• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.211-220
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• 1998

수평 전기로에서 $AgGaS_2$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성장하였다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성잘할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$, $440^{\circ}C$로 성장하였을 때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $\alpha$= 8.695$\times$10-4 eV/K, $\beta$= 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper polariton과 lower polariton인 {{{{{E}`_{x} ^{u} }}}}와 {{{{{E}`_{x} ^{L} }}}}, 423.6nm(2.9269eV)는 bound exciton emission에 의한 I로 관측되었다. 또한 455nm(2.7249eV)의 peak는 donor-acceptor pair(DAP)에 기인하는 광발광 봉우리로 관측되었다.

• 한국결정학회지
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• 제6권2호
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• pp.88-92
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• 1995

X-선을 이용한 초정밀 측정은 길이, 각도, 결정구조해석 등 많은 분야에서 응용되고 있다. 본 논문은 실리콘 결정을 이용한 초정밀 각도측정에 대한 결과이다. 실리콘 단결정 내부의 여섯 개의 [220] 격자면들은 60°의 사이각(정확도 ∼10-8 rad) 을 이루고 있으므로 육가기둥형의 다면체를 만들어 각도 표준물로 이용하였다. 이러한 각도교정용 실리콘 다면체(silicon polygon)를 사용하여 분해능이 0.36"인 회전엔코더(rotary encoder)의 정확도를 교정하였고, 그 결과를 기존의 회전눈금원판(indexing table)을 사용하여 교정한 결과와 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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• pp.84-91
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• 2002

The stochiometric composition of $AgGaS_2$/GaAs polycrystal source materials for the $AgGaS_2$/GaAs epilayer was prepared from horizontal furnace. From the extrapolation method of X-ray diffraction patterns it was found that the polycrystal $AgGaS_2$/GaAs has tetragonal structure of which lattice constant an and Co were 5.756 $\AA$ and 10.305 $\AA$, respectively. $AgGaS_2$/GaAs epilayer was deposited on throughly etched GaAs(100) substrate from mixed crystal $AgGaS_2$/GaAs by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $590^{\circ}C$ and $440^{\circ}C$ respectively. The crystallinity of the grown $AgGaS_2$/GaAs epilayer was investigated by the DCRC (double crystal X-ray diffraction rocking curve). The optical energy gaps were found to be 2.61 eV for $AgGaS_2$/GaAs epilayer at room temperature. The temperature dependence of the photocurrent peak energy is well explained by the Varshni equation, then the constants in the Varshni equation are given by $\alpha=8.695{\times}10^{-4}$ eV/K, and $\beta=332K$. From the photocurrent spectra by illumination of polarized light of the $AgGaS_2$/GaAs epilayer, we have found that crystal field splitting ${\Delta}Cr$ was 0.28 eV at 20 K. From the PL spectra at 20 K, the peaks corresponding to free and bound excitons and a broad emission band due to D-A pairs are identified. The binding energy of the free excitons are determined to be 0.2676 eV and 0.2430 eV and the dissociation energy of the bound excitons to be 0.4695 eV.

• 한국지반공학회논문집
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• 제28권6호
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• pp.53-61
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• 2012

본 연구의 목적은 연약지반에 대한 미생물의 고결화 메커니즘을 확인하기 위함이다. 연약지반에 대한 미생물의 고결화 메커니즘을 확인하기 위해서 6가지 미생물 조건(무처리, 일반농도처리, 고농도처리, 상층액처리, 2X 고농도처리, 25% 시료 고농도처리)으로 실험되어졌다. 전자현미경(SEM, EDX)과 X선 분석 회절기(XRD)를 이용하여 실트질시료와 느슨한 모래시료의 분석을 수행하였으며, 일반농도처리 시료에 비교하여 25% 시료 고농도처리 시료에서 입자와 입자 사이에 탄산칼슘이 더욱 명확히 관찰되어졌다. 이러한 연구결과를 바탕으로 연약지반에 대한 미생물 고결화 반응을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.229-229
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• 2010

