit linear behavior. To investigate the effect of the behavior of fasteners in gap faults in a direct-fixation track on the vehicle and track, vehicle-track interaction analyses were carried out, targeting key review parameters such as the wheel load reduction factor, vertical rail displacement, rail bending stress, and mean stress of the elastomer. From the results, it was noted that the gap faults in the concrete bearing surface of a direct-fixation track need to be limited for the sake of the long-term durability of the elastomer than for the running safety of the train or the structural safety of the track.
Top of the alumina body which is made according to plan has been printed using a screen printer equipment in order to print an electrode pattern. The electrode is connected with the quartz crystal oscillator of the piezoelectricity method which has a piezoelectric characteristic. The pressure contact department has been experimented using three type of the teflon. The teflon is good for pressure delivery vector but it is bad restitution. So we devised the structure which inserts the metal in the teflon. Bottom of the module is connected with the signal processing department which is planned in advance and then has investigated to characteristic. Therefore we have got the best output-voltage and frequency characteristic follows in the pressure.
Polyvinylidenefluoride (PVDF) is most used in piezoelectric polymer industry. Electrode effect on the electrical properties of PVDF has been investigated. al has been used due to fair adhesion for PVDF. Work function of metal plays an important role on the electrical properties of ferroelectrics for top and /or bottom electrode. However, Al has much lower work function than Pt or Au and so leakage current of Al/PVDF/Al may be large. Pt or Au has not been used for electrode of PVDF system due to poor adhesion. PVDF irradiated by Ar+ ion beam with O2 environment takes good adhesion to inert metal. Contact angle of PVDF to triple distilled water was reduced from 75$^{\circ}$ to 31$^{\circ}$ at 1$\times$1015 Ar+/cm2. Working pressure was 2.3$\times$10-4 Torr and base pressure was 5$\times$10-6 Torr. Pt was deposited by ion beam sputtering and thickness of pt film was about 1000$\AA$. in previous study, enhancing adhesion of Pt on PVDF was shown. in this study, effect of electrode on PVDF will be represented.
최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자 소자 분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는 CuPc 물질을 활성층으로 사용하여 Organic FET 소자를 제작하였다. Source와 Drain 전극을 Au와 Al을 사용하여 FET 소자의 전기적 특성을 비교하였다. CuPc FET 소자에서 CuPc 활성층의 두께는 40nm로 고정하였고, Au와 Al 전극의 두께는 200nm로 하여 소자를 제작하였다. 또한 C-V 특성을 측정하여 CuPc 유기물 층과 $SiO_2$ 절연층 계면에서의 특성 변화를 관측하였다. Au를 전극으로 사용한 FET 소자에서는 전형적인 FET 특성 곡선을 관측할 수 있었으나, Al을 전극을 사용한 FET 소자에서는 누설 전류가 흐르고 있음을 확인 할 수 있었다.
In this paper, it was demonstrated that the organic thin film transistors were fabricated by the organic gate insulators with vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polyimide as a gate insulator, vapor deposition polymerization process was also introduced instead of spin-coating process, where polyimide film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) and 4,4'-oxydianiline (ODA) and 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and ODA, and cured at $150^{\circ}C$ for 1hr. Electrical output characteristics in our organic thin film transistors using the staggered-inverted top-contact structure obtained to the saturated slop in the saturation region and the subthreshold non-linearity in the triode region. Field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio in $0.45\;{\mu}m$ thick gate dielectric layer were about $0.17\;cm^2/Vs$, -7 V, and $10^6\;A/A$, respectively. Details on the explanation of compared to organic thin-film transistors (OTFTS) electrical characteristics of ODPA-ODA and 6FDA-ODA as gate insulators by fabricated thermal co-deposition method.
Surface fog coating methods to porous pavements with a polymer, that contains MMA as a main ingredient, are being widely used in Japan and called 'Top-Coat Processes'. They have lots of effects such as to prevention of the pavement void choking, improvement of the water permeability of the pavements and so on. The purpose of this research is to show the characterization of the polymer to optimize the functions of the polymer fog-coat methods. This study focused on the difference of 'wetting' by water among polymers used for the fog coatings, and calculation the surface free energy from the water contact angle on each material. At the end, the water permeability test were conducted using porous asphalt mixtures that were coated with several kinds of polymers. The permeability was also measured on the specimens that were forcibly choked by muddy water and the resistance to choking was compared. It is concluded that the reduction of the surface free energy between water and a polymer improves the life of the permeability functions of porous pavements. Improvement of water permeation capacity and void-blocking controlling effects can be quantitatively evaluated using the interfacial tension ($\gamma$sl) with water for the coating material (high-viscosity asphalt and hardening resin binder). Consequently, the smaller the $\gamma$sl of the coating material the higher the water permeation capacity and void-blocking controlling effects of the porous asphalt pavements.
