For the conventional power MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) device structure, there exists a tradeoff relationship between specific on-state resistance (Ron,sp) and breakdown voltage (BV). In order to overcome this tradeoff, a super-junction (SJ) trench MOSFET (TMOSFET) structure with uniform or non-uniform doping concentration, which decreases linearly in the vertical direction from the N drift region at the bottom to the channel at the top, for an optimal design is suggested in this paper. The on-state resistance of $0.96m{\Omega}-cm2$ at the SJ TMOSFET is much less than that at the conventional power MOSFET under the same breakdown voltage of 100V. A design methodology for the edge termination is proposed to achieve the same breakdown voltage and on-state resistance as the main body of the super-junction TMOSFET by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas.
This letter proposes a new impedance matching scheme of a traveling wave electro-absorption modulator (TWEAM) module for a 60 GHz band radio-over-fiber (ROF) link. A microstrip band pass filter (BPF) was used to achieve impedance matching at the 60 GHz band, and termination resistance was carefully designed to obtain an input impedance close to $50\;{\Omega}$. Also, a bias circuit for the device was designed in the module. The measured return loss and frequency response show that the modulator module observes the characteristics of a filter without the need of a further tuning process.
This paper presents an investigation on the fire resistance of high strength fiber reinforced concrete filled box columns (CFBCs) under combined temperature and loading. Two groups of full-size specimens were fabricated. The control group was a steel box filled with high-strength concrete (HSC), while the experimental group consisted of a steel box filled with high strength fiber concrete (HFC) and two steel boxes filled with fiber reinforced concrete. Prior to fire test, a constant compressive load (i.e., load level for fire design) was applied to the column specimens. Thermal load was then applied on the column specimens in form of ISO 834 standard fire curve in a large-scale laboratory furnace until the set experiment termination condition was reached. The test results show that filling fiber concrete can improve the fire resistance of CFBC. Moreover, the configuration of longitudinal reinforcements and transverse stirrups can significantly improve the fire resistance of CFBCs.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.10
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pp.713-719
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2013
Power MOSFET operate voltage-driven devices, design to control the large power switching device for power supply, converter, motor control, etc. We have optimal designed planar and trench gate power MOSFET for high breakdown voltage and low on resistance. When we have designed $6,580{\mu}m{\times}5,680{\mu}m$ of chip size and 20 A current, on resistance of trench gate power MOSFET was low than planar gate power MOSFET. The on state voltage of trench gate power MOSFET was improved from 4.35 V to 3.7 V. At the same time, we have designed unified field limit ring for trench gate power MOFET. It is Junction Termination Edge type. As a result, we have obtained chip shrink effect and low on resistance because conventional field limit ring was convert to unify.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.396-399
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2003
4H-SiC un diodes with field limiting rings(FLRs) were fabricated and characterized. The dependences of reverse breakdown voltage on the number of FLRs, the distance between p-base main junction and first FLR, and activation temperatures, were investigated. Al and B ions were implanted and activated at high temperature to form p-base region and p+ region in the n-epilayer. We have obtained up to 1782V of reverse breakdown voltage in the un diode with two FLRs on loom thick epilayer. The differential on-resistances of the fabricated diode are $5.3m{\Omega}cm^2$ at $100A/cm^2$ and $2.7m{\Omega}cm^2$ at $1kA/cm^2$, respectively. All pn diodes with FLRs have higher avalanche breakdown voltages than that of diode without an FLR. Regardless of the activation temperature, the un diode with a FLR located 5um apart from main junction has the highest mean breakdown voltage around 1600V among the diodes with one ring. On the other hand, the pn diode with two rings showed different behavior with activation temperature. It reveals that high voltage SiC pn diodes with low on-resistance can be fabricated by using the FLR edge termination.
Kim, Eun-Hye;Park, Jong-Dae;Pyo, Suhk-Neung;Rhee, Dong-Kwon
Journal of Ginseng Research
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v.31
no.2
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pp.74-78
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2007
Multi-drug resistance (MDR) is a major problem in cancer chemotherapy and has often ended up with termination of the therapy. The aim of this study was to identify any fractions of Korean red ginseng that would be effective in modulating for MDR. Although ginsenosides have been reviewed as possible MDR modulators, the MDR modulation activity of the other component is unknown. Therefore, a red ginseng was extracted with methanol, ether, ethylacetate, and n-butanol, followed by several fractionations by silica gel chromatography. And the activity of MDR modulating for these fractions was examined via sulforrhodamine B assay. We have found that several ether fractions, as nonsaponin components are effective on MDR modulation. We have expect that these results helpful to improvement of cancer chemotherapy.
Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
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2019.11a
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pp.116-117
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2019
In this research, Proctor insertion resistance test values and Durometer A type hardness values were compared and analyzed between the setting times of the concrete using CGS for Fine Aggregate, and the results are summarized as follows. 1) The Proctor penetration resistance test value and the hardness value of Durometer A type showed a high correlation in the form of a curve. 2) About surface finish The resolution exceeding the hardness value of the Durometer A type uses about 25 HD, and in the case of termination, about 35 HD, and is considered to be effective for determining the surface finishing work time. The possibility to do is expected.
In recent years, concrete-filled box or tubular columns have been commonly used in high-rise buildings. However, a number of fire test results show that there are significant differences between high strength concrete (HSC) and normal strength concrete (NSC) after being subjected to high temperatures. Therefore, this paper presents an investigation on the fire resistance of HSC filled steel tubular columns (CFTCs) under combined temperature and loading. Two groups of full-size specimens were fabricated to consider the effect of type of concrete infilling (plain and reinforced) and the load level on the fire resistance of CFTCs. Prior to fire test, a constant compressive load (i.e., load level for fire design) was applied to the column specimens. Thermal load was then applied on the column specimens in form of ISO 834 standard fire curve in a large-scale laboratory furnace until the set experiment termination condition was reached. The results demonstrate that the higher the axial load level, the worse the fire resistance. Moreover, in the bar-reinforced concrete-filled steel tubular columns, the presence of rebars not only decreased the spread of cracks and the sudden loss of strength, but also contributed to the load-carrying capacity of the concrete core.
This paper investigates the dependence of a-Si:H/c-Si passivation and heterojunction solar cell performances on various cleaning processes of silicon wafers. It is observed that the passivation quality of a-Si:H thin-films on c-Si wafers depends highly on the initial H-termination properties of the wafer surface. The effective minority carrier lifetime (MCLT) of highly H-terminated wafer is beneficial for obtaining high quality passivation of a-Si:H/c-Si. The wafers passivated by p(n)-doped a-Si:H layers have low MCLT regardless of the initial H-termination quality. On the other hand, the MCLT of wafers incorporating intrinsic (i) a-Si:H as a passivation layer shows sensitive variation with initial cleaning and H-termination schemes. By applying the improved cleaning processes, we can obtain an MCLT of $100{\mu}sec$ after H-termination and above $600{\mu}sec$ after i a-Si:H thin film deposition. By adapting improved cleaning processes and by improving passivation and doped layers, we can fabricate a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells with an active area conversion efficiency of 18.42%, which cells have an open circuit voltage of 0.670V, short circuit current of $37.31\;mA/cm^2$ and fill factor of 0.7374. These cells show more than 20% pseudo efficiency measured by Suns-$V_{oc}$ with an elimination of series resistance.
Jung-Min Oh;Su Bin Choi;Taeheon Kim;Jikwang Chae;Hyeonsu Lim;Jae-Won Lim;In-Seok Seo;Jong-Woong Kim
Advances in nano research
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v.15
no.1
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pp.1-13
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2023
Ti3C2Tx MXene, a 2D material, is known to exhibit unique characteristics that are strongly dependent on surface termination groups. Here, we developed a novel annealing approach with Ca as a reducing agent to simultaneously remove F and O groups from the surface of multilayered MXene powder. Unlike H2 annealing that removes F effectively but has difficulty in removing O, annealing with Ca effectively removed both O and F. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and energy dispersive X-ray spectroscopy revealed that the proposed approach effectively removed F and O from the MXene powder. The results of O/N analyses showed that the O concentration decreased by 57.5% (from 2.66 to 1.13 wt%). In addition, XPS fitting showed that the volume fraction of metal oxides (TiO2 and Al2O3) decreased, while surface termination groups (-O and -OH) were enhanced, which could increase the hydrophilic and adsorption properties of the MXene. These findings suggest that when F and O are removed from the MXene powder, the interlayer spacing of its lattice structure increases. The proposed treatment also resulted in an increase in the specific surface area (from 5.17 to 10.98 m2/g), with an increase in oxidation resistance temperature in air from ~436 to ~667 ℃. The benefits of this novel technology were verified by demonstrating the significantly improved cyclic charge-discharge characteristics of a lithium-ion battery with a Ca-treated MXene electrode.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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