We report a high crystalline nonpolar a-plane (11-20) GaN on r-plane (1-102) sapphire substrates with $+0.15^{\circ}$, $-0.15^{\circ}$, $+0.2^{\circ}$, $-0.2^{\circ}$ and $+0.4^{\circ}$ misoriented by metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD). The multi-quantum wells (MQWs) active region is consists of 5 periods the nonpolar a-plane InGaN/GaN (a-InGaN/GaN) on a high quality a-plane GaN (a-GaN) template grown by using the multibuffer layer technique. The full widths at half maximum (FWHMs) of x-ray rocking curve (XRC) obtained from phiscan of the specimen that was grown up to nonpolar a-plane GaN layers with double crystal x-ray diffraction. The FWHM values of $+0.4^{\circ}$ misoriented sapphire substrate were decreased down to 426 arc sec for $0^{\circ}$ and 531 arc sec for $-90^{\circ}$, respectively. Also, the samples were characterized by photoluminescence (PL).

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권2호
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• pp.12-17
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• 2000

Helicon waves were excited by a Nagoya type III antenna in magnetized plasma, and hydrogen and methane are fed through a Mass Flow Controller(MFC). We made a diagnosis of properties of helicon plasma by H$_2$gaseous discharge, and fabricated the diamond thin film. The maximum measured electron density was 1${\times}$10$\^$10/ cm$\^$-3/. Diamond films have been growo on (100) silicon substrate using the helicon plasma chemical vapor deposition. Diamond films were deposited at a pressure of 0.1 Torr, deposition time of 40~80 h, a substrate temperature of 700$^{\circ}C$ and methane concentrations of 0.5~2.5%. The growth characteristics were investigated by means of X-ray Photoelectron (XPS) and X-ray Diffraction(XRD), XRD and XPS analysis revealed that SiC was formed, and finally diamond particles were definitely deposited on it. With increasing deposition time, the thickness and crystallization of the daimond thin film increased, For this system the optimum condition of methane concentration was estimated to near to 1.5%.

• 한국통신학회논문지
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• 제37권8C호
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• pp.721-730
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• 2012

본 논문에서는 화장장이란 특수한 실내 공간에서 시신을 최종 목적지인 화장로까지 안전하게 운구할 수 있는 무인이송차량(AGV)의 이동 제어 문제를 다루고자 한다. 바닥에 유도라인을 매립하는 방식은 화장장 환경에 적합하지 않기 때문에, 적외선 센서 기반 AGV 이동 궤적 제어 방식을 제안한다. 이 방식은 AGV가 근적외선을 방사하여 미리 부착된 랜드마크(landmark) 판독을 통해 해당 경로를 따라 주행하게 된다. 이러한 방식이 갖는 문제점은 랜드마크 배열 과정에서 사각 지역(dead zone) 및 중첩 지역(overlap zone)이 존재할 수 있다는 점이다. 이를 해결하기 위해 이중 랜드마크 인식을 통해 센싱 과정에서의 오차 발생 과정을 최소화할 것이다. 또한, 화장로에 진입하기 위한 회전 구간에서는 회전 직후 화장로의 진입로와 일직선을 유지하도록 AGV 안쪽 바퀴와 바깥쪽 바퀴의 가속도 제어를 위한 알고리즘을 제안할 것이다. 본 논문에서 제안한 방식은 모의 차량에 적용하여 그 타당성을 검증하였다. 실제 국내 화장장에 본 논문에서 개발한 AGV 시스템을 적용하여 오차 범위 내에서 동작함을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제60권2호
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• pp.300-307
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• 2022