We are developing a sensitive gamma ray spectrometer based on superconducting transition edge sensors. The detector consists of a small piece of high purity Sn as an absorber and a Ti/Au bilayer as a temperature sensor. It is designed to measure the thermal signal caused by absorption of gamma rays. The mechanical support and the thermal contact between the absorber and the thermometer were made with Stycast epoxy. The bilayer was formed by e-beam evaporation and patterned by wet etching on top of a $SiN_X$ membrane. A sharp superconducting transition of the film was measured near 100 mK. When the film was biased to the edge of the transition, signals were observed due to single photon absorption emitted from an $^{241}Am$ source. The measured spectrum showed several characteristic peaks of the source including 59.5 keV gamma line. The full with at half maximum was about 900 eV for the 59.5 keV gamma line. The background was low enough to resolve low energy lines. Considerations to improve the energy resolution of the gamma ray spectrometer are also discussed.
Co/Ti bilayer structure in Co salicide process helps to the improvement of device speed by lowering contact resistance due to the epitaxial growth of $CoSi_2$layers. We investigated the epitaxial growth and interfacial mass transport of $CoSi_2$layers formed from $150 \AA$-Co/Ti structure with two step rapid thermal annealing (RTA). The thicknesses of Ti layers were varied from 20 $\AA$ to 100 $\AA$. After we confirmed the appropriate deposition of Ti film even below $100\AA$-thick, we investigated the cross sectional microstructure, surface roughness, eptiaxial growth, and mass transportation of$ CoSi_2$films formed from various Ti thickness with a cross sectional transmission electron microscopy XTEM), scanning probe microscopy (SPM), X-ray diffractometery (XRD), and Auger electron depth profiling, respectively. We found that all Ti interlayer led to$ CoSi_2$epitaxial growth, while $20 \AA$-thick Ti caused imperfect epitaxy. Ti interlayer also caused Co-Ti-Si compounds on top of $CoSi_2$, which were very hard to remove selectively. Our result implied that we need to employ appropriate Ti thickness to enhance the epitaxial growth as well as to lessen Co-Ti-Si compound formation.
In this paper, buckling characteristics of nonhomogeneous functionally graded (FG) nanobeams embedded on elastic foundations are investigated based on third order shear deformation (Reddy) without using shear correction factors. Third-order shear deformation beam theory accounts for shear deformation effects by a parabolic variation of all displacements through the thickness, and verifies the stress-free boundary conditions on the top and bottom surfaces of the FG nanobeam. A two parameters elastic foundation including the linear Winkler springs along with the Pasternak shear layer is in contact with beam in deformation, which acts in tension as well as in compression. The material properties of FG nanobeam are supposed to vary gradually along the thickness and are estimated through the power-law and Mori-Tanaka models. The small scale effect is taken into consideration based on nonlocal elasticity theory of Eringen. Nonlocal equations of motion are derived through Hamilton's principle and they are solved applying analytical solution. Comparison between results of the present work and those available in literature shows the accuracy of this method. The obtained results are presented for the buckling analysis of the FG nanobeams such as the effects of foundation parameters, gradient index, nonlocal parameter and slenderness ratio in detail.
Kim, Jae-Wook;Jung, Hee-Tae;Ha, Sun-Young;Yi, Mi-Hye;Park, Jae-Eun;Kim, Hyo-Joong;Choi, Young-Ill;Pyo, Seung-Moon
Macromolecular Research
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제17권9호
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pp.646-650
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2009
We report the fabrication of pentacene organic field-effect transistors (OFETs) using a fluorinated styrene-alt-maleic anhydride copolymer gate dielectric, which was prepared from styrene derivatives with a fluorinated side chain [$-CH_2-O-(CH_2)_2-(CF_2)_5CF_3$] and maleic anhydride through a solution polymerization technique. The fluorinated side chain was used to impart hydrophobicity to the surface of the gate dielectric and maleic anhydride was employed to improve its wetting properties. A field-effect mobility of 0.12 cm$^2$/Vs was obtained from the as-prepared top-contact pentacene FETs. Since various functional groups can be introduced into the copolymer due to the nature of maleic anhydride, its physical properties can be manipulated easily. Using this type of copolymer, the performance of organic FETs can be enhanced through optimization of the interfacial properties between the gate dielectric and organic semiconductor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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