• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.33-36
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• 2005

Colloidal Silica(CS)/silane sol solutions were prepared in variation with synthesizing parameters such as ratio of CS to silane and reaction time. In the case of LHSA CS/tetramethoxysilane(TMOS)/methyltrimethoxysilane(MTMS) CS/silane sol, coating film had stable contact angle with increasing reaction time excepting for 48hours. Also, the LHSA CS/TMOS/MTMS coating film had more enhanced flat surface with increasing the amount of MTMS and increasing reaction time. In the case of thermal stability, thermal dissociation of LHSA CS/MTMS sol did not occur up to $550^{\circ}C$.

• 한국표면공학회지
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• 제32권3호
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• pp.297-302
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• 1999

In situ measurement of infrared absorption spectra has been performed during low-temperature plasma-enhanced chemical vapor depositiion of silicon-oxide films using tetramethoxysilane as a silicon source. Several absorption bands due to the reactant molecules are clearly observed before deposition. In the plasma, these bands completely disappear at any oxygen mixing ratio. This result shows that most of the tetramethoxysilane molecules are dissociated in the rf plasma, even C-H bonds. Existence of Si-H bonds in vapor phase and/or on the film surface during deposition has been found by infrared diagnostics. We observed both a decrease in Si-OH absorption and an increase in Si-O-Si after plasma off, which means the dehydration condensation reaction continues after deposition. The rate of this reaction is much slower than the deposition ratio of the films.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.82-85
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• 2004

Colloidal Silica(CS) HSA/2327과 methyltrimethoxysilane(MTMS), 1034A와 tetramethoxysilane(TMOS)/MTMS 간의 졸겔 반응조건이 코팅도막의 특성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 CS종류, CS 대비 TMOS/MTMS의 함량비, 반응시간 등을 달리하여 졸을 합성하고, 합성된 졸을 slide glass에 코팅한 후 $300^{\circ}C$에서 경화시킨 도막의 특성들을 조사하였다. HSA/2327/MTMS에 의한 졸로부터 제조된 코팅도막은 졸 반응시간 의존성이 거의 없으며 반응초기부터 접촉각이 상당히 안정되어 있고 특히 낮은 MTMS 함량을 가진 졸들이 더욱 안정된 표면물성을 보였다. 1034A/TMOS/MTMS에 의해서 제조된 코팅도막은 적절한 소수성의 형성과 표면조도의 향상과 더불어 안정된 접촉각 양상을 나타내었다. 표면거칠기는 HSA/2327 혼합 CS계에 의해서는 반응시간이 길고 MTMS 함량이 높아질 때 비교적 표면조도가 나빠지는데 반응시간과 더불어 약간씩 증가하는 경향을 보였다. 1034A CS계에서는 반응시간과 MTMS 함량의 조건에 영향을 받지 않고 표면조도와 균질성이 우수하였다.

• 멤브레인
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• 제24권6호
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• pp.491-497
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• 2014

PTMSP[Poly(1-trimethylsilyl-1-propyne)]에 TEOS (tetraethoxysilane), TMOS (tetramethoxysilane), MTMOS(methyltrimethoxysilane), 그리고 PTMOS (phenyltrimethoxysilane)의 함량을 0, 15, 20, 30 wt%로 달리하여 졸-겔법을 이용하여 PTMSP-silica 복합막을 제조하였다. PTMSP-silica 복합막의 알콕시실란 함량에 따른 $H_2$, $N_2$의 기체투과도와 $N_2$에 대한 $H_2$의 이상 선택도를 조사하였다. $H_2$와 $N_2$의 투과도는 알콕시실란 함량이 0~20 wt% 범위에서는 증가하다가 알콕시실란 함량이 20~30 wt% 범위에서는 감소하였다. $N_2$에 대한 $H_2$의 이상 선택도는 TEOS와 PTMOS의 함량이 0~15 wt% 범위에서는 감소하였으며, 15~30 wt% 범위에서는 다시 증가하였다. Robeson upper bound와 비교할 때, PTMSP-silica 복합막은 TEOS 함량이 30 wt%, MTMOS 함량이 20 wt% 그리고 PTMOS 함량이 30 wt%에서 투과도와 이상 선택도가 동시에 향상된 것으로 나타났다.