매우 짧은 펄스 폭의 X선 자유전자 레이저(XFEL)를 이용한 시간 분해능 연속 펨토초 결정학(time-resolved serial femtosecond crystallography, TR-SFX)기법에서 반응 물질과 생체분자 결정 샘플간의 혼합률(mixing rate)과 결정 샘플과 X선 레이저 간의 충돌률(hit rate)은 생체분자의 시분해 구조 변화에 대한 정확한 이미지 획득 및 효율적인 샘플소비와 같은 TR-SFX의 분석 성능을 결정짓는 핵심인자이다. 본 연구에서는 극초단 내 일어나는 생체분자의 시분해 구조 변화 해석을 위해 초고속 믹싱 기능을 가짐과 동시에 공압 기반의 주문형 액적 젯팅이 가능한 두 가지 다른 방식의 샘플 전달시스템을 고안하였다. 한 방식은 이중 노즐을 통해 토출된 액적의 고속 충돌에 유발된 관성 믹싱을 기반으로 하고 있으며, 다른 방식은 마이크로믹서가 내장된 공압 젯팅을 기반으로 하고 있다. 먼저, 이중 노즐을 통해 토출된 액적의 충돌에 대한 동적 거동 및 액적 내부 관성 유동에 대한 믹싱에 대한 실험 및 수치해석적 연구를 수행하였다. 다음으로 마이크로믹서가 내장된 공압 젯팅 시스템의 성능을 유사한 방법을 통해 평가하였다. 본 연구에서 개발한 샘플 전달시스템은 질환을 유발하는 특정 단백질들의 기작을 규명하거나, 항체 의약품과 신약 후보 물질 탐색하는 데 있어 필수적인 3차원 생체 분자 구조분석 연구에 매우 유용하게 활용될 수 있을 것이다.

• 원예과학기술지
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• 제34권6호
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• pp.966-976
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• 2016

경남농업기술원 화훼연구소에서 '포커스(Focus)'와 '초우(Chowoo)' 품종 간의 교배 후, 특성검정을 통해 선명한 황색의 반겹꽃 절화용 거베라(Gerbera hybrida Hort.) '조이풀(Joyful)'을 육성하였다. 인공교배로부터 얻은 실생계통을 2005년부터 2010년까지 조직배양과 포장재배를 통해 개체 증식과 생육 및 개화특성 검정, 농가 실증, 절화수명 등을 평가하였다. '조이풀'의 화색은 황색(12-A)으로 꽃의 직경이 12.8cm의 대륜화이며, 화경장은 60cm로 길었다. 개화 소요일수가 89일 정도이며, 절화 수량도 49.2개로 대조품종보다 개화가 빠르고 수량도 많았다. 절화수명에 있어서도 12.8일로 비교 품종보다 우수하였으며, 절화 보존 시 꽃크기 변화 등이 적고, 외형 등의 변화가 대조품종보다 우월하여 절화로서 높은 관상가치를 보였다. 또한 농가실증이나 기호도 평가 시 잘 조화된 절화품종으로 평가받았다. RAPD 분석에서 육성 품종이 모본과 부본의 밴드 패턴이 교배품종인 '조이풀'에는 모두 나타나서, 양친간 교배에 의해 육성된 품종임을 확인할 수 있었다. '조이풀'은 2013년에 신품종으로 품종보호등록(품종보호 제4574호)이 되었으며, 절화용 거베라로서 농가소득 창출에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

• 열처리공학회지
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• 제5권4호
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• pp.215-223
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• 1992

This study has been performed to investigate into some effects of temperature, gas mixing ratio and time on the optical microstructure, hardness and wear characteristics of medium carbon alloy steel treated by plasma nitriding. The results obtained from the experiment are summarized as follows: (1) Optical micrographs of AISI 4140 steel plasma-nitrided by the double stage technique have revealed that the nitrided layer is composed of the compound layer and the diffusion layer. The variation in temperature at the first stage gives effects, on the formation of compound layer and the growth rate is shown to be relatively fast at $460^{\circ}C$. (2) The thickness of compound layer has been found to increase with increasing nitrogen percentage in the gas mixture and the holding time. It is therefore recommended that a shorter holding time and a lower nitrogen percentage are more effective to produce a tougher compound layer and a diffusion layer only. (3) X-ray diffraction analysis for AISI 4140 steel has shown that the compound layer consist of ${\gamma}^{\prime}-Fe_4N$ and ${\alpha}-Fe$ and that tough compound layer diffustion layer only can be obtained by the double stage plasmanitriding process. (4) There is also a tendency that the total hardened layer depth increases with increasing temperature, time and nitrogen percentage in the first stage during the double stage plasma nitriding. (5) The wear resistance of plasma nitrided specimens has been found thobe considerably increased compared to the untreated specimens and the amount of increment has appeared to increase further with increasing nitriding temperature, holding time and notrogen percentage of gas mixture in the first stage treatment.