• 폴리머
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• 제36권1호
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• pp.16-21
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• 2012

광 변색 물질로 1,2-bis(2,4-dimethyl-5-phenyl-3-thienyl)-3,3,4,4,5,5-hexafluoro-1-cyclopentene(BTHFC)를 사용하는 유-무기 혼성 코팅막이 금속 알콕사이드인 tetramethoxysilane(TMOS), 다양한 실란 커플링제, 그리고 용매와 같은 다양한 반응 조건하에서 제조되었다. 제조된 코팅 막 중에서 상대적으로 비극성인 실린 커플링제를 사용한 경우, 광 변색 유기물인 BTHFC는 우수한 흡광도 및 소색속도를 나타내었다. 더욱이 용매 THF 존재 하에서 TMOS와 methacryloyloxypropyltrimethoxysilane(MPTMS)의 몰 비가 1:1로 하여 제조되었을 때 흡광도와 소색속도는 크고 빠른 것을 알 수 있었다. 연필강도는 TMOS의 함량이 증가할수록 증가한 반면, 투과도는 상대적으로 감소하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권12호
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• pp.2401-2404
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• 2007

Particle size of silicones can be controlled by changing the reaction conditions such as temperature and concentrations of water and tetramethoxysilane (TMOS). Alternatively, the use of ultrasound radiation is also an elegant technique to decrease the particle size. Small silicone particles can be obtained at low temperature from diluted reagent containing TMOS, especially under the powerful ultrasound radiation. The size control may be explained by the rate of particle growth rather than that of nucleation.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.760-765
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• 1996

Silicon oxide thin films are prepared by plasma-enhanced CVD (PECVD) using 100kHz and 13.56MHz generators. Source gases are two sorts of mixture, tetramethoxysilane (TMOS) and oxygen, and tetramethylsilane (TMS) and oxygen. We investigate the effect of frequency on film properties of deposited films including mechanical properties. 100kHz PECVD process can deposit silicon oxide films at $23^{\circ}C$ at the power of 20W. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), infrared spectroscopy (IR) and ellipsometric measurements reveal that the structural quality of the films prepared both by 100kHz process and by 13.56MHz process are very like silicon dioxide. The 100kHz process is adequate for low temperature deposition of SiOx films.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권3호
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• pp.683-686
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• 2009

Slurry phase reaction of elemental silicon with methanol has been studied in the presence of copper using a small amount of cuprous chloride as an activator in DBT (dibenzyltoluene) at various temperatures from 200 ${^{\circ}C}$ to 320 ${^{\circ}C}$. Trimethoxysilane (1a) with a Si-H unit was obtained as the major product and tetramethoxysilane (1b) as the minor product. The reaction worked well using a 0.5 wt % CuCl as an activator. The optimum temperature for this direct synthesis of 1a was 240 ${^{\circ}C}$. Methoxysilanes were obtained in 95% yield with 81% selectivity to 1a from 85% conversion of elemental silicon.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.230-231
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• 2006

We synthesized sol according to kinds(particle size/stabilized ion) of colloidal silica(CS), content ratio of alkoxysilane versus CS and reaction degree in sol solution and studied the surface property of coated gel materials. The contact angle of the thin films prepared from LHSA/N1030 CS/tetramethoxysilane(TMOS)/methyltrimethoxysilane(MTMS) sol-gel reaction system showed a little good relationship with content ratio of TMOS/MTMS silanes. The surface roughness of LHSA CS/TMOS/MTMS reaction system showed flatter than that of LHSA/N1030 CS. The thermal degradation of LHSA CS/TMOS/MTMS coating flim occurred at $550^{\circ}C$.

• 한국광물학회지
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• 제20권3호
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• pp.155-163
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• 2007

국내의 실리카 광물인 규질이암으로부터 실리콘알콕사이드와 같은 실리콘 유기화합물을 합성하였다. 이 실험에서는 알카리금속염 촉매 존재 하에서 트리에탄올아민과 규질이암의 반응에 의해 트리에탄올아민의 치환체인 트리스실라트라닐옥시에틸아민의 합성이 관찰되었다. 이 트리스실라트 라닐옥시에틸아민은 산성촉매인 발연황산의 존재 하에서 메탄올과의 반응으로 메톡시실란을 얻을수가 있었으며, 이 메톡시실란과 메탄올과의반응으로 테트라메톡시실란이 합성되었다. 반응의 중간 생성물 및 최종 산물은 FT-IR, XRD, SEM, 1H and 13C NMR 및 가스크로마토그래피에 의해 확인할 수 있었